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1.
通过制备不同晶相结构〔单斜相(m-ZrO_2)、四方相(t-ZrO_2)和无定型(a-ZrO_2)〕ZrO_2载体,再通过沉积沉淀法制得Cu/m-ZrO_2、Cu/t-ZrO_2和Cu/a-ZrO_2催化剂,分别用于催化二乙醇胺脱氢合成亚氨基二乙酸反应。采用XRD、氮气物理吸附脱附、XPS、H_2-TPR、CO_2-TPD对催化剂的结构进行了表征。结果表明,Cu/m-ZrO_2催化剂界面更加有利于Cu~+/Cu~0稳定存在,具有更多的碱性位点,且抗氧化性较好。在二乙醇胺脱氢反应中,Cu/m-ZrO_2催化剂性能最好,反应时间为2.5 h,亚氨基二乙酸收率为97.64%。  相似文献   
2.
带关键字搜索的公钥加密(PEKS)是一种有用的加密原语,它允许用户将在加密数据上搜索的功能委托给不可信的第三方服务器,而不影响原始数据的安全性和隐私性。但是,由于缺乏对于数据的加密以及解密能力,PEKS方案不能单独进行使用,必须与标准的公钥加密方案(PKE)相结合。因此,Baek等人在2006年引入了一种新的加密原语,称为结合PKE和PEKS的加密方案(PKE+PEKS),它同时提供了PKE和PEKS的功能。目前,已有文献提出了几种PKE+PEKS方案。然而,他们都没有考虑关键字猜测攻击的问题。本文提出一个新的高效且能够抵抗关键字猜测攻击的PKE+PEKS方案,与已有方案相比,该方案在性能上有很大的提升,并且在生成关键字和数据密文时,不需要使用双线性对,极大地降低了计算和存储成本。安全性分析表明,本文中所提出的方案能够满足密文隐私安全性、陷门不可区分性和抗关键字猜测攻击的安全性。效率分析表明,本分提出的方案更加高效。  相似文献   
3.
采用异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、聚乙二醇200、400、600、800(PEG200、PEG400、PEG600、PEG800)、2,2-二羟甲基丙酸(DMPA)、1-苯基-1,2-乙二醇、中和剂三乙胺(TEA)、甲乙酮肟等为原料,制备了一种阴离子聚氨酯分散剂.通过FTIR、GPC、TG表征了分散剂的结构与性能.利用自制的分散剂采用研磨法制备了液体靛蓝分散液,以液体靛蓝分散液粒径、离心稳定性、储存稳定性为指标,探讨了分散剂链长、用量对分散液性能的影响.结果表明,研磨1 h后,以PEG400为软段合成的聚氨酯分散剂用量为染料质量的60%时制备的液体靛蓝粒径为277.1 nm,1000 r/min离心稳定性达到93.98%,3000 r/min离心稳定性为51.13%,常温放置7 d后粒径变化在20 nm以内,染色后织物的颜色深度(K/S)为10左右,约是粉状靛蓝染色K/S的2倍,染色织物的颜色性能并未改变,SEM显示分散体颗粒大小分布均匀,与分散剂甲基萘磺酸钠的甲醛缩合物(MF)和木质素85A相比,其分散体系稳定性差别不大.  相似文献   
4.
在课程群的教学中由于每门课程各自独立开展教学,缺乏知识的融合和衔接,导致学生运用综合知识解决问题的能力较弱。在课程群的教学中采用案例嵌入协同教学模式,将完整的工程案例嵌入到课程群各门课程的教学中,协同规划各门课程的教学任务,每门课程再围绕案例展开研究性教学。通过嵌入的工程案例衔接各门课程的知识点,帮助学生建构完整的知识体系,强化工程应用的概念;同时通过研究性教学,培养学生分析问题和解决问题的能力,两部分相结合,提高了学生运用综合知识解决复杂问题的能力。  相似文献   
5.
本文通过对庄河地区水资源的分析及未来需水量的预测,计算其区域余水量。以确定区域经济的规划。  相似文献   
6.
垦71井区三维VSP资料波场分离方法应用研究   总被引:8,自引:5,他引:3  
张卫红  陈林  高志凌 《石油物探》2006,45(5):532-536
三维VSP资料是多偏移距VSP资料,资料中多种类型的波叠合在一起形成复杂波场。从复杂波场中分离出单一的保幅反射波波场是三维VSP波场分离的重要工作。常规二维VSP波场处理方法单一,难以适用于复杂的三维波场处理。针对三维VSP资料的波场特点,以分离上行反射P波为例,将单一波场分离方法加以适当组合,对垦71井区三维VSP实际资料进行了应用研究。结果表明,波场分离处理中叠加消去法和中值滤波相结合以及F—K滤波和中值滤波相结合的方法克服了单一方法的缺陷,波场处理后获得了波组特征明显、波场清晰单一的上行反射P波保幅波场,取得了较好的波场分离效果。  相似文献   
7.
Over tensile stress ranges giving creep lives up to 2000 hours at 373 to 463 K, the creep and creep fracture properties of 7010 are compared with results recorded for 7075 and other precipitation-hardened aluminum alloys. Using the ϕ methodology to quantify the systematic variations in creep curve shape with changing test conditions, the behavior patterns displayed by the different alloys are shown to depend on the extent to which precipitate coarsening causes a progressive loss of creep strength with increasing test duration and temperature. The ϕ relationships also introduce new approaches for rationalization and interpretation of creep data sets, based on the activation energy for lattice diffusion in the alloy matrices and the yield stress or UTS at the creep temperatures.  相似文献   
8.
本文通过对典型小流域内参地开发造成水土流失的分析,提出适合本区域操作的参地防治对策。  相似文献   
9.
Supported metal catalysts, particularly noble metals supported on SiO2, have attracted considerable attention due to the importance of the silica–metal interface in heterogeneous catalysis and in electronic device fabrication. Several important issues, e.g., the stability of the metal–oxide interface at working temperatures and pressures, are not well-understood. In this review, the present status of our understanding of the metal–silica interface is reviewed. Recent results of model studies in our laboratories on Pd/SiO2/Mo(1 1 2) using LEED, AES and STM are reported. In this work, epitaxial, ultrathin, well-ordered SiO2 films were grown on a Mo(1 1 2) substrate to circumvent complications that frequently arise from the silica–silicon interface present in silica thin films grown on silicon.  相似文献   
10.
Deposition of Ag films by direct liquid injection-metal organic chemical vapor deposition (DLI-MOCVD) was chosen because this preparation method allows precise control of precursor flow and prevents early decomposition of the precursor as compared to the bubbler-delivery. Silver(I)-2,2-dimethyl-6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-3,5-octanedionato-triethylphosphine [Ag(fod)(PEt3)] as the precursor for Ag CVD was studied, which is liquid at 30 °C. Ag films were grown on different substrates of SiO2/Si and TiN/Si. Argon and nitrogen/hydrogen carrier gas was used in a cold wall reactor at a pressure of 50–500 Pa with deposition temperature ranging between 220 °C and 350 °C. Ag films deposited on a TiN/Si diffusion barrier layer have favorable properties over films deposited on SiO2/Si substrate. At lower temperature (220 °C), film growth is essentially reaction-limited on SiO2 substrate. Significant dependence of the surface morphology on the deposition conditions exists in our experiments. According to XPS analysis pure Ag films are deposited by DLI-MOCVD at 250 °C by using argon as carrier gas.  相似文献   
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