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111.
针对H.264/AVC主要档次去块效应滤波器的特点,提出一种混合递增的滤波流水线及片上存储架构.采用混合递增的去块效应滤波顺序,通过6级流水线实现像素点的并行滤波.该流水线的存储器架构可以有效支持主要档次的行/列和帧/场数据访问模式,利用滤波数据的相关性提高重用粒度,减少流水线阻塞和片外DRAM的访问.实验结果表明:与其他相关工作比较,流水线架构能够取得较好的性能和资源消耗比,在25.7K门和768Byte SRAM的硬件资源代价下,可以实现3路1080P HDTV的H.264主要档次视频实时去块效应滤波. 相似文献
112.
针对现代系统芯片中处理器核等数字模块和模拟模块对于不同电平电源供电的需要,提出一种基于复用技术的新型双通路电荷泵实现方案.该电荷泵能同时提供具有驱动能力的升压和降压模式电压输出,且可实现可变增益组合,以便根据检测到的输入电压自动调整增益组合以提高工作效率.开关阵列和电容的复用降低了芯片和应用电路的成本.文章给出了电荷泵的拓扑结构和用于量化分析的大信号解析公式和小信号模型.电路在TSMC的0.35μm混合信号CMOS工艺下设计完成.仿真验证和流片测试的结果表明所提出的设计目标均已实现,所获结果与解析公式的计算高度一致,证明了模型以及分析方法的正确性. 相似文献
113.
提出了一种全片内集成的低噪声CMOS低压差线性稳压器(LDO).首先建立传统LDO的噪声模型,分析了关键噪声来源并提出采用低噪声参考电压源来降低LDO输出噪声的方法.其次,提出一种带数字校正的基于阈值电压的低噪声参考电压源,用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并完成了为低相位噪声锁相环(PLL)电路供电的全片内集成低噪声LDO的流片和测试.该LDO被集成于高性能射频接收器芯片中.仿真结果表明,LDO的输出噪声低于26nV/√Hz@100kHz,14nV/√Hz@1MHz,电源抑制比达到-40dB@1MHz,全频率范围内低于-34dB.测试结果表明采用该低噪声LDO的PLL电路与采用传统LDO的PLL电路相比,其相位噪声降低6dBc@lkHz,低2dBc@200kHz. 相似文献
114.
光学邻近校正(OPC)技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方(recipe),但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的情况;不完备的配方引发或加剧了芯片上的纹波、断线和桥连等现象.论文提出了一种新的基于光刻模型的动态自适应切分算法,根据不同的光刻模型和几何环境可以给出不同的切分,并且可在校正循环中动态改变切分方式和采样点的放置位置.通过90nm工艺下版图设计的验证,这种切分不仅减少了被切分出的小线段(segment)数量的10%~15%,节省了调试切分规则的时间,而且提高了 OPC的质量,使PRV(post RET verification)错误率降低了35%. 相似文献
115.
提出了一种高效率绿色模式降压型开关电源控制器芯片的设计,特点是采用PWM/Burst多模式控制策略提高全负载条件下的电源转换效率.由于降低了低负载和待机条件下的电源功耗,可减小由电池供电的现代便携式设备的静态功耗,延长设备的待机时间和电池的寿命.芯片还实现了模式转换过程中的平滑过渡以及过冲电压的抑制.此外,还引入一种高精度、高效率的片上电流榆测技术,进一步降低了功耗.该芯片在1.5μm BcD(bipolar-cMOS-DMOS)工艺下设计和制造,测试结果表明芯片已达到预期的性能要求. 相似文献
116.
117.
一种有效的两端线网布线方法 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了一种基于计算几何学的面向两端线网的布线算法.对于给定的布线平面,该算法首先根据障碍情况构造了包含最短路径信息的强连接图,然后引入绕障碍长度作为参数,以决定搜索走向,算法保证能找到最短布线路径,并使其时空复杂度得到了极大的改善. 相似文献
118.
119.
针对动态可重构处理器的配置信息加载延时,提出了一种基于神经网络的可扩展的重构指令预取机制.增加感受器的历史指令信息,并结合感受器权重构建新型的感受器模型,通过权重与历史指令信息的协同训练学习重构指令调用规律.在处理器运行过程中,提前完成对后续重构指令的预测及配置信息的预取,隐藏指令重构成本.进一步提出了本方法的可扩展实现框架,神经网络的学习结果作为重构指令的关联信息,被移至内存并分布式存储.在重构指令预取时,完成对神经网络学习信息的加载.实验结果表明,该方法对重构指令的预测准确率达91%,综合性能平均提升40%. 相似文献
120.
随着光刻系统被驱动用来生产65nm以下的器件时,反向光刻技术(ILT)的应用前景变得越来越广阔。不过,采用反向光刻技术得到的版图通常很难制造,限制了反向光刻技术的使用领域。在这篇文章里提出了一个新的复杂度惩罚项,文章里面称为全局小波惩罚项。通过在版图上进行了四个独特的小波变换,之后选择了一个版图高频成分含量最高的方向作为优化的小波变换方向,全局小波惩罚项对于版图的高频分量能进行更加深入的分析。在这之后,文章中提出了一个新的基于梯度法的反向光刻算法,新算法里面通过将全局小波惩罚项作为它的第一阶段复杂度惩罚项,能更好的降低版图复杂度。实验证明,基于90nm的光学条件和三个典型的65nm的flash阵列版图,相比于采用文章中称为局部小波惩罚项作为复杂度惩罚项的梯度算法,新算法得到的三个版图结果,总的顶点数目分别下降了12.89%,12.63%和12.64%,与此同时精确度保持在同一个水平上。 相似文献