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采用垂直布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制备出单平面探测器。在210~300K温度范围内,测试了不同外加偏压作用下探测器的漏电流,并计算了低压下CZT的体电阻率。同时,在不同电场作用下,测试了CZT探测器对未经准直的241 Am@5.48 MeVα粒子脉冲响应信号的上升时间,计算出电子迁移率为1 360cm2/V-1s-1,并进一步推算出电子寿命随温度的变化规律。在220~300K温度范围内,对比了CZT探测器对241 Am@59.5keVγ射线的能谱响应结果,分析了载流子传输特性及器件性能随温度的变化规律。结果表明,在298~253K温度范围内,降低温度可以提高晶体的体电阻率,减少探测器工作时的漏电流,进而提高探测器的能量分辨率;但当温度低于253K时,电子寿命τe加剧减小,此时由上升时间起伏而引起的全能峰的展宽不能被忽略,导致探测器性能恶化。 相似文献
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通过仿真软件可对通信系统进行多种方案设计和参数实验,得到最佳设计方案.介绍通信系统原理用美国Elanix公司系统仿真软件SystemView仿真和分析的方法,详细阐述对通信系统的动态仿真步骤.给出2FSK调制与解调的仿真电路图及其仿真结果分析.利用该软件可直观地了解通信系统,同时系统的动态性仿真是对验证性实验的有益补充. 相似文献
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基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理模守恒赝势 方法,对纯金红石型TiO2和Ti、O两种空位缺 陷相的几何结构、能带结构、态密度(DOS)以及光学性质进行了 系统地对比研究。结果发现,含有空 位缺陷的TiO2键长增大,原子布局值减小并出现微弱的磁性;空位缺陷导致导带变窄,导 带和价带 都向低能级方向移动,由空位原子贡献的载流子增强了体系的电导率,费米能级上移进入导 带;与 纯金红石型TiO2的直接带隙宽度(3.0eV)相比较,Ti空位缺陷相转 变为P型半导体且直接带隙为1.816 eV,而O空位缺陷相转变为n型半导体且间接带隙为1.961eV。同时, 两种空位缺陷结构的介电峰显 著红移,折射率有明显变化,对可见光区的吸收系数均比纯TiO2高。与O空位结构相比,Ti 空位结构的 介电常数、折射率、消光因子和对可见光的吸收强度更大,更能增强电子在低能端的光学跃 迁,具有更佳的可见光催化性能。 相似文献
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本文从理论上研究了附加相位调制抑制相位干涉噪声的方法 ,研究表明 :在光纤AM CATV外调制传输系统中 ,对传输光载波信号引入附加相位调制 ,当相位调制信号的频率为CATV频带的两倍以上时 ,可以有效地抑制相位干涉噪声的发生 ,抑制程度与相位调制度有关。 相似文献
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查健江 《光纤与电缆及其应用技术》2004,1(4):14-19
人们对光纤生产过程中外汽相沉积(OVD)工艺的沉积机理的研究已经有好多年,但实际生产过程中,很多因素都会影响沉积速率和效率。为此我们通过试验,研究了决定沉积速率和沉积效率的主要因素,如预制棒表面温度、SiCl4流量和SiO2颗粒的温度等。 相似文献
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