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研究了无限大基体内纳米尺度圆孔表面薄膜中界面螺型位错形核的临界条件,薄膜考虑了表/界面效应。运用弹性复势方法,获得了两个区域应力场的解析解答,并导出位错形核能公式,由此讨论了表/界面效应对薄膜界面位错形核的影响规律。算例结果表明,表/界面效应在纳米尺度下对位错形核的影响显著,不同表/界面效应下位错形核的临界薄膜厚度有很大差异,当基体与薄膜的相对剪切模量超过某一值后,只有考虑负的表/界面应力时位错才有可能形核;薄膜厚度在小于某一临界尺寸时负的表/界面应力更容易位错形核,薄膜厚度大于某一临界尺寸时正的表/界面应力更容易位错形核。 相似文献
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研究了在无穷远反平面剪切和面内电场的共同作用下一个压电螺型位错与含裂纹非理想圆形界面夹杂的电弹耦合干涉作用;运用复变函数方法,获得了该问题的封闭形式解,给出了基体和夹杂区域的广义应力场和位移场;利用Peach-Koehler公式,计算了作用在位错上像力的解析表达式;讨论了裂纹的几何尺寸、非理想界面、以及材料常数对位错力(像力)的影响规律.研究表明:裂纹和界面非理想性对位错力以及位错平衡位置的扰动效应较大. 相似文献
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运用求解复杂多连通域问题的复变函数方法,获得了压电螺型位错与含界面裂纹椭圆夹杂的干涉问题,复势函数的精确级数形式解。利用广义Peach-Koehler公式导出作用于螺型位错的位错力公式。分析结果表明,当裂纹的曲率或长度达到临界值,界面裂纹的存在会改变压电螺型位错与椭圆夹杂的干涉性质。 相似文献
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A theoretical model was suggested which describes the generation of the misfit dislocation dipole in the system of the viscoelastic matrix containing a circular stiff nanoscale inhomogeneity.The critical condition of misfit dislocation dipole and the solution of equilibrium position were given.The influence of the ratio of shear modulus,the misfit strain and viscosity on the equilibrium of the dislocation and critical parameter of inhomogeneity was investigated.The result shows that the equilibrium position... 相似文献
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电磁材料中广义螺型位错与圆形界面刚性线夹杂的干涉效应 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了广义螺型位错和圆形界面刚性导体线夹杂的磁电弹耦合干涉效应.采用Riemann-Schwarz对称原理并结合复势函数奇性主部分析,得到该问题的一般解答.当界面只含一条刚性线时,获得了封闭形式解.运用扰动技术,求解了位错点的扰动应力、电位移和磁感应强度场.由推广的Peach-Koehler公式求出了作用在位错上的位错力,讨论了圆弧形刚性线几何条件和材料失配对位错力的影响规律.解答不但可作为格林函数获得任意分布位错的相应解答,而且可以用于研究无穷远纵向剪切和面内电磁场作用下界面刚性线夹杂和任意形状裂纹的磁电弹耦合干涉效应问题. 相似文献
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