系统备份及其误区分析

文章对系统备份的几个主要方面进行了讨论，并在此基础上，对系统备分的若干认识误区进行了分析。     

环境影响及计算机设备可靠性

和所有设备一样，计算机设备也是在一定环境中工作的，各种环境因素无时不对设备产生影响。要使计算机设备在各种环境中保持良好的性能，必须了解各种环境对计算机设备影响的机理和过程，分析在环境因素中那些因素是影响计算机设备的主要因素及其力度、频率、周期等，以便采取措施保护计算机设备正常工作。简要介绍除温度外，各种环境因素对计算机设备的影响。     

纳米α-FeOOH颗粒的形态和结构

以硫酸法钛白的副产物绿矾为原料，采用滴加法制备纳米铁黄（α－FeOOH）颗粒。研究了反应体系的pH值、反应温度、通氧速率、搅拌速率和添加剂等对铁黄颗粒形态结构的影响，采用XRD、TEM等分析手段对颗粒进行表征。结果表明，调节体系pH值能控制铁黄晶型结构和色相；改变通氧速率、搅拌速率、添加剂种类以及反应温度等可以调节纳米α－FeOOH的大小和分散性。     

BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能

采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷，研究了SiO2-B2O3玻璃的含量，Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响，以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律，结果表明，休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高，BaF312O19相的析出越困难，前驱体合适的热处理温度为1000℃，介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降；介电损耗的最大值为0．43，磁损耗较小。     

Interpolating Quintic Polynomial with C~1 Continuity

A method constructinq C~1 Piecewise quintic polynomial over a triangular grid to interpo-late function values and partial derivatives at vertices is presented in this paper.The set of precise poly-nomials of this method is discussed.     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

真空冻干生产线模糊控制系统

介绍了采用模糊控制技术解决真空冻干生产线控制中大超调量、大滞后等问题的方法 ,详述了模糊控制系统的构成、主要功能和实现方法     

医用聚氯乙烯材料的表面光接枝改性

研究了在不排氧氛围下 ,紫外光照射 ,以二苯甲酮 (BP)为光引发剂 ,甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)在医用聚氯乙烯 (PVC)薄膜表面的气相接枝聚合。探讨了反应条件对接枝结果的影响 ,并用正交法指出了影响因素的显著性。用傅立叶红外 (FT- IR)、水接触角作为接枝改性结果的表征。FT- IR谱图表明 GMA已接枝到 PVC膜表面。水接触角由接枝前的 78°下降到 5 4°     

金刚石膜的计算机虚拟制备技术中的分子动力学模拟

综述了近年来金刚石薄膜形成过程的分子动力学（Molecular Dynamics，简称MD）模拟研究，详细地阐述了原子间相互作用势的选取，总结了不同沉积条件下MD的计算模型和几种典型情况下的模拟结果。研究表明：在原子尺度上，MD方法能较全面地提供有关膜生长的信息，对进一步了解金刚石膜形成的微观机制以及为细观层次仿真提供基本信息均具有重要意义。