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SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。 相似文献
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提出了一种用于逐次逼近模数转换器的高能效高线性度开关电容时序。相较于典型的基于VCM的开关原理,该开关时序可减少37%的开关能量,并具有更高的线性度。该开关时序已应用于1V,10位300kS/s的SAR ADC,并在0.18μm标准CMOS工艺下成功流片。测试结果表明,在1V电源电压下,此SAR ADC的SNDR为55.48dB,SFDR为66.98dB,功耗为2.13μW,品质因数到达14.66fJ/c-s。DNL和INL分别为0.52/-0.47 LSB和0.72/-0.79 LSB,并且与静态非线性模型一致,最大INL出现在 VFS/4处和3VFS/4处。 相似文献
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A clock generator circuit for a high-speed high-resolution pipelined A/D converter is presented.The circuit is realized by a delay locked loop(DLL),and a new differential structure is used to improve the precision of the charge pump.Meanwhile,a dynamic logic phase detector and a three transistor NAND logic circuit are proposed to reduce the output jitter by improving the steepness of the clock transition.The proposed circuit,designed by SM1C 0.18μm 3.3 V CMOS technology,is used as a clock generator for a 14 bit 100 MS/s pipelined ADC.The simulation results have shown that the duty cycle ranged from 10%to 90%and can be adjusted.The average duty cycle error is less than 1%.The lock-time is only 13 clock cycles.The active area is 0.05 mm2 and power consumption is less than 15 mW. 相似文献
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采用7级子ADC流水线结构设计了一个8位80MS/s的低功耗模数转换电路。为减小整个ADC的芯片面积和功耗,改善其谐波失真和噪声特性,重点考虑了第一级子ADC中MDAC的设计,将整个ADC的采样保持电路集成在第一级子ADC的MDAC中,并且采用逐级缩放技术设计7级子ADC的电路结构,在版图设计中考虑每一级子ADC中的电容及放大器的对称性。采用0.18μm CMOS工艺,该ADC的信噪比(SNR)为53dB,有效位数(ENOB)为7.98位,该ADC的芯片面积只有0.56mm2,典型的功耗电流仅为22mA。整个ADC性能达到设计要求。 相似文献
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针对全局异步局部同步系统中不同时钟域间的通信问题,提出一种可用于多核片上系统的环形FIFO.采用独特的运行协议和串并结合的数据传输方式以及保证通信质量的双轨编码方法,设计了一种新颖的FIFO体系结构,使其可支持不同宽度数据的发送和接收,保证数据的完整高速传输.在0.18μm标准CMOS工艺下,FIFO的传输延时为681... 相似文献
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