一种新的基于E-SIMOX衬底的PSOI高压器件

首次提出了一种新的采用E-SIMOX技术的界面电荷岛结构的PSOI高压器件(NI PSOI)。该结构在SOI器件介质层上界面注入形成一系列等距的高浓度N+区。器件外加高压时,纵向电场所形成的反型电荷将被未耗尽N+区内高浓度的电离施主束缚在介质层上界面,同时在下界面积累感应电子。详细研究NI PSOI工作机理及相关结构参数对BV的影响,在0.375μm介质层、2μm顶层硅上仿真获得188 V高耐压,较常规结构提高54.1%,其中附加场EI和ES分别达到190 V/μm和13.7 V/μm。     

薄硅层阶梯埋氧PSOI高压器件新结构

基于介质电场增强ENDIF理论,提出了一种薄硅层阶梯埋氧型部分SOI(SBPSOI)高压器件结构。埋氧层阶梯处所引入的电荷不仅增强了埋层介质电场,而且对有源层中的电场进行调制,使电场优化分布,两者均提高器件的击穿电压。详细分析器件耐压与相关结构参数的关系,在埋氧层为2μm,耐压层为0.5μm时,其埋氧层电场提高到常规结构的1.5倍,击穿电压提高53.5%。同时,由于源极下硅窗口缓解SOI器件自热效应,使得在栅电压15V,漏电压30V时器件表面最高温度较常规SOI降低了34.76K。     

基于规则推理的智能系统在轧机齿轮箱故障诊断中的研究与应用

针对工业现场对轧机故障诊断精确性和提高诊断效率方面的急切需求,在60余次现场诊断成功案例基础上,设计了一套基于充足的案例来实现规则推理的智能诊断系统.     

基于LMS工作模态测试的齿轮箱性能分析

基于LMS测试分析系统,对某试验齿轮箱进行工作模态测试和分析;采用最小二乘复频域法对齿轮箱各阶模态进行参数识别,并对工作模态分析过程中额外输入峰进行了辨识,剔除了谐波引起的虚假模态;通过对测试结果进行分析及讨论,发现齿轮安装偏心导致齿轮啮合频率及其谐波的分布;根据各阶模态振型的特性,对齿轮箱运行状况进行评价,提出对该齿轮箱结构设计的改进措施.     

有机小分子掺杂的聚合物发光二极管电致发光及其发射机制

在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了影响聚合物掺杂小分子薄膜器件发光性能的因素.实验表明,通过在器件中掺杂,可以控制器件所发光的颜色.研究了PTPD掺杂Rubrene分子薄膜的电致发光光谱和光致发光光谱.由实验可知.在光致发光中存在从PTPD向Rubrene的能量传递和电荷转移,而电致发光则存在从PTPD向Rubrene的能量传递和Rubrene分子对载流子的俘获.即掺杂器件的发射机制为载流子陷阱和Forster能量转换过程的共同作用.     

试论提升中小企业融资服务水平

中小企业是推动国民经济和社会发展的重要力量,在建设社会主义市场经济体制,促进国民经济增长,扩大社会就业,增加财政收入,保障社会稳定等方面发挥着越来越重要的作用。据统计,自2003年以来,中小企业创造的最终产品和服务价值相当于国内生产总值的60%左右,实现的出口额占62%,上缴税收约占全国总额的53%;提供了75%以上的城镇就业岗位,国有企业下岗人员的80%在中小企业实现了再就业。但在当前国际金融危机不断加深和我国经济转轨的新形势下,中小企业面临     

TiAl合金精密铸造计算机数值模拟的研究现状与展望

TiAl合金具有低密度、高比强度,以及良好的抗蠕变、抗氧化性等性能,精密铸造工艺可以较好地实现TiAl合金零件尤其是复杂结构零件的成型。利用计算机数值模拟手段优化精密铸造工艺,可提高铸件品质,降低成本及缩短产品试制周期。对TiAl铸件的充型和凝固过程以及其应力和微观组织的计算机数值模拟的研究现状进行了综述和展望。     

A novel SOI high-voltage SJ-pLDMOS based on self-adaptive charge balance

A new SOl self-balance （SB） super-junction （S J） pLDMOS with a self-adaptive charge （SAC） layer and its physical model are presented. The SB is an effective way to realize charges balance （CB）. The substrate-assisted depletion （SAD） effect of the lateral SJ is eliminated by the self-adaptive inversion electrons provided by the SAC. At the same time, high concentration dynamic self-adaptive electrons effectively enhance the electric field （EI） of the dielectric buried layer and increase breakdown voltage （BV）. E1 = 600 V/μm and BV =- 237 V are obtained by 3D simulation on a 0.375-μm-thick dielectric layer and a 2.5-μm-thick top silicon layer. The optimized structure realizes the specific on resistance （Ron,sp） of 0.01319Ω·cm2, FOM （FOM = BV2/R p） of 4.26 MW/cm2 under a 11 μm length （Ld） drift region.     

从理念到政策:国际特大城市低碳规划实施途径对比

城市规划是特大城市将低碳理念转变为实施政策,并有效落实在空间组织过程之中的重要关键.通过国际城市低碳规划实施途径的比较研究,归纳出空间政策、制度设计以及社会实践等三种不同导向的实施路径.我国特大城市可以借鉴国际先进经验,在低碳城市的实施过程中,进一步发挥城市规划的统筹作用,创新城市规划编制内容,并在制度设计及保障措施上适应低碳城市的建设要求.     

雕刻CAD/CAM for Win95/NT系统—标尺功能的设计与实现

详细地介绍了雕刻ＣＡＤ／ＣＡＭ ｆｏｒ Ｗｉｎ９５／ＮＴ系统的总体结构，以及标尺功能的设计与实现。