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低温制备透明SnO2:F薄膜的光电性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
SnO2:F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文在超声喷雾热解成膜技术基础上,对沉积装置进行了改进,同时对反应液配方进行了优化,在较低温度制备出透明SnO2:F导电薄膜。用XRD、UV/Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究。结果表明,在360℃积温度下制备的SnO2:F薄膜,其方块电阻为4.7Ω,(200)面择优取向明显,薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善,透明度有所提高。 相似文献
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采用Al-Sb几何靶用直流磁控溅射方法沉积了AlSb薄膜(衬底温度为30%和200℃),然后在N_2气氛下,300~540℃,对沉积的薄膜进行退火.用X射线衍射分析了AlSb薄膜的结构,用X射线荧光光谱法测定了Al和Sb的原子比,用原子力显微镜观察了表面形貌.结果表明:几何靶可以很好地控制薄膜中Al和Sb原子的比例.制备的ALSb薄膜经过退火之后形成了面心立方结构的AlSb半导体化合物,平均晶粒大小约28rm.较高的退火温度有利于AlSb薄膜的晶粒生长. 相似文献
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ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高CdTe太阳电池的效率,ZnS/CdS单带差超晶格被创新性地提出.用射频磁控溅射法制备了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜,用SEM观察样品截面,分层清晰;测试了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图,在300~800nm波长范围内存在4个明显的透过峰.相较于CdS单层膜与ZnS单层膜,ZnS/Cds单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应十分明显,说明Zns/Cds单带差超晶格薄膜的电子能带与光子吸收方式发生了明显的变化.理论上可以提高CdTe太阳电池的效率. 相似文献
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采用真空共蒸发法在玻璃衬底上制备了Cd1-xZnxS薄膜,并用XRD、XRF以及光学透射谱对刚沉积薄膜的结构、组分和光学性质进行了表征。刚沉积的薄膜为六方结构,沿(002) 择优取向。XRF测试结果表明石英振荡法监控的薄膜组分与XRF 获得的结果非常好地吻合。由Cd0.8Zn0.2S薄膜的光学透射谱,通过Swanepoel 原理与Wemple- DiDomenico 单振子模型,推导出薄膜的光学参量,如折射率、单振子能量、色散能、吸收系数、光学能隙等。 相似文献