2-羟基-4-氯-1-苯氧基-9,10-蒽醌的合成及其光致变色性研究

报道了2-羟基-4-氯-1-苯氧基-9,10-蒽醌的合成,并通过元素分析、核磁共振谱、质谱和红外光谱确定了结构.通过紫外-可见光谱探讨了其光致变色性以及取代基对蒽醌类化合物光致变色性的影响.     

荧光衬底可望用于生产无磷光体LED

由于GaN衬底缺乏，难以生产高质量GaN外延材料。解决这一问题的较好办法之一是使用ZnO衬底，这是因为：ZnO衬底与外延层之间有较好的晶格匹配而且它可设计出新的器件结构。ZnO与GaN、InGaN有相同的六角晶体结构，其结晶学空间群同为“P63mc”。GaN与ZnO之间的晶格失配为2．2％，而ZnO与InGaN（In组份18％时）之间是完全匹配的。     

日本合成出一种新的n型金刚石半导体

日本国家先进工业和技术研究院（AIST）于2005年5月在世界上首次（采用气相沉积法）合成出（001）n型金刚石半导体，这对（扩展）电子器件应用有重大意义。利用含n型金刚石的pn结所制紫外发光二极管（在试验偏压下）成功地发射波长为235nm的紫外光，这对金刚石半导体的实际应用是一大突破。     

2005年LED国际会议概况

2005年LED国际会议于10月份在加州圣迭哥召开。 高亮度LED（HBLED）需求继续增长，但2004～2005年间销售额增速下降到～10％。虽然首次达到50亿美元，而前些年的增速为25％～50％；销售额增速下降一方面是由于市场基数大，另一方面是售价下降。     

氮化铝纳米线的合成与表征

在氮气和氨气气氛(P_N2∶P_NH3=1∶1，总压强为8×10⁴Pa,电压为20～28 V,电流为60～62 A的条件下，采用直流电弧等离子体法成功地制备出直径为20～200 nm、长度达到20 μm的AlN纳米线.利用x-射线衍射仪、扫描电镜、高分辨透射电镜和x-射线能谱仪等仪器对AlN纳米线形貌及结构进行观测与分析.AlN纳米线为六方晶态，属钎锌矿结构，并对AlN纳米线生长机理进行了研究.     

基于GSM GPS短消息的车载移动终端的设计与实现

为了解决对城市车辆进行实时监督和统一管理的问题,基于GPS全球定位系统和GSM数字蜂窝网,以性价比较高的AVR微控制器开发设计了GPS车载移动终端设备.终端通过GPS获取当前位置和时间信息,并以短消息的形式通过GSM网络发往监控中心,在中心的电子地图上实时地显示出来.同时监控中心的控制指令,如跟踪监听,遥控设置等,通过GSM网络发往车辆上的终端设备,从而实现了系统的交互运作.终端功耗低,体积小,操作简单,便于在系统升级和维护.     

潜艇深度变化后的声纳跟踪条件

从理论上分析了正在跟踪目标的潜艇在其深度变化后，影响声纳继续跟踪该目标的主要因素，从跟踪条件下的声纳方程中，分析深度的变化引起声传播损失和干扰噪声的变化，给出了声传播损失和十扰噪声的计算方法，得出了潜艇变深后保证声纳得以继续跟踪目标的本艇航速及其预报方法和计算实例。     

冷连轧机过程控制在线负荷分配方法

介绍了一种在线使用的冷连轧机负荷分配方法:通过查询数据库得到初始的负荷分配模式和负荷分配比,利用该负荷分配模式建立单目标负荷目标函数;采用简化的Newton Raphson法迭代求解非线性方程组,得到负荷分配的初始结果;根据第5机架轧制带钢长度对负荷分配结果进行修正,以克服轧制过程中带钢打滑现象;对负荷分配结果进行极限值的检查修正并最终确定负荷分配结果。该负荷分配方法用于在线,有较好的使用效果。     

InGaZnO透明半导体

东京理工大学的研究人员用铟．镓．氧化锌混合物制成一种透明半导体材料，该材料是在塑料衬底上沉积的，用这种透明半导体制成晶体管，其性能可望比塑料晶体管高三个数量级。这种材料易于制造、潜在的低成本并适合于制造大面积电子器件，如大的显示装置，它可在室温下，于塑料片上以非常薄的涂层应用。其制造过程也是环境友好的。这种半导体有柔性、抗撞击因而可用于“柔性”显示(板)、电子纸和可卷曲的计算机。     

AlON纳米线制备研究

采用直流电弧等离子体法成功制取了A1ON纳米线，其主要成分为A13O3(A1N：Al2O3＝1：1)．在A1ON纳米线中，最长的达到5．5μm，直径最小的达到25nm，长径比为150．实验表明，A1ON纳米线是尖晶石结构．