准速度匹配相位调制器钽酸锂晶体的室温电场极化技术

利用准速度匹配技术可以实现大调制度的电光相位调制器,从而可以用来展宽激光频谱,它在光谱学、激光变频以及改善激光均匀性等方面有重要应用。当大功率激光通过调制器时,要求晶体的通光面积越大越好,所以大面积并且具有较大厚度的铁电晶体的室温极化技术成为准速度匹配实现的关键技术。详细研究了大面积并且厚度达到1 mm的钽酸锂晶体的电场室温极化过程,针对在极化过程中外部施加高电压时产生的回流现象,采用了改变极化时间来抑制,取得了较好的效果。利用热释电和化学腐蚀方法,成功地实现了钽酸锂晶体的大面积畴反转。该种技术同样可以用于其他大面积铁电晶体的极化。     

Petri网和冗余纠错技术结合的配网故障区段定位新方法

由于配电系统拓扑结构的复杂性和多变性、故障过程动态离散事件描述的特殊性，使得Petri网原理在故障区段定位(FSL)中的应用研究受到限制。文中提出了Petri网与冗余纠错技术结合的配电系统FSL的新方法：依据SCADA系统所汇集FTU的信息分析，通过两次冗余纠错技术消除信息畸变对FSL的影响；在自适应获取故障拓扑结构的基础上，将配电系统的FSL问题转换为对锁定单-FTU的Petri网求解。该法具有强的通用性、简易性、快速性和准确性；可有效提高FSL的容错性能，具有高的实用价值。     

输电线路分布电容对快速母线差动保护的影响

分析了高压长距离输电线路的分布电容在短路暂态过程中对快速母线差动保护动作特性的影响.指出分布电容在短路暂态过程中引起的振荡高频分量,可以导致快速母差保护拒动,其影响在保护设计时应引起重视.RCS-915型母差保护装置的保护方案考虑了线路分布电容的影响.     

基于电流分布系数的母差保护非故障相饱和判别

当发生母线区外故障时,由于故障支路非故障相饱和所产生的突变电流可能导致母差保护误动。根据非故障相突变电流的产生机理及特点,本文提出一种通过电流分布系数识别故障支路非故障饱和的方法。本文对该方法进行了详细介绍,分析了该方法的适应性,并介绍了动模实验结果。该方法不需要引入故障相电流制动因子,所以在快速识别非故障相饱和的同时不会降低母差保护的灵敏性及速动性,发生转换性故障时母差保护依然可以快速动作。     

空间近邻影响下建筑工人不安全行为传播仿真

建筑行业是一个高危行业,其频发的安全事故与工人不安全行为的广泛传播有较大关联.为探究建筑工人不安全行为传播规律,本文分析了建筑工人在空间近邻影响下的行为学习过程,并基于有限理性经济人假设,结合从众心理特征,构建了行为学习模型,利用元胞自动机模拟不同条件下近邻空间中建筑工人不安全行为的传播扩散.仿真结果表明,扩大工人社交...     

智能变电站网络传输可靠性评价方法

目前,智能变电站过程层网络化进程在不断推进,但智能站过程层网络传输可靠性尚无量化评估方法。为了提高智能站组网的规范性和可靠性,迫切需要针对智能站过程层网络提出一套完善的可靠性评价方法。可靠性评价方法包含多个关键评判指标,基于各评判指标对网络可靠性影响程度赋予不同权重值,实现对各种组网架构下的网络数据传输安全可靠性进行客观评价,考虑各电压等级技术经济因素,实现网络方案的最优选择。     

不同调理方法对含铅工业污泥机械抽滤减量化效果的影响

针对铅酸电池厂含铅工业污泥难以机械脱水减量的问题,本文分别采用过氧化氢调理、芬顿调理以及电化学高级氧化(电芬顿)调理方法对污泥进行了预处理,探究其对后续机械抽滤脱水减量化效果的影响.结果表明:三种调理预处理方式均会使污泥中部分絮体打破、黏度降低和脱水泥饼的挥发性悬浮物含量相对增加.采用优化的条件下,三种调理方法分别可促...     

在金刚石薄膜上生长微米／纳米结构氧化锌

金刚石是非常重要的宽禁带半导体材料,n-型氧化锌与p-型金刚石的结合成为半导体研究的热点。该研究实现了金刚石薄膜上生长六角纤锌矿结构氧化锌（ZnO）微米／纳米结构。生长初期或ZnO饱和蒸气压较低时,ZnO晶粒多沉积在金刚石薄膜的晶界和棱边处,随着沉积时间的增加或反应气氛中气态ZnO浓度的增加,会有大量微米／纳米结构的ZnO生成,并覆盖整个金刚石薄膜表面。对ZnO在金刚石薄膜表面生长机制及反应气氛对金刚石的钝化作用进行了分析。     

一种母线保护抗CT饱和的新方法

众所周知，电流互感器饱和问题一直是影响低阻抗型母线保护正确动作的主要问题，随着系统电压等级的不断升高，系统的暂态过程越来越长使得电流互感器的饱和２越来越严重这给母线保护的抗ＣＴ饱和能力提出了更高的要求。我们以自行设计的小截面习易饱和ＣＴ作为研究对象，对在不同试验条件下实录的ＣＴ和波形的特征进行了分析，并针对这些特征提出了基于饱和波形特点的抗ＣＴ饱和的方案。     

HEMT器件质子辐射效应仿真

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度的影响,并观察空位密度随深度的变化规律。在最优AlGaN势垒层厚度条件下,通过仿真对比5种不同栅氧层材料的MIS-HEMT器件,发现氮化铝(AlN)栅氧层材料具有相对较好的抗辐射效果。