基于单片机控制的水上清洁机器人液压系统的开发

设计了一种水上清洁机器人,在对其结构和工作原理介绍的基础上,对其液压系统进行了开发,并采用单片机技术实现了该液压系统的自动控制,结果表明,单片机技术应用于水上清洁机器人上能极大地提高其自动化和智能化程度,从而减轻了工人的劳动强度.     

含重质油污泥非均相氧化降解特性及其强化机制

含油污泥广泛产生于石油开采、炼制与使用过程中。对含油污泥进行资源化与无害化低碳处理一直是行业的难题。以传统水洗处理后的含重质油污泥残渣为例,本文系统研究了采用过一硫酸盐-高铁酸盐-FeS（PFI）氧化体系对其进行氧化降解的规律及过程强化机制。结果表明PFI氧化体系能够对含重质油组分（胶质、沥青质等）的油泥残渣进行降解,将大分子物质转化为小分子有机物。然而,由于油泥固相颗粒多孔孔道吸附等原因,会有一部分的重质组分残留于孔道内,难以降解去除。此外,油泥经PFI氧化后,所得固体表面会覆盖一层二次产物氧化铁薄层,阻碍氧化剂分子进一步与石油分子的接触,从而降低氧化效果甚至终止氧化过程。采用表面酸性调控方法可以大幅度溶解氧化铁薄层,增加氧化剂与有机物的接触机会,从而强化残留重质油有机物降解率。     

一种新型球头立铣刀前刀面成型方法的研究

在分析现有球头立铣刀刃磨方法的基础上,提出了一种新的球头立铣刀前刀面刃磨方法。本文建立了该方法的数学模型,给出了前刀面方程,对球刃主切削刃的法前角分布、主切削刃的刃形进行了研究。     

机械式随钻震击器卡瓦工作过程仿真分析

针对某机械式随钻震击器的卡瓦在工作过程中断裂的问题,应用三维建模软件UG对卡瓦及其相邻工作零件进行建模,并应用Nastran仿真模块进行工作过程中非线性接触等效应力分析。结果表明:卡瓦的应力集中区域位于卡瓦与定位套接触端第1圈内齿齿根处,与卡瓦零件的断裂点一致,为卡瓦的改进设计提供了依据。     

利用ZrO2固体电解质研究Na3AlF6-SiO2熔盐中的电沉积

利用Y₂O₃稳定的Zr O₂固体电解质(YSZ)管集成构建Pt,O₂(air)|YSZ作为参比、辅助电极的三电极新型电化学池,在完全无碳和1323 K条件下采用Ir丝作工作电极对Na₃Al F₆-5%Si O₂(质量分数)熔盐体系进行循环伏安(CV)及恒电位电解测试,并结合热力学理论计算、SEM观察及EDS分析,研究了熔盐中有关金属在阴极上的析出电位及电沉积规律。结果表明,Si单质在Ir电极上可一步沉积得到,其在CV曲线上的峰电位在-1.65 V,而Al、Na (Zr)等合金化沉积电位负于-1.8 V,且沉积电位依次负向增大。在-1.8 V或-2.0 V电位下电解,还发现有Zr₅Si₄金属化合物颗粒生成,其生成电位在-1.7～-1.8 V之间。沉积的Si、Al、Na金属(合金)主要来源于Na₃Al F₆-Si O₂熔盐本身产生...     

WPS稿纸方式排版技巧

WPS中的“稿纸输出”方式是一种常用的输出方式。本文介绍一些使用中的体会和经验。在稿纸的格子里有时会出现一些粗叹号或怪字符,这是因为文章中有半角空相,如;位数是奇数的半角字符串或半角的标点符号等。WPS排版时为了使边界对齐,就在有奇数位字符串的行中自动加上了一个半角空格,实现右边界对齐。应该注意的是,设置右边界时,必须设定为奇数。如果设定成了偶数,则在每行的右边界处都会有一个半角空格,这样会出现上述问题。若是全角的字符串或标点符号,此问题不存在。有时在两个自然段之间,会出现一行空行,而原文件中并没…     

Si1-xGex/Si应变材料的生长及热稳定性研究

利用分子束外延（MBE）技术生长了Ge组份为0.1-0.46的Si1-xGex外延层。X射线衍射线测试表明，SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面，其它参数与可准确控制。通过X射线双晶衍射摆曲线方法，研究了经700℃、800℃和900℃退火后应变SiGe/Si异质结材料的热稳定性。结果表明，随着退火温度的提高，应变层垂直应变逐渐减小，并发生了应变弛豫，导致晶体质量退化；且Ge组分越小，Si1-xGex应变结构的热稳定性越好；室温下长时间存放的应变材料性能稳定。     

Ⅱ级粉煤灰在C80泵送大流动性混凝土中的试验研究

用Ⅱ级粉煤灰配制C80高强泵送大流动性混凝土,要充分调动水泥、活性掺合料及高性能外加剂的协同作用,并且要注意改善胶凝材料的颗粒级配,严格控制原材料质量。     

哈尔滨中央大街城市景观调查与分析

全面阐述中央大街概况,及中央大街景观设计方法评价与分析,景观现存主要问题和解决方法建议。     

兰宝石上异质外延硅淀积条件的选择

采用离子注入掺磷后测量了膜的霍耳迁移率,研究了不同淀积条件对膜特性的影响。表明最佳淀积温度为950℃左右。偏离此温度,迁移率就明显下降;在940—970℃生长温度下,以2μ/分的速率生长的膜比5μ/分生长的膜有更高的迁移率;H_2处理温度对迁移率没有明显的影响,但随H_2处理温度的升高,膜的本征载流子浓度迅速上升。焰熔衬底与直拉衬底相比,膜的霍耳迁移率相近,但场效应迁移率低一些。