附着基底薄膜材料的原位电镜拉伸实验方法

薄膜材料通常附着于基底,其在耐磨抗蚀涂层、微纳机电系统、微纳电子元器件等方面有重要应用。这些材料在不同的服役条件下会处于不同的应力状态,如压缩和拉伸等。因此,对薄膜材料的压缩、拉伸性能的评估非常重要。由于通常情况下薄膜材料与基底的结合力较强,难以将其从基底上剥离从而转移至微纳力学平台上进行测试,因此先前的研究主要集中于附着基底薄膜材料的压缩性能。为了弥补先前报道对于此种材料拉伸实验方法介绍的不足,本文以纳米结构铝合金薄膜为例介绍了原位扫描电子显微与原位透射电子显微拉伸试样的加工流程、实验平台的设置方法及实验结果的简要演示。此方法实施简便,为测试附着基底薄膜材料拉伸性能的通用技术。该技术的发展有望为高强高延性薄膜材料的开发和应用提供有力的实验测试手段支持。     

非制冷红外焦平面阵列CMOS读出电路设计

文中提出一种新的非制冷红外焦平面阵列系统结构,详细阐述该系统选通和读出电路的工作原理.该系统集成度高,选通和读出电路积分时间长、功耗小、面积小、精度高,能兼容64×64、160×128、320×256等多种焦平面阵列.最后给出选通和读出电路的控制时序仿真结果.     

一种大电流高输出阻抗电流镜的设计

设计一种增强型的共源共栅电流镜。通过放大器的负反馈,这里设计的电流镜在不增大基本电流镜输入阻抗的基础上,具有比传统电流镜更高的输出阻抗和更高的电流匹配精度,同时该电流镜也有高于传统共源共栅电流镜的输出电压摆幅。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺,在3.3 V电源电压,输入电流为10 mA时,该电流镜的输出阻抗达到200 MΩ以上,输出电压摆幅为0.2~5 V,电流匹配精度误差小于0.016%,电流一致性误差小于0.5%。     

基于动态元件匹配的CMOS集成温度传感器设计

利用CMOS工艺下衬底型双极晶体管的温度特性,设计了一种精度较高的温度传感器.动态元件匹配的应用很好地解决了由于集成电路工艺误差引起的不匹配对温度传感器性能的影响.采用CSMC 0.5μm混合信号工艺仿真,结果显示,该温度传感器精度是0.15℃,线性度是0.15%.多个芯片实测结果表明:温度传感器精度小于0.6℃,线性度小于0.68%,功耗为587μW,芯片面积为225μm×95μm,输出为模拟电压信号,便于采集,为后端处理和应用提供方便.     

微测辐射热计的等效模型

微测辐射热计是一种应用前景广阔的非致冷型红外焦平面器件.这里用热平衡理论和噪声理论详细分析了微测辐射热计探测单元的热学、电学和噪声特性.建立了较为全面的微测辐射热计探测单元Spice模型,并对该模型进行了热学行为和噪声特性的仿真,由仿真结果对探测单元的工作方式和特性建立了具体、直观的认识,为下一步的设计工作打下了坚实的基础.     

基于公里格网数据的江西省地震灾情评估系统建设——以九江瑞昌地震为例

通过收集整理江西省地震应急基础数据库和江西省人口经济公里格网数据,设计建设基于公里格网数据的地震灾情评估系统.并以2005年11月九江-瑞昌5.7级地震为例进行模拟计算和对比,模拟评估结果证明基于公里格网数据的地震灾情评估更接近实际调查结果.     

一种具有片上补偿功能的红外读出电路

针对非制冷红外探测器系统,提出了一种恒流偏置的红外读出电路（ROIC）,该电路具有衬底温度补偿功能,且可实现片上偏移非均匀性补偿。基于微测辐射热计等效电阻受目标温度、衬底温度等影响的等效模型,每个读出通道采用两个盲电阻以消除衬底温度的影响,同时使用DAC逐点调节参考电压,以完成片上偏移非均匀性补偿。该ROIC 应用到阵列大小为320×240的非制冷微测辐射热计焦平面上,已在CSMC 05MIXDDST02的0.5?m CMOS标准工艺下成功流试验片。电路测试结果表明：对于常温目标,当衬底温度变化60 K时,输出电压变化小于500 mV;经偏移非均匀性补偿后,阵列的固定图像噪声为11.8 mV。该ROIC适用于应用于复杂温度环境的高均匀性非制冷红外探测器。     

一种高精度曲率补偿带隙基准电压电路

设计一种采用电流模式和Buck’s电压转移单元对VBE进行高阶补偿的带隙基准电压源。电路采用CSMC0．5μm DPTM CMOS工艺制造。温度在-40～125℃之间变化时,基准电压源的温度系数为3．15ppm／℃,在3．5～5．0V之间的电压调整率为0．35mV／V。     

一种低电压低温漂的基准电流源

设计一种低电压低温漂的基准电流源.首先通过带隙基准电路得到一个基准电压VREF,对输出管进行温度补偿.电压VREF接到一个NMOS输出管的栅极上,调节VREF使得这个输出管工作在零温漂区.这时输出管的阈值电压和迁移率随温度的变化率相互补偿,从而产生一个与温度无关的基准电流IREF.电路采用CSMC 0.5 μm DPTM CMOS工艺制造.通过流片验证,该电路输出管的零温漂点为(IZTC=215.4μA,VZTC=1.244 4 V),在-45～+125℃的范围内温度系数为8.1 ppm/℃,在2 V的电源电压下整个电路的功耗仅为0.45 mw.     

高层建筑结构设计及计算要点探讨

本文针对高层建筑结构设计的设计要点及工作步骤,结构体系选型与布置,水平荷载作用下,结构构件的受力性能,计算要点及构造措施作一些探讨。