H.264编码器中1/4像素精度插值算法的VLSI实现

H.264视频编码标准中引入了1/4像素精度插值算法,大大提高了压缩效率,但同时使运算复杂度增加、存储带宽增大。针对以上问题,从运动估计的角度出发,采用一步插值法和数据复用技术,可使带宽减少26%,处理周期可减少45%;设计了相应的硬件结构:采用了5级流水线实现一步插值算法,通过输入缓冲单元实现了参考数据的复用;针对插值过程中产生的大量数据,采用乒乓操作结构,保证数据及时传递。该结构可以显著降低带宽,提高吞吐率,完全可以应用于实时编码器中。     

DRM广播外辐射源雷达模拟信号源设计

DRM数字调幅广播在全球获得蓬勃发展,但目前可收听时段较为有限.为开展DRM新体制外辐射源雷达预研的需要,给出了一种DRM外辐射源雷达模拟信号源的软硬件实现方法.基于DRM信号结构分析了基带信号的产生和接收信号的数学模型;介绍了硬件平台结构、实现方法和工作流程,并通过双通道合成输出,成功模拟了直达波与目标回波信号;通过后续信号处理准确地提取了目标信号的时延多普勒信息.试验结果表明,模拟信号源能够满足外辐射源雷达的预研需求,为基于实测数据的目标提取等算法奠定了基础.     

加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体

根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W.     

C波段10 MeV驻波电子直线加速管的优化仿真

为提高加速器整机小型化程度,本文对已有C波段10 MeV加速管进行了模拟优化设计。通过光速段腔体腔型优化设计提高单腔有效分流阻抗,实现加速效率提升,使腔链总长缩短;通过优化聚束段使腔链整体性能满足设计要求。优化后加速管腔链总长由原来的652降至492 mm,并且能量、剂量率、脉宽等参数满足设计要求,后续将对优化后的加速管进行工艺和热测验证。     

拱形整体刚性支架矩阵分析

煤矿的主要运输巷道和峒室多用整体刚性支架支护,支架与围岩形成一个结构体系而共同承受原岩应力作用。此外,巷道支架是在主动压力和被动压力同时作用下进行工作的,这种理论已应用于地下衬砌结构的设计计算。在电子计算机技术发展的今天,使用矩阵力法和矩阵位移法进行支架结构分析已很广泛。笔者根据矩阵方法分析地下结构的运算公式用BASIC语言编写了巷道支架矩阵力法分析源程序,该程序曾在BC3-80机通过并对半圆拱形整体刚性支架进行了内力分析,现简介如下。     

关于气缸的安全性

目前,在气缸操作动作安全问题上,提出了更高的要求。气缸在中间停止状态下,或者供给压力降低的场合,气压有变化,气缸就产生意外的动作,发生意外事故。而且气缸由无压力状态下转入工作压力状态时,会产生突然的高速运动,对人和机器将产生不利影响。为了防止这样的危险发生,保证系统的安全性,1980年制定了JIB8370“气压传动系统设计准则”,本文就确保气缸安全的系统和部件详细论述。 1.双向锁紧阀这种阀能够使气缸在行程中间停留,长期     

脉冲预电离高频放电板条CO2激光器

本文提出了一种脉冲预电离的高频放电扩散冷却板条CO2 激光器 ,实现了非常均匀的大面积矩形截面放电并获得了激光输出     

外辐射源雷达滑窗扩展相消算法并行实现

杂波抑制是外辐射源雷达信号处理中的关键技术之一。ECA-S算法突破了ECA-B算法在实际数据处理中对分段数的限制,通过给每段分段信号增添滑窗,在增加分段数的同时保证了足够的积累时间,具有更好的滤波效果,但这一改进效果是以增大空间和时间复杂度为代价而得到。结合图形处理器(GPU)数据吞吐量大、并行处理简单、适宜解决计算密集型问题的特点,提出一种适用于GPU处理的ECAS时域杂波抑制并行实现方法。实测数据验证了该算法的有效性,并满足实时处理的需求。     

利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器

为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻p型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射Al电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10–9F/mm2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。