TiAl基合金室温塑性的影响因素及改善方法

TiAl基合金因其低密度、高的弹性模量和比强度以及高温抗氧化性等特点而受到广泛的关注,成功应用于航空航天以及汽车工业等领域。但其较低的室温塑性限制了常温条件下的应用。主要讨论了TiAl基合金的室温脆性的影响因素,提出了解决室温脆性的方法,为改善合金的室温塑性提供了理论依据。     

ATH对无卤阻燃型EPDM性能的影响

研究了不同粒径氢氧化铝（ATH）及用量对无卤阻燃型三元乙丙橡胶性能的影响。结果表明,小粒径ATH有助于保持硫化胶力学性能并提高阻燃性能;填充120目ATH的EPDM硫化胶拉伸强度仅为9.0MPa,填充7000目ATH的硫化胶拉伸强度为14.7MPa;ATH粒径变小对EPDM硫化胶的电绝缘性能影响不大。ATH用量增加,硫化胶力学性能下降,阻燃性能得到改善;当ATH用量为0份时,硫化胶氧指数仅为19.3%;当ATH用量为200份时,氧指数达到40.2%;ATH用量为140份时,垂直燃烧水平达到FV-0级。DMA数据显示,ATH粒径越小,EPDM胶料的贮能模量越大,tgδ值越小,Tg向低温方向偏移。     

低碳社区建设热潮下的“冷思考”

近年来,国内外掀起了低碳社区规划建设热潮。然而,中国至今尚未出现一个真正意义上的低碳社区。本文结合国外建设经验,从低碳社区本质内涵、量化标准、技术实效、组织管理等方面进行了反思,谨防低碳社区名不副实。     

酒店无线网络系统设计

1Wi-Fi基础 1．1Wi—Fi Wi—Fi是IEEE（美国电气和电子工程师协会）定义的无线网技术,到2009年为止,IEEE官方定义802．II标准有a／b／g／n,区别如表1所示。由于技术的成熟与芯片的普及,相关设备成本也随之降低。近年来,     

10Gb/s以太网及其标准

介绍了IEEE最新提出的10Gb/s以太网标准及目前已经做的一些工作,简述了10GbE的需求、用途和技术规格。     

基于结构光技术的高光表面三维测量方法

分析了结构光技术对高光表面无法完整测量的原因,提出一种双目多次曝光测量和投影仪-摄像机单目测量相结合的三维测量方法。双目结构光系统中的两个相机采用不同的曝光时间采集一系列光栅条纹,并从每次曝光中选择高质量像素解相。将每次曝光的选择结果拼合成一张完整的相位图,并通过三角原理法计算三维坐标。双目结构只对左右相机可视区域测量,投影仪-摄像机单目测量避免了由于某个单摄像机视线存在高光或遮挡等原因引起的三维测量数据缺失问题,有效提高了测量结果的完整性。实验表明,上述方法测量高光表面具有良好的效果,系统测量精度可达0.06mm。     

SST Flash在数据采集存储系统中的应用

考虑到某些特殊环境对采集电路体积的限制,提出了一种基于SST25VF032B的小体积数据采集存储系统设计方案,通过CPLD控制A／D转换器及Flash实现数据的采集及存储,数据的读取、显示及擦除可由VB软件编程来实现。并详细分析了该串行Flash在实际数据采集存储电路中的应用。该系统的尺寸为20．5mm×14．5mm．能很好的满足小体积的要求,且较适合于低频采集。     

井眼分离系数计算新方法

井眼分离系数是目前最常用的井眼交碰风险评价指标,但现有计算方法无法实现在三维空间中直接评价2个误差椭球的分离程度,导致井眼交碰风险评价结果难以满足防碰钻井要求。提出了一种全新的井眼分离系数计算方法,该方法通过同比例缩放2个误差椭球使之满足外切条件,与之对应的缩放系数即为井眼分离系数,实现了直接在三维空间中准确评价2个误差椭球的分离程度;推导出了井眼分离系数计算新方法对应的基本方程组(四元二次方程组),探讨了与之配套的数值求解方法及快速求解策略,使该方法在理论上和计算上均可行。井眼交碰实例分析表明,与其他井眼分离系数计算方法相比,新方法能够更好地指导井眼交碰风险评价工作,有助于准确定位危险井段,减少防碰施工工作量。     

铸造数值模拟技术在消失模铸造中的应用现状及分析

介绍了铸造数值模拟技术在消失模铸造中的应用现状,分析了该技术产生的原因及背景,并对消失模铸造企业提出了相应的建议,对铸造数值模拟技术在消失模铸造中的发展趋势做出了评述。     

具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS的输出特性

提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件. 漏至衬底寄生电容是影响射频功率LDMOS器件输出特性的重要因素之一,寄生电容越小,输出特性越好. 分析表明n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS漏至衬底的结电容比常规射频功率LDMOS和n埋层pSOI射频功率LDMOS分别降低46.6%和11.5%. 该结构器件1dB压缩点处的输出功率比常规LDMOS和n埋层pSOI LDMOS分别提高188%和10.6%,附加功率效率从n埋层pSOI LDMOS的37.3%增加到38.3%. 同时该结构器件的耐压比常规LDMOS提高了约11%.