ZnO薄膜对于CdTe太阳电池的影响*

通过直流磁控溅射法在ITO薄膜上沉积的ZnO薄膜可以作为CdTe太阳电池的高阻层。通过XRD,可见-红外可见光谱仪和四探针法分析了制备薄膜的结构,光学和电学性质。通过紫外光电子能谱和X射线光电子能谱深度刻蚀法分析了ITO/ZnO和ZnO/CdS薄膜的界面性质。结果表明：ZnO 作为高阻层有良好的光学和电学性质。ZnO 薄膜降低了ITO和CdS之间的势垒。 制备出来电池有ZnO（没有ZnO）的能量转换效率和量子效率是12.77% (8.9%) 和 >90% (79%)。 进一步,通过AMPS-1D模拟分析了ZnO薄膜厚度对于CdTe太阳电池的影响。     

太阳电池中CdS多晶薄膜的微结构及性能

采用化学水浴法制备了CdS多晶薄膜，通过XRD，AFM，XPS和光学透过率谱等测试手段研究了CdS多晶薄膜生长过程中的结构和性能.结果表明，随着沉积的进行，薄膜更加均匀、致密，与衬底粘附力增强，其光学能隙逐渐增大，薄膜由无定形结构向六方(002)方向优化生长，同时出现了Cd(OH)2相.在此基础上，通过建立薄膜的生长机制与性能的联系，沉积出优质CdS多晶薄膜，获得了转化效率为13.38%的CdS/CdTe小面积电池.     

太阳电池中CdS多晶薄膜的微结构及性能

采用化学水浴法制备了CdS多晶薄膜,通过XRD,AFM,XPS和光学透过率谱等测试手段研究了CdS多晶薄膜生长过程中的结构和性能.结果表明,随着沉积的进行,薄膜更加均匀、致密,与衬底粘附力增强,其光学能隙逐渐增大,薄膜由无定形结构向六方(002)方向优化生长,同时出现了Cd(OH)2相.在此基础上,通过建立薄膜的生长机制与性能的联系,沉积出优质CdS多晶薄膜,获得了转化效率为13.38%的CdS/CdTe小面积电池.     

CdS薄膜的制备及其性能

采用化学池沉积(CBD)法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2 玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,计算出CdS薄膜的能隙宽度和电导激活能,阐述了CBD法中CdS薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响.结果表明:不同衬底的成膜效果差异较大,其中以SnO2 玻片效果最佳     

Cd1-xZnxTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用

用共蒸发法制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜结构属立方晶系空间群F43m.通过透射光谱的测量,计算光能隙,得到室温时薄膜的光能隙随组分x值的变化满足二次方关系.作为对异质结界面的修饰,提出了有Cd1-x-ZnxTe过渡层的CdS/CdTe/Cd1-xZnxTe/ZnTe∶Cu电池.并在相同工艺下制备了CdS/CdTe/Cd0.4Zn0.6Te/ZnTe∶Cu与CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太阳电池,发现前者比后者效率平均增加了35.0%.     

气相CdCl2退火对CdTe多晶薄膜性能的影响

利用近空间升华法在Ar O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的退火,对样品进行了厚度、XRD、SEM、透过谱,σ-T等性能测试,结果表明:退火后CdTe多晶薄膜在(111)面上仍具有择优取向,退火能使晶界钝化,增加再结晶并促进晶粒长大;但对薄膜的透过率没有影响,退火后,暗电导(σdark)增加,电导激活能(Ea)减少.得到了最优化的退火条件.     

用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜

采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用x射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接跃迁光能隙为1.62eV,电导激活能约为0.33eV.研究结果表明,AlSb薄膜有可能成为新型太阳电池的重要材料.     

Sb2Te3薄膜的性质及光伏应用

采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜。将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳电池的背接触层,在不同温度下进行了快速退火处理,获得了效率为12.34%(Voc=805.9mV,Jsc=25.1mA/cm2,FF=0.61)的小面积太阳电池。     

多晶CdS/CdTe异质结界面的能带偏移

采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe,并对其结构和光学性质进行了研究.原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS/CdTe异质结,研究了其结构、电子学性质.获得的CdS/CdTe半导体异质结的价带偏移△Ev=0.98eV±0.05eV,导带偏移△Ec=0.07士0.1eV.     

近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能

在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能.结果表明:多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势,源表面有CdO粉末的存在,经H2在一定条件的高温还原,可以去除表面的氧化物,为源的重复使用奠定基础.