基于红外CCD的掺钆液体闪烁体液位测量方法

针对大亚湾中微子实验中对掺钆液体闪烁体位置进行标定的需求,采用红外CCD摄像头对液位进行非接触无损检测,然后通过图像采集、图像预处理、图像分割、液位定位和液位测量等图像处理技术,实现对掺钆液体闪烁体位置的检测.文章在介绍整个红外CCD图像处理系统的同时,重点介绍了分段线性灰度拉伸算法、数字形态学等方法.实验结果表明,所提方法提高了被测液体位置的精确度,有效解决了当液闪存于底部位置以及金属环位置时无法准确测量液位的问题,并且满足误差在正负2 mm范围的实际要求.     

导航卫星接收机窄带干扰抑制算法研究

在GNSS服务过程中,地面接收到的卫星导航信号的功率较小,且易受到周围复杂电磁干扰影响,这将会导致卫星无法正常定位。针对常见的窄带干扰,介绍一种新型自适应全通IIR陷波器,自适应算法采用高斯-牛顿迭代法,通过跟踪窄带干扰频点,对其频点进行陷波。文中在其基础上进行改进,在每次迭代过程中采用最佳收敛因子,最大程度地减少均方误差。这种算法可导致更快的收敛速度和更高的估计精度。仿真结果表明,IIR滤波器可有效去除高达70 dB的窄带干扰。     

基于高阶累积量和循环谱的信号调制方式混合识别算法

为了识别当前通信系统所采用的主要调制方式,该文结合高阶累积量和循环谱的特点,采用混合识别算法,同时应用智能决策算法(神经网络)对信号进行识别。该算法基于四阶和六阶高阶累积量构造出一个新的特征参数,将数字调制信号分为{BPSK, 2ASK}, {QPSK}, {2FSK, 4FSK}, {MSK}和{16QAM, 64QAM}5类。然后利用高阶累积量的其它特征参数以及循环谱特征对{OFDM}, {16QAM, 64QAM}, {2ASK, BPSK}及{2FSK, 4FSK}进行识别。为便于工程实现,该文采用半实物仿真以及LabVIEW和MATLAB混合编程来验证算法。仿真结果证明,该算法能够在较低信噪比下实现对{OFDM, BPSK, QPSK, 2ASK, 2FSK, 4FSK, MSK, 16QAM, 64QAM}等多种信号的分类,在信噪比高于 5 dB时,调制方式识别率可达94%以上,由此证明了该方法的有效性。     

基于干涉条纹相关性测量PZT相移特性的方法

闭环压电陶瓷(PZT)具有良好的线性特征,能实现纳米级分辨率,在微位移过程中响应快,精度高,广泛用于光学测量领域。在干涉测量中,利用PZT控制反射镜的移动,引入可控相移,需要知道PZT的电压相移特性。提出了基于干涉条纹图样的相关性测量PZT电压相移特性的方法,利用CMOS数字摄像机采集干涉条纹图样,以零电压对应的图样为基准图,做归一化相关系数运算,最后得到PZT电压相移特性曲线,满足了干涉测量相移可控的要求。     

生长助剂对微纳米级二氧化钛颗粒形貌和光吸收性能的影响

以钛酸丁酯为钛源,氟化氢(HF)为形貌控制剂,溶剂(乙酸乙酯、乙酸和异丙醇)为生长助剂,通过溶剂热法合成了不同形貌的二氧化钛(TiO2).利用X射线衍射谱(XRD)分析样品的物相,扫描电子显微镜(SEM)表征TiO2颗粒的形貌,氮气吸附-脱附实验测量样品的比表面积,紫外可见吸收光谱测试样品的光吸收能力.结果表明:乙酸乙酯、乙酸和异丙醇作为生长助剂时,相应地得到球形、片状和比表面积高达155.58m2 ·g-1的花状结构.乙酸乙酯对样品形貌的影响大于HF.乙酸和异丙醇对HF具有协同作用,不同形貌的TiO2颗粒的紫外光吸收的强弱顺序为醇-TiO2,酸-TiO2,酯-TiO2.     

对中国建设天、空、地一体化信息网络的几点认识

认为陆地信息系统已无法满足信息化社会及国防信息化广域覆盖与多类信息融合共享的需求,建立空间信息基础设施是未来信息网络的发展需求。针对中国建设天、空、地一体化信息网络的原因、网络架构、技术难点、演示验证等,提出了中国建立天、空、地一体化信息网络探索性的认识,以及对其实施过程中于陆地信息设施不同的技术难点的看法。     

一种适合硬件实现的高效算术编码

本文提出了利用表查找来实现二值算术编码,避免乘除法运算,可以简化硬件设计。该算法具有较小的概率逼近误差,因此性能退化较小。     

LS SIMD计算机的并行技术

文章主要讨论了LSSIMD计算机中所采用的并行技术数据并行技术、三级指令流水线并行技术与三组指令并行执行技术。     

夹层雷达罩中介质加强肋的感应电流率矩量法分析

用矩量法对地面雷达罩中常见的夹层罩的介质加强肋感应电流率进行了理论计算,数值计算结果与测试结果符合较好,满足了工程设计的需要。     

一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管

提出了一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性。论述了在背光照射下,这种结构的ＴＦＴ能有铲抑制关态电流上升的机理。研究了有源层ａ－Ｓｉ：Ｈ膜层厚度对ＴＦＴ关态电流和开态电流的影响。检测辽种结构ＴＦＴ在暗态和背照射下的静态特性。