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31.
32.
TiO2/(O''+β'')-Sialon复相陶瓷的化学相容性及光催化性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
TiO2/(O' β')-Sialon是一全新的复相陶瓷体系.在对其化学相容性进行研究的基础上,以自制(O' β')-Sialon粉和纳米锐钛矿型TiO2粉为原料成功制备出了该复相陶瓷,并以其对亚甲基蓝溶液的降解为模型反应对其光催化性能进行了研究.热力学计算表明,标态下,β'-Sialon在任何温度、O'-Sialon在690K以上均可与TiO2发生反应.实验结果表明,O'-Sialon和β'-Sialon与TiO2发生反应的温度在1000℃以上,锐钛矿从920℃开始发生向金红石的相变,通过在不高于1000℃温度下改变烧结制度得到了亚稳态的不同TiO2相组成的TiO2/(O' β')-Sialon复相陶瓷.该复相陶瓷具有光催化活性,且光催化效率随材料中TiO2含量的增加而增大.800和900℃烧结的材料具有较高的光催化活性,随烧结温度的升高和恒温时间的延长材料的光催化活性逐渐下降. 相似文献
33.
用喷射-共沉淀法成功地制备了纳米晶CoFe2O4铁氧体粉料.研究了不同合成温度对产物晶体结构、微观形貌和磁性能影响.结果表明:喷射-共沉淀法制备的粉料颗粒细小均匀、形状完整.600℃下煅烧1.5h,样品晶粒尺寸为29nm左右,平均颗粒尺寸小于100nm.室温下,样品比饱和磁化强度随煅烧温度增加而增大.850℃煅烧1.5 h时,其比饱和磁化强度Ms为88.6A·m2·kg-1.当晶粒大小为29nm时,纳米晶CoFe2O4铁氧体矫顽力达到最大值64.5kA·m-1,随后又随晶粒尺寸增大而减小.这可能归因于纳米磁性材料存在强烈的晶粒尺寸效应. 相似文献
34.
AlN-SiC复相材料的制备及其微波衰减性能 总被引:4,自引:0,他引:4
以氮化铝、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,1900~2000℃、氮气氛下,制备了A1N-SiC复相材料。运用XRD、高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段,研究了微波衰减剂碳化硅含量及A1N-SiC部分固溶体的形成对材料微波衰减性能的影响,结果表明:A1N-SiC复相材料的频谱特性随衰减剂碳化硅含量的变化而呈现出选频衰减、宽频衰减等特性。当衰减剂SiC质量分数少于40%时,A1N-SiC复合材料具有选频衰减特性,SiC含量为40%~60%时,复合材料具有宽频衰减特性。A1N-SiC部分固溶体的形成有助于改善材料的宽频衰减特性。 相似文献
35.
氧化镁-碳化硅复相陶瓷在X波段的衰减性能 总被引:4,自引:0,他引:4
以MgO为基体,添加少量SiC,采用热压工艺制备复相微波衰减钮扣材料,通过矢量网络分析仪测试其X波段的微波衰减性能.研究SiC的添加量、烧结温度、保温时间以及介电性能等因素对复相材料衰减性能的影响.结果表明:当SiC质量分数(下同)从1%到10%逐渐增加时,复相材料的损耗谐振衰减频率(f0)随之降低,衰减量也逐渐减小,有效衰减带宽增大;这种现象在SiC含量小于2%时更显著.烧结温度的降低会提高复相材料的f0;保温时间对复相材料衰减性能稳定性的影响较小.从谐振腔及波导的性质入手分析了影响f0而的主要因素,导出了给定钮扣半径下复相材料f0与相对介电常数之间的关系及适用范围,并据此从材料设计的角度对耦合腔行波管"损耗钮扣"的制备进行了探讨. 相似文献
36.
晶界第二相是AIN陶瓷显微结构的重要组成部分,对AIN陶瓷的热导率有重大的影响。本工作研究了以Y_2O_3为烧结助剂的无压烧结AIN陶瓷中,晶界第二相的组成、含量及其分布,结果表明:晶界第二相的组成主要取决于配料中的Y_2O_3/Al_2O_3比值,同时也受工艺因素影响;随着Y_2O_3加入量增多,晶界第二相含量呈线性增加,其分布也变成从三个晶粒连接处延伸到所有晶界。还讨论了晶界第二相对热导率的影响。认为只要AIN晶格完整无缺,AIN相保持连通,即使存在少量的Y_4Al_2O_9和/或Y_2O_3第二相材料,预期仍可获得高的热导率。 相似文献
37.
以氮化铝、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,1900~2000℃、氮气氛下,制备了AlN-SiC复相材料。运用XRD,高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段,研究了微波衰减剂碳化硅含量及AlN-SiC部分固溶体的形成对材料微波衰减性能的影响,结果表明:AlN-SiC复相材料的频谱特性随衰减剂碳化硅含量的变化而呈现出选频衰减、宽频衰减等特性。当衰减剂SiC质量分数少于40%时,AlN-SiC复合材料具有选频衰减特性,SiC含量为40%~60%时,复合材料具有宽频衰减特性。AlN-SiC部分固溶体的形成有助于改善材料的宽频衰减特性。 相似文献
38.
研究了添加Y2O3对MgPSZ显微结构及力学性能的影响。结果表明,MgPSZ中引入Y2O3有利于降低烧结温度,促进立方化完全,但烧结体的力学性能有所降低。在1400℃下热处理,(Mg,Y)PSZ材料与MgPSZ一样发生cZrO2→tZrO2的析出过程,析出纺锤状四方ZrO2晶体。1400℃热处理10h获得最大抗弯强度达648MPa,断裂韧性K1c为8.3MPa·m1/2。Y2O3的加入使获得优异力学性能的热处理范围变宽,因而工艺上容易控制。但Y2O3加入过多使析出困难。最佳加入量为1.0%(摩尔百分数)。Y2O3的加入还使材料的Weibul模数增高至18.46,表明(Mg,Y)PSZ经热处理后能消除内部缺陷,使材料可靠性提高。 相似文献
39.
研究了Al2O3TiN复合物在12501400℃、1050MPa应力范围的压缩蠕变特性。结果表明Al2O3中加入TiN粒子应变速率有所提高,其最大值在TiN的体积分数20%30%附近,进一步提高TiN体积分数应变速率有所下降。该材料的应力指数约为21,温度变化对其影响不大,表观活化能为500600kJ·mol-1。应变速率的提高可能与Al2O3/TiN的界面化学组成有关。 相似文献
40.
Fe_(85)Si_(9.6)Al_(5.4)合金的制备、表征及其低频吸波性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用机械合金化法制备了Fe85Si9.6Al5.4合金,借助XRD,SEM,VSM和VNA,研究了Fe85Si9.6Al5.4合金的相结构、微观形貌、软磁性能以及Fe85Si9.6Al5.4/石蜡吸波材料的电磁和吸波性能。结果表明:采用一步法和两步法制备的FeSiAl合金的晶相均为无序bcc-Fe(Si,Al)相。一步法制备的FeSiAl合金形貌为不规则块状,而两步法制备的合金为片状。一步法与两步法制备的FeSiAl合金具有相近的比饱和磁化强度与矫顽力;但是与块状FeSiAl/石蜡吸波材料相比,片状FeSiAl/石蜡吸波材料具有更高的复介电常数和复磁导率,在0.5~5GHz范围内具有更低的反射率。厚度为2~5mm的片状FeSiAl/石蜡吸波材料,随厚度的增加反射率降低,匹配频率向低频移动;2mm材料反射率≤-10dB的带宽达1.07GHz。 相似文献