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钻井液作为与油层首先接触的外来流体极易对油层造成损害,做好钻井液保护油层工作在整个油层保护系统工程中非常重要.针对华北油田宝力格油田的储层物性,室内从岩心的敏感性评价入手,开展了钻井液保护油层技术的研究.通过对油层封堵技术的研究,研制出了适合于该油田储层特征的油层保护剂,结合现场钻井液施工的特点,制定了便于现场操作的保护油层施工措施.该技术自2002年开始,在二连地区宝力格油田共实施162口井.采取油层保护措施的井,完善井为86%,说明该钻井液技术在宝力格油田应用效果较好. 相似文献
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采用类比法确定现役水工钢闸门结构的荷载评估基准期。以静水压力为例,得了其在荷载评估基准期内的统计参数,讨论了闸门主梁受弯碱坏时可靠指标随继续使用期的变化。 相似文献
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不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。 相似文献
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电子设备的广泛使用带来的设备干扰及浪涌冲击等问题使人们开始关注SrTiO3基压敏电阻器件材料的开发.本文介绍了SrTiO3基压敏电阻的一般制造配方和工艺流程.和ZnO基压敏电阻相比,此材料在低压领域具有更优良的电气性能,如较大的电容量(C=10~150nF);在高于电压临界值又具有较低压敏电压;非线性系数在5~43之间可调;耐浪涌能量大;并且具有自复位特性.这些特性使得它具有高频噪声吸收、前沿快速上升型脉冲噪声吸收和浪涌吸收等功能.针对武器系统的高性能要求,本文提出了SrTiO3基压敏电阻在直流电机消噪、电源输入端、吸收电感性负载开关浪涌、旁路电容器、通信线路防护、防止电涌冲击等方面的应用. 相似文献
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为了提供高性能和柔性,操作系统内核应该只保留最小的功能,今天的操作系统大而低效,更缺乏柔性,我们提出了保护分散式操作系统抽象方法,集成了分散式操作系统抽象和保护抽象的方法,这种新的安全方式在分散式抽象系统里共享用户级的抽象,能够使非特权,不信任的任务在运行时定义并安全的共享生成的抽象,它在对相同的抽象重复调用时,通过消除上下文切换的需求和对通常情况进行优化,可获得较好的柔性,保护分散式抽象的设计强调简单并正确性证明,易于理解和使用,文章介绍了保护分散式操作系统抽象方法,并运用该方法开发了一个基于共享库的原型操作系统-ExLinux/LibOS. 相似文献
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Chou Y.C. Leung D. Lai R. Grundbacher R. Barsky M. Kan Q. Tsai R. Wojtowicz M. Eng D. Tran L. Block T. Liu P.H. Nishimoto M. Oki A. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(6):378-380
The authors have investigated the reliability performance of G-band (183 GHz) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifiers fabricated using 0.07-/spl mu/m T-gate InGaAs-InAlAs-InP HEMTs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel on 3-in wafers. Life test was performed at two temperatures (T/sub 1/ = 200 /spl deg/C and T/sub 2/ = 215 /spl deg/C), and the amplifiers were stressed at V/sub ds/ of 1 V and I/sub ds/ of 250 mA/mm in a N/sub 2/ ambient. The activation energy is as high as 1.7 eV, achieving a projected median-time-to-failure (MTTF) /spl ap/ 2 /spl times/ 10/sup 6/ h at a junction temperature of 125 /spl deg/C. MTTF was determined by 2-temperature constant current stress using /spl Delta/G/sub mp/ = -20% as the failure criteria. The difference of reliability performance between 0.07-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with pseudomorphic In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As channel and 0.1-/spl mu/m InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs with In/sub 0.6/Ga/sub 0.4/As channel is also discussed. The achieved high-reliability result demonstrates a robust 0.07-/spl mu/m pseudomorphic InGaAs-InAlAs-InP HEMT MMICs production technology for G-band applications. 相似文献