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基于带隙基准原理,通过优化电路结构和采用BiCMOS技术,提出一种精度高、噪声小的带隙基准源电路。利用具有高开环增益的折叠式共源共栅放大器,提高了低频电压抑制比;应用低跨导PMOS对管及电路输出端低通滤波器,实现了更低的噪声输出;合理的版图设计减小了失调电压带来的影响。Hspice仿真结果表明,在3V电源电压下,输出基准电压为1.2182mV,温度系数为1.257×10-5/℃;频率从103~105 Hz变化时,输出噪声最大值的变化量小于5μV。流片测试结果表明,该基准源输出基准电压的电源抑制比高,温度系数小,噪声与功耗低。 相似文献
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磷注入4H-SiC(0001)的欧姆接触特性 总被引:1,自引:1,他引:0
摘要: 研究了不同剂量的磷注入4H–SiC层经高温退火处理后的电学特性。通过在1650 ?C 退火30分钟激活了注入的磷离子。TLM及Hall法测试的结果表明,尽管随着磷注入浓度的增加而产生的位错环使得Ni/SiC界面处势垒增高,仍形成了良好的镍欧姆接触,表面接触电阻率为1.30?10-6Ω.cm2。磷注入层电阻率随着磷掺杂浓度的升高而减小。通过对不同注入剂量下电子浓度随温度的变化曲线进行测试,结果表明在200–500K的温度范围内,磷注入层的电子浓度与温度基本无关。 相似文献
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The physical effects of the carrier distribution in the channel on the dynamical performance of a static induction thyristor (SITH) have been studied numerically and experimentally. The analytical expressions of the minority carrier distribution in the channel of the SITH were also derived and the space charge distribution control- ling mechanism on the current of the SITH under high level injection have been analyzed deeply. The relationships among the minority carrier distribution, potential distribution, I-V characteristics and transient performances of the SITH are revealed. 相似文献
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本文笔者结合自己多年的教学经验,从师生关系、评价方式、学生自主能力的培养这几方面讨论了新课改下小学语文教学的方式。 相似文献
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对原风机振动监测系统的不足进行了分析,阐述了在3500系统基础上实现风机振动保护的改进方案,给风机安全运行提供了可靠性保障。 相似文献
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