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171.
同沉积压扭断层在柴达木盆地西部南区油气成藏中的意义   总被引:2,自引:1,他引:1  
柴达木盆地西部南区逆断层断面产状呈上陡下缓的铲式特征,生长系数变化在1.3~2.5之间,断距纵向上向浅层逐渐变小和横向上向一个方向逐渐增大,总体表现为典型的同沉积压扭断层。指出该断层演化主要经历了同生冲断期、褶皱发育期、平静期及二次活动期4个阶段,长期活动的NWW向主干断层除控制构造带的展布格局外,还控制着烃源岩、储集层、盖层及其组合的空间发育,同时还有效地沟通着源岩与圈闭并成为有效输导体系的一部分,近N S向展布的次级断层决定着局部构造的发育特点,与NWW向断层联合控制着油气的局部富集。  相似文献   
172.
讨论了一种用于∑-△A/D转换器的固定系数半带(half-band)FIR数字滤波器,分析了其线性相位特性和低通滤波特性,给出了频率仿真结果,以及在Cadence设计系统中的电路和版图实现。  相似文献   
173.
蜡晶形态结构对原油降凝的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
 采用偏光显微镜观察了不同条件下蜡晶的形态变化,对蜡结晶过程中的结构、分布状态和生长规律进行了深入的研究,采用气相色谱分析了用52#、62#、80#蜡配制的模拟油中蜡的碳数分布,考察了凝点与蜡含量之间的变化规律,以及沥青质、胶质和大分子降凝剂(PPD)对模拟油降凝、降粘的影响,为改善原油流动性提供理论依据。实验结果表明,蜡晶的微观形态结构、蜡在油中的溶解性能以及降凝剂的降凝作用与模拟油中蜡的碳数分布密切相关,只有当降凝剂分子结构与油中蜡的结构匹配时,才能达到理想的降凝效果。通过实验确定了模拟油降凝时的临界蜡含量为40%(质量分数),大于该临界值后,凝点随着蜡含量的变化幅度将大大降低。  相似文献   
174.
通过对材料化学成分、爆炸处的材料厚度及其金相组织、介质的流速、介质的成分及颗粒度等进行综合分析,探究了一级旋风分离器的爆炸原因。结果表明,一级旋风分离器爆裂是由于其下封头受到冲蚀损伤,壁厚大面积减薄导致材料强度不足所致。  相似文献   
175.
一种单相串联混合电力有源滤波器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
文中对串联混合电力滤波器抑制谐波的原理进行了分析。为了检测单项系统的谐波电流,提出一种基于虚拟三相法和瞬时无功理论的谐波检测方法,并且对串联滤波逆变器的直流侧电压的控制进行了讨论。仿真结果证明了其有效性。  相似文献   
176.
嵌入式RTOS中任务优先级反转问题研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
李屏  张艳军 《信息技术》2006,30(9):94-96
针对嵌入式实时系统任务调度策略的特点,任务在运行的时候可能被更高优先级的任务中断。分析了嵌入式RTOS中的最高就绪任务的查找算法,指出该调度算法存在的不同优先级的反转问题,并且针对这一问题进行研究,给出了相应的优先级继承方案。较好地解决了RTOS中任务调度中的优先级的反转问题。  相似文献   
177.
复杂土坝的渗流安全分析评价   总被引:1,自引:1,他引:0  
根据福华山土坝的渗流观测资料,建立了测压管水位的回归统计模型,定量分析了各影响量(水位分量、时效分量)对测压管水位的影响效应。在此基础上,结合观测资料,采用有限元法反演了大坝各填筑区的渗透系数,并综合评价了大坝的渗流性态。  相似文献   
178.
张跃 《微纳电子技术》2006,43(11):530-534
研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。  相似文献   
179.
为了提高加速度计应用中坐标系的匹配精度,提出了基于加速度计的坐标系匹配方法,介绍了其基本原理,并对加速度计的测角方法进行了深入研究.试验结果表明:该方法测量最大误差≤0.3°,满足实际应用要求,有效地解决了加速度计应用中的坐标系匹配问题.  相似文献   
180.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计   总被引:5,自引:2,他引:3  
张海清  章倩苓 《半导体学报》2003,24(11):1154-1158
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A.  相似文献   
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