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研究了近空间升华(CSS)沉积CdTe多晶薄膜的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,分析了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系,优化了升温过程,在此基础上制备出了转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的串联集成太阳电池。同时结果表明:近空间升华制备TdTe多晶薄膜的物理过程主要是,Cd代升华前升温,Cd代源升华分解为Cd、Te2, Cd、Te2在衬底上化合沉积以及衬底上的CdTe反升华等过程。在正常的近空间升华过程中,CdTe的蒸汽压远小于保护气体的气压。后者对对成核的晶粒方向几乎没有影响,但它通过改变分子平均自由程来影响Cd、Te2分子的扩散,从而影响薄膜的生长速率。 相似文献
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为了提高CdTe太阳电池的背接触性能,用共蒸发法制备了ZnTe:Cu和Cd1-xZnxTe多晶薄膜。研究结果表明:Cd1-xZnxTe多晶薄膜的能隙与锌含量呈二次方关系,ZnTe:Cu多晶薄膜能隙随着掺Cu浓度的增加而减小。分别用ZnTe/ZnTe:Cu和Cd1-xZnxTe/ZnTe:Cu复合膜作为背接触层,既能修饰异质结界面,改善电池的能带结构,又能防止Cu原子向电池内部扩散。因此获得了面积0.502cm^2,转换效率为13.38%的CdTe多晶薄膜太阳电池。 相似文献
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在镀上金属电极前,对CdTe表面进行化学蚀刻是制备高效率碲化镉薄膜太阳电池的关键技术之一.本实验用Br2-甲醇对热处理后的CdTe薄膜进行蚀刻,并利用XRD、AFM研究其结构、成分和形貌.结果表明:蚀刻后的CdTe薄膜获得一银灰色的光洁表面,并发现CdTe薄膜表面产生一富Te层,蚀刻厚度达到1μm获得性能最好的太阳电池.用Br2-甲醇蚀刻后的CdTe薄膜,采用ZnTe/ZdTe:Cu复合层作为背接触层的过度层,已获得了转换效率为13.38%的太阳电池. 相似文献
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采用真空共蒸发法制备了Cd1-xZnxS多晶薄膜,研究了Cd1-xZnxS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性。XRD的结果表明,0x≤0.9,Cd1-xZnxS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Ve-gard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd1-xZnxS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd1-xZnxS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd1-xZnxS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd1-xZnxS薄膜的电导激活能。 相似文献
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CdS/CdTe太阳电池是薄膜太阳电池研究工作的一个重要方向.为了提高开路电压Voc、改善电池的光谱响应,进而提高电池的转换效率,在此提出CdS/CdTe叠层太阳电池结构.文中,叠层电池的顶电池由CdS/CdTe超薄层构成;底电池由CdS/CdTe薄膜层构成.经分析测试,实验制备的CdS/CdTe叠层太阳电池具有明显的叠层结构,开路电压最高达到了852mV,短路电流密度最大为13mA/cm2,填充因子最高为55.2%,这种叠层电池的效率达到了8.16%(0.071cm2).研究表明相对于传统的单层CdS/CdTe太阳电池,CdS/CdTe叠层电池的制备对研究如何提高CdS/CdTe太阳电池的光伏性能有一定的参考价值. 相似文献
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CdTe退火是高效CdTe太阳电池制备中的关键步骤.均匀性是大面积太阳电池性能的决定性因素之一.对比研究了用CdCl2溶液渗透、CdCl2源蒸发、超声雾化CdCl2退火方式处理后电池的均匀性.比较了电池光Ⅳ曲线中的开路电压、短路电流密度、填充因子、效率的相对标准差以及效率位置分布图,得出溶液渗透方法得到的35个电池电池效率的相对标准差为0.00935、CdCl2源蒸发退火及超声雾化CdCl2退火的分别为0.0707和0.0643.结果表明,CdCl2溶液渗透退火比其他两种方式处理后电池的均匀性好. 相似文献
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