成绞、复摇和摇纱机卷绕原理及简谐络交设计

针对成绞机、复摇机和摇纱机等六角形大笈卷绕的简谐络交特点,通过理论和公式,表达了络交与主要基本参数之间的关系、丝片实际成形状态等,提出了这类机器简谐络交速比的设计方法及理论依据.     

巴西美丽山两回特高压直流工程互用接地极的控制保护策略研究

根据巴西美丽山两回特高压直流工程送端同址建设的条件,提出了两回直流互用接地极的接线形式,以及为了安全可靠地实现互用接地极设计了顺控逻辑,入地电流监控等策略;以双极中性线差动保护为例,重点分析了互用接地极的接线形式给双极区保护带来的影响,并在此基础上提出了保护优化策略.互用接地极的控制保护策略经过了详细的试验仿真验证,并...     

车轮与地面间接触应力测量传感器的研究

为測定车轮与地面间的法向应力,切向应力,侧向应力的大小及其分布,分别研制了膜片式压力传感器、简支梁式力传感器、环梁式三向力传感器。本文论述了三种传感器的基本结构原理,受力分析,应变片的布置,主要尺寸,传成器的标定等。     

车轮——地面[砂]接触面间的法向应力分布及轮胎选择的初步探讨

研究车轮——地面接触面间应力和应变关系,是汽车——地面力学重要内容之一。为此,各国学者相继作了很多的努力,但到目前为止,尚未建立完善的理论。本文通过试验的方法,着重研究了BJ—212轻型越野汽车的两种轮胎,在各种不同情况下的法向应力的分布和数值,进行了载荷,轮胎气压和工况对轮胎——地面接触面间法向应力影响的初步分析。并在此基础上,同时研究了BJ—212轻型越野汽车的轮胎刚度和气压对行驶阻力的影响,对该汽车轮胎的合理选择提出了初步意见。     

新西兰地热电站考察汇报

一、概况新西兰虽属农牧业国家,全国只有314万人,而国民经济对电的需要量却很大,装机容量已达521万千瓦,其中水电347万千瓦,烧油和烧天然气的机组133.6万千瓦,地热机组20.26万千瓦,其余为燃煤机组。地热电站建成初期其发电量一度占全国发电量的13％,在电网中发挥了相当大的作用。新西兰由于地热资源丰富,地热电站发展速度较快。现有怀拉开电站(19.26万千瓦)和卡韦劳塔斯曼造纸公司电站(1万千瓦)。计划1979年起要在布罗德兰兹建设规模为12～15万千瓦的电站,已完成勘探,放喷试验,并建成地热井30余口,预计1981年竣工。新西兰利用地热资源的发电潜力约有200万千瓦     

镁合金表面微弧氧化/自组装/镍复合涂层的腐蚀过程和机理

镁合金具有很强的活性,在水溶液或潮湿的大气中容易被腐蚀。为了提高镁合金的耐腐蚀性能,首先利用微弧氧化工艺进行微弧氧化,通过乙酸乙酯(C₄H₈O₂)进行自组装,最后化学镀镍,在AZ91D镁合金表面制备微弧氧化(MAO)/自组装(SAM)/镍(Ni)复合涂层。通过形貌结构、电化学测试和腐蚀产物分析研究复合涂层在3.5 wt.%NaCl环境中的腐蚀行为,并建立复合涂层的腐蚀过程模型。结果表明：Cl^-的存在加速了腐蚀的发生。复合涂层的腐蚀电流密度与镁合金相比下降3个数量级,复合涂层显著提高了镁合金的耐蚀性。复合涂层在盐雾环境中0～96 h时,Ni层表面结构仍然致密。当复合涂层暴露在腐蚀环境中120 h后,Ni层开始被破坏,腐蚀离子进行渗透,形成通道。之后,基体上的SAM层和MAO层的保护时间缩短。在144h时,腐蚀离子直接穿透了复合涂层,使基体涂层保护失效。研究成果可为该类涂层的开发、制备和应用提供试验依据和理论基础。     

SBR工艺处理垃圾渗滤液的试验研究

采用SBR工艺处理城市垃圾填埋场排除的渗滤液,在原水水质波动较大的条件下,取得较好的处理效果,COD,BOD,NH3-N,TN的去除率平均为86.1%,97.4%,94.5%和81.3%.在SBR时间效率试验中发现SBR在反应3～4 h内,微生物降解速度较快,这段时间COD,BOD5,NH3-N的去除率占总去除率的90%以上,TN去除率占总去除率的75%左右.另进行SBR的串联处理试验,也取得较好的处理效果.     

关于房地产价格策略的几点思考

对影响房地产价格策略的因素、房地产商品定价的方法、房地产定价的策略等进行了一系列的分析,并指出价格策略应根据商品房本身的情况、市场情况、成本状况、消费构成、消费心理等多方面因素来制定。     

GD-SJ系列数控成绞机丝线张力自动调节器

成绞机上配置张力自动调节器，可使丝线张力均匀，络交网纹清晰，减少断头，使后道退卷良好。文章分析了同步双摆式、非同步双摆式和栅门式三种丝线张力自动调节器的工作原理及优缺点。     

InGaAsP/InP双异质结激光器P区欧姆接触性能研究

文章阐述了金属与半导体接触的基本理论,具体分析了Au/Zn与P型In_(1-y)Ga_yAs_xP_(1-x)欧姆接触的性能,并采用修正的四探针方法测量了比接触电阻ρ_c。实验得到了ρ_c 随半导体掺杂浓度N的变化关系,与根据电子隧穿模型计算的理论值基本一致。实验得到InGaAsP/InP双异质结激光器的顶盖层P-InP、P-InGaAsP 与 Au/zn接触的比接触电阻值ρ_c 分别达到3×10~(-4)Ω·cm~2、1.5×10~(-4)Ω·cm~2。