NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

Applications of a super element model for non-linear analysis of stiffened box structures

Numerical investigations are carried out to verify the new super element model developed in Reference 1 for non-linear analysis of stiffened box structures. The results presented here are obtained from a variety of examples which are chosen to illustrate the accuracy and convergence of the model in various applications. Good agreement is obtained for most of the problems considered and the present formulation is found to be accurate and economical for preliminary engineering design.     

SiC（w）／TZP＋mullite陶瓷复合材料界面和组成设计与力学性能

本文从理论上分析了ＳｉＣ（ｗ）ＴＺＰ＋ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）复合材料界面残余热应力及其在基质内的分布规律。提出在ＳｉＣ（ｗ）表面涂复Ａｌ２Ｏ３和在ＰＺＴ中加入ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）联合作用来降低晶须／基质界面残余热应力的界面设计方案，导出ＳｉＣ（ｗ）和ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）协同补强ＰＺＴ的匹配条件。制备了ＳｉＣ（ｗ）／ＴＺＰ＋ｍｕｌｌｉｔｅ（ｐ）复合材料并了ＳｉＣ（ｗ）表面涂层Ａｌ２Ｏ３厚度和ＳｉＣ（ｗ     

PP－g－AA的制备和表征

用熔融接枝方法制备了聚丙烯－ｇ－丙烯酸（ＰＰ－ｇ－ＡＡ）。用光电子能谱，广角Ｘ射线衍射，红外光谱和化学滴定方法对接枝物进行了定性和定量表征。讨论了单体和引发剂浓度对接枝率的影响，确定了用红外光谱法测定接枝物含量的经验公式     

CF/ABS树脂复合材料制备工艺对导电性能的影响及对屏蔽性能的理论预测

本文研究了使用溶剂法、密炼机和开炼机混炼碳纤维填充ABS树脂复合材料的导电性能,得到了纤维填充量与复合材料电阻率的关系,对其导电机理进行了分析.通过比较,发现纤维长径比是决定复合材料导电性能的重要因素,其它如纤维在基体中的分布也对复合材料导电性能有影响.最后对复合材料的屏蔽性能进行了理论计算.     

BEM 系列原油流动性改进剂的应用

对BEM系列原油流动性改进剂的基本原理以及在中洛、濮临、东临、东黄、鲁宁、魏荆等几条原油长输管道工业应用的现场测试情况进行了介绍。结果表明，BEM系列原油流动性改进剂在降低原油凝点和粘度方面性能良好，能满足管道安全，平稳运行的要求。     

醇镁还原法一步制取对氯苯胺的研究

醇镁还原法一步制取对氯苯胺是一种新的方法 ,研究发现最佳反应温度为 80℃～ 85℃ ,反应时间为4h ,对氯硝基苯与镁粉的用量 (物质的量比 )为 1∶3,产率为 80 %。     

面向表面微加工工艺的微器件设计框架的研究

本文以微器件设计为对象，对微硅表面制造驱动的微器件并行设计方法学及相应的计算机辅助设计工具的开发逻辑进行了研究，提出了采用基于三层Web-ASP集成框架实现e-CAD原型工具的编程方案，其中，并行任务流管理与控制，微器件实例及设计资源库，微加工工艺规划及仿真，微器件设计评价等是该系统实现的关键要素，在此基础上将建立网上微器件设计中心，并通过应用服务机制，实现对微器件设计工具使用的商务化，以达到降低设计成本，加快MEMS产业化之目的。