PNN测井监测气液界面在马北一号注气油藏中的应用

马北一号油田为底水油藏,注水开发效果较差。为提高采收率,采用顶部注烃气重力驱技术理念,在油田首次开展了2个井组注气实验。及时掌握注气后气液界面移动情况,对于优化射孔生产方案具有较强的指导意义。PNN测井在套管井中监测地层气液界面具有较强的优势,主要通过长短源距探头计数率叠合,在气层出现较明显的离差进行判断和分析。在马北一号油田开展时间推移PNN测井26井次,及时掌握了试验井组气液界面运移情况和受效方向,为进一步优化生产方案提供了科学依据。     

涪陵中深层页岩气水平井快速地质导向方法

针对涪陵页岩气田平桥、江东区块中深层页岩气层埋深增加、地层产状变陡、断裂发育、部分标志层缺失等地质难点,建立了适合工区的地质导向工作流程和精细地层对比,靶点确定、水平段轨迹控制方法,引入了近钻头随钻伽马测量等工具,并借助SGA-850页岩气水平井地质导向工具软件快速成图实现涪陵中深层复杂构造条件下的页岩气水平井快速地质导向,在涪陵页岩气田14口井应用试验表明地质导向效果良好。     

基于差分进化算法的线性自抗扰控制参数优化

利用差分进化算法自动优化线性自抗扰控制器的两个参数ω0和ωc.首先,研究了二阶线性自抗扰控制的设计,然后,分析了差分进化算法的程序流程图和参数选择方法.仿真实验表明,对于存在大幅值非线性总扰动量的二阶系统,在参数b准确和不准确两种情况下,该差分进化算法均能取得两个参数全局的最优解,适应度函数值快速达到对应的最小值,从而...     

应用膨胀算法提取目标的直接定位算法

为了解决被动雷达系统中的多发射源定位问题，提出了一种基于多重信号分类(MUSIC)算法和图像膨胀(IE)算法的直接定位方法。该方法结合了谱分析中的MUSIC思想，通过对接收量测协方差矩阵进行特征分析求解目标的位置。首先，在目标个数未知的前提下，利用Akaike信息准则(AIC)来确定模型阶数；然后，推导了基于MUSIC的定位代价函数；之后，利用图像膨胀算法处理得到的代价函数平面；最后，膨胀处理后的输出为目标个数及目标位置的估计值。提出的算法有效地解决了目标检测及提取的问题，能够确定多个目标的位置坐标，为后续的定位性能分析提供可能性，也保证了算法的完整性。进一步地分析了多个临近目标情况下影响目标提取性能的主要因素。     

一种基于混沌的真随机源电路

提出了一种基于混沌的随机源电路,通过利用电容上电荷的再分配,实现了一个离散混沌系统.该电路在0 .8μm CMOS工艺下流片成功,核心面积小于4 2 0 0 μm2 ,功耗小于1m W,优于目前已有的几种实现方法.     

漆包线去漆皮的工艺试验和应用

<正> 变压器、变流器是继电器及其它电器产品的一个重要部件,而漆包线又是变压器,变流器的主要组成部分。生产中,漆包线去漆皮工序我们过去曾采用人工刮削和烧漆工艺,存在着工作量繁重、并且极难完全去除和易氧化等问题,影响了生产进度和产品质量,给我们提出了需要改进去漆工艺的要求。     

基于粗糙集的属性约简算法综述

属性约简是粗糙集中的一个重要研究方向.本文从8个方面对基于粗糙集的属性约简算法进行归纳,即:不完备决策信息表,不相容决策信息表,连续型属性决策信息表,动态决策信息表,有序型属性决策信息表,基于粗糙扩展模型的属性约简,基于属性重要度的属性约简,结合智能优化算法的属性约简,这对进一步深入研究粗糙集的属性约简算法具有积极意义.     

应用于无线传感网络的低功耗10bit 300Ksps多通道逐次逼近型模数转换器的设计

本文给出了一款可应用于无线传感网络的低功耗10bit 300Ksps的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的设计。采用了单端结构低功耗的拆分式电容阵列DAC和具有轨到轨输入级的比较器来实现本文中的ADC,可以减小功耗同时扩展满量程输入范围。为了实现功耗优化,采用2V的低电源电源供电。设计的ADC还具有4个模拟信号通道,使其更适用于无线传感网络的应用。电路样片采用3.3V 0.35μm 2P4M CMOS工艺实现,占用了1.23mm2的芯片面积,测试结果表明在2V供电166Ksps的采样速率下,ADC的功耗只有200uW,计算得到的信噪比为58.25dB,有效位数为9.38bit,品质因子FOM为4.9pJ/conversion-step。     

基于AES加密算法的1.25Gb/sEPON下行加密研究

介绍了AES-128算法的加、解密原理,从明文和密钥角度分析了AES加密算法的雪崩效应,提出了增量式密钥更新方法,通过在新旧密钥加密的密文之间插入密钥更新符,引导接收端无缝切换密钥。重点研究AES-128加密算法在1.25Gb/s EPON中的应用,通过FPGA和SFP光收发模块搭建实验平台,实现EPON物理层下行数据的加密、解密和密钥更新功能,保证了EPON下行通道数据的安全性。     

受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响

少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段.基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律.研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域.