环境扫描电镜对亲水高分子材料的原位观察

20世纪80年代发展起来的环境扫描电镜（environmental seanning eleclron microseope,ESEM）,可直接观察各类非导电材料，而不必对样品表面进行喷镀导电膜，ESEM更为重要的特点是可实现对含水、含油、放气等类样品的原位和动态观察，获得样品自然状态下的真实微观特征，或反应过程中的变化。     

非导电样品荷电效应的吸收电流评价方法

在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流Iα,评价非导电样品的荷电效应。对于非导电样品,Iα的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映。此外,Iα还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)的效果。     

基于EBSD技术对NiW合金复合基带表面微取向的分析

采用EBSD技术对大冷轧变形量、再结晶退火后的Ni-W复合基带的表面织构进行了表征，对其晶粒取向信息、晶界特征等信息进行采集和分析。该基带经过冷轧和再结晶退火后，无需抛光，即可获得具有花样质量较高的Ni基复合基带表面的EBSD图像。经Orientation Imaging Microscopy^TM（OIM）4．6软件分析，结果表明该Ni基复合基带表面10°以内立方织构晶粒百分含量为97．9％。     

冷轧铝板微织构演变的原位加热电子背散射衍射分析

采用原位加热电子背散射衍射(EBSD)技术,对冷轧铝板在回复和再结晶转变过程中的微织构演变规律进行了动态研究。轧制态铝板以铜型织构{112}〈111〉为主。再结晶转变后,以立方织构{001}〈100〉和R织构{124}〈211〉为主。在回复和再结晶过程中,{001}〈100〉晶粒和{124}〈211〉晶粒优先在形变带边缘形成和长大。晶粒长大通过晶界迁移并吞噬周围晶粒而得以发展。本研究对于理解轧制铝板的再结晶过程和机制,并有效控制轧制铝板的织构具有重要的参考价值。     

氧环境扫描电镜对氧化物的荷电补偿

在(5×10^-3)~(2×10^-2) Pa的氧环境扫描电镜(SEM)中观察到由入射电子束辐照引起的Al₂O₃、SiO_2等氧化物荷电现象得以减轻。氧化物受激氧解吸,使样品表面的氧空位成为荷电势阱而产生荷电。通过氧气氛中提供的氧离子对表面缺陷的修复作用,使氧化物的荷电现象得到补偿。氧环境扫描电子显微分析方法是针对氧化物类绝缘材料荷电的一种简便的、自动调节的荷电补偿方法。Al₂O₃的俄歇电子能谱证明,在6×10^-6Pa的氧压下可以完全消除Al₂O₃的表面荷电。     

半导体器件金属化热电徙动的温度测试

在金属化布线电徙动试验中,采用金属薄膜电阻测温法精确测量了样品的局部温度,在环境温度为150℃,电流密度为3×10⁶A／cm²和5×10⁶A／cm²时,金属薄膜温度分别高于环境温度32.5℃和100℃;提出了扩散电阻测温法,在电徙动试验中精确测量并适时监控样品局部温度,从而实现了电流密度指数因子动态测试.