The properties of N-doped diamond-like carbon films prepared by helicon wave plasma chemical vapor deposition

In this paper, N-doped diamond-like carbon(DLC) films were deposited on silicon substrates by using helicon wave plasma chemical vapor deposition(HWP-CVD) with the Ar/CH_4/N_2 mixed gas. The surface morphology, structural and mechanical properties of the N-doped DLC films were investigated in detail by scanning electron microscopy(SEM), x-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Raman spectra, and atomic force microscopy(AFM). It can be observed from SEM images that surface morphology of the films become compact and uniform due to the incorporation of N. The maximum of the deposition rate of the films is 143 nm min~(-1), which is related to the high plasma density. The results of XPS show that the N incorporates in the films and the C-C sp~3 bond content increases firstly up to the maximum(20%) at 10 sccm of N_2 flow rate, and then decreases with further increase in the N_2 flow rate. The maximum Young's modulus of the films is obtained by the doping of N and reaches 80 GPa at 10 sccm of N_2 flow rate, which is measured by AFM in the scanning probe microscope mode. Meanwhile, friction characteristic of the N-doped DLC films reaches a minimum value of 0.010.     

服装设计领域中蜡染及扎染手工印染技术的创新运用研究

本文主要以服装设计领域中蜡染及扎染手工印染技术的创新运用研究为重点进行阐述,首先分析服装设计领域中蜡染技术应用与服装设计领域中扎染手工印染技术应用,其次从蜡染、扎染与服装设计领域的创新结合几个方面,深入说明并探讨服装设计领域中蜡染及扎染手工印染技术的创新要点,进而明确蜡染及扎染手工印染技术的创新方向,带动服装设计领域更...     

含铝的富硅二氧化硅薄膜的发光特性及结构

采用双离子束共溅射技术制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(A1SiO)，采用荧光分光光度计对样品进行PL测试表明：A1SiO复合膜共有三个发光峰，分别在370nm、410nm、510nm处。发光峰的位置随铝含量的变化基本上没有改变，峰强随铝含量有变化，且510nm处的峰强随铝含量增加而增强。PLE结果表明：370nm和410nm的PL峰与样品中的氧空位缺陷有关，而510nm的PL峰则是由于铝的掺入改变了样品中的缺陷状态所致，是Al、Si、O共同而复杂的作用。     

Cu掺杂浓度对ZnO薄膜的结构、透光性和电学性质的影响

采用射频磁控溅射方法在导电玻璃和石英衬底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂量的ZnO薄膜.XRD显示,适当的Cu掺杂增强了ZnO的(002)衍射峰的强度;用紫外分光光度计测量了样品的透光性,结果显示,随掺杂量的增加,其透光性减弱,但在Cu掺杂量为9.6%时其透光性还在60%以上.用四探针测量了样品的表面电阻率,薄膜的电阻率随Cu掺杂量的增加而增加.     

过渡金属掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究进展

由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的制备以及TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。     

高密度螺旋波等离子体源的应用进展

首先介绍了螺旋波的定义、螺旋波等离子体源产生等离子体所需条件的工作范围以及螺旋波等离子体源主要的一些应用.按照所加磁场范围的不同(分为在磁感应强度为100～1 600 Gs和在强磁场中两部分),分别进一步讨论了国内外各研究小组研制的等离子体源的运行参数及技术特点.随后介绍了螺旋波等离子体源在刻蚀、薄膜沉积和火箭推进三个...     

不同形貌CuO的制备与表征

以硝酸铜和六次甲基四胺为反应物,采用常压加热的方法,在90℃制备得到了CuO.通过改变铜源(氯化铜、乙酸铜和硫酸铜)和溶剂的极性(不同体积比的乙醇和水的混合溶剂)探究了不同因素对反应产物形貌的影响.利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对产物进行物相和形貌表征.结果表明,不同条件下制备得到了球形、梭形和花状等形貌的CuO.铜源和溶剂的极性均对产物形貌具有一定影响.     

梳齿式自动仿形残膜捡拾机的设计及性能试验

为使设计的残膜捡拾机适合山区垄作烟地、能实现自动仿形并有较高的捡拾性能。设计了分段自动仿形的梳齿安装架,分析得到弹齿的最佳入土角范围为15°~45°。利用正交试验方法,以梳齿间距（横向A、纵向B）及机具行进速度（C）为研究对象,分析各因素对收膜率及积土量的影响。试验结果表明在无垄地机具的最佳结构为横向齿间距（90 mm、70 mm和50 mm）,纵向齿间距440 mm,机具在低速（3.5 km/h）状态下积土量较小,在高速（7.5 km/h）状态下捡拾率提高。在有垄地的最佳结构为横向齿间距（180 mm、140 mm和50 mm）,纵向齿间距为440 mm,机具在高速（7.5 km/h）状态下积土量较小,在低速（3.5km/h）状态下捡拾率提高。      

小曲中霉菌的分离纯化鉴定

小曲中的微生物主要有霉菌、酵母以及少量的细菌，在小曲上能看到的菌丝基本上都属于霉菌。以广东省九江酒厂有限公司提供的小曲为出发菌，采用土豆汁培养基进行纯培养，选取长有24个单菌落的平板进行分离纯化。制成纯培养菌。通过菌落特征、形态、制片标本和生理生化试验对纯培养菌进行鉴定。共分离出根霉菌株9株，经鉴定。其中根霉属4株。毛霉属1株，曲霉属3株。青霉属1株。(小雨)     

“双碳”目标融入传递过程的化工原理课程改革与探索

动量、质量和热量传递是化工原理课程的主要内容,其中涉及到的流体输送、精馏、吸收、膜分离、吸附等分离单元均与“双碳”目标有着密切的联系。因此,根据大连理工大学化工类各专业对“双碳”技术进步和行业发展提供急需高素质人才的新要求,以“三传”为主线,提出将“双碳”知识点、“双碳”思政融入各传递过程,并对各单元操作内容重构;建立包含“双碳”工程和科研成果案例的资源库;采用探索、实践启发性教学、多层次实践教学等教学方法提高课堂教学挑战度,从而打造“双碳”背景下化工原理授课新模式与新方法,实现“双碳”专业与产业型人才的培养。