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961.
新丰江大坝振动监测与安全评估 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首先介绍新丰江坝、水电厂房及变电系统(GIS)设施的最近的振动试验结果;其次,根据新丰江坝历次振动监测资料对比分析,研究了坝体振动特性与弹性波速变化趋势,提出了计入水库影响的坝体前三阶振动频率经验计算公式,对坝体混凝土强度变化程度作了估计;最后,基于振动监测数据与计算分析,给出了大坝及厂房等设施的安全评估结果。 相似文献
962.
非棱柱体管道的一维水击计算及分析 总被引:3,自引:0,他引:3
在水电站输水系统水力过渡过程的一维计算中,对非棱柱体管道的处理,一般采用等价管方法。为了分析等价管方法带来的计算误差,本文给出了非棱柱体管道的一维水击计算方程,建立了相应的特征线解法。本文通过计算某一电站的水力过渡过程,分析了本文的计算方法和等价管计算方法对计算结果的影响,得出了一些有价值的结论。 相似文献
963.
ZnSe heteroepitaxial layers have been grown on GaAs (100), (110) on axis, and (110) 6° miscut substrates by molecular beam
epitaxy. ZnSe on GaAs (110) shows smooth and featureless spectra from Rutherford backscattering channeling measurements taken
along major crystalline directions, whereas ZnSe on GaAs (100) without pre-growth treatments exhibit large interface disorder
in channeling spectra. ZnSe films grown on GaAs (110) on axis show facet formation over a wide range of growth conditions.
The use of (110) 6° miscut substrates is shown to suppress facet formation; and under the correct growth conditions, facet-free
surfaces are achieved. Etch pit density measurements give dislocation densities for ZnSe epitaxial layers grown on GaAs (100),
(110) on axis, and (110) 6° miscut substrates of 107/cm2, 3 × 105/cm2 and 5 × 104/cm2, respectively. These results suggest that with further improvements to ZnSe growth on GaAs (110)-off substrates it may be
possible to fabricate defect free ZnSe based laser devices. 相似文献
964.
965.
966.
967.
968.
以Pb(NO3)2,TiCl3和ZrOCl2为电解质,就利用电化学还原法及退火晶化处理在不锈钢基底上制备钙钛型PZT薄膜进行了研究。结果表明:在一定条件下,淀积在基底上的膜层,其组份比与电解液的组分摩尔浓度,还原电流密度和还原时间存在某种确定的关系,通过调整电解液中组份的摩尔浓度,选择合适的还原电流密度和还原时间,可以控制膜层的组份比,再经过退火处理制备出所需化学配比的钙钛矿结构PZT薄膜。 相似文献
969.
彩色PDP电极和障壁制作技术评述 总被引:4,自引:2,他引:4
简要介绍了当前流行的和具有发展潜力的彩色PDP显示屏的电有和障壁制作 工对它们的优缺点和发展前景作出了相应的评述。可供研究开发和引进线技术选型时参考。 相似文献
970.