掺炭煅烧法制备α-磷酸三钙粉体

以四水硝酸钙和磷酸氢二铵为主要原料,采用湿化学合成法制备了α-磷酸三钙(-αTCP)粉体,研究了煅烧过程中添加分散剂活性炭防止磷酸三钙在高温煅烧时发生团聚的作用。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和激光粒度分析仪对样品的物相、显微结构及粒度分布进行观察与分析。结果表明,当煅烧温度为1 320℃时,晶型完全转变,能够制备纯度较高的α-磷酸三钙粉体。活性炭掺量煅烧对α-磷酸三钙的粉体形貌和粒度有很大影响,当m(粉末)∶m(活性炭)=1∶0.5时,煅烧后的α-磷酸三钙粉体颗粒的形态分布更均匀,颗粒的中粒径更小,粒径分布主要集中在1.46μm左右。     

着色剂在金矿尾渣玻璃中的呈色

采用金矿渣为主要原料 ,添加适量的玻璃形成剂和玻璃改良剂 ,促进玻璃的形成 ,并把它作为基础玻璃 ,加入着色剂 ,重点研究了氧化铁、氧化锰、氧化铜的着色效果 ,制取经济实用的金矿渣玻璃     

铯钨青铜的水热合成及其光吸收性能

以碳酸铯和钨酸钠为原料,通过水热合成法在柠檬酸溶液中合成铯钨青铜(CsxWO3)粉体。研究了不同合成工艺条件对合成的CsxWO3粉体的微观结构和光吸收性能的影响,并探讨了紫外光照对CsxWO3薄膜的近红外遮蔽性能的影响。XRD分析表明,所合成的CsxWO3的结构为六方Cs0.32WO3。漫反射吸收光谱表明,随着水热反应时间延长、柠檬酸含量的增多,CsxWO3粉体在短波近红外光区的吸收逐渐增强,表现出强烈的近红外吸收性能。薄膜的透射光谱表明,在柠檬酸浓度为0.55mol/L、无乙醇参与反应3d所合成的CsxWO3薄膜具有良好的近红外遮蔽性能和光致变色性能,并且经紫外光照射后其薄膜的近红外遮蔽趋势进一步增强。     

镍钛合金表面含壳聚糖的钙磷复合涂层的仿生合成

将高浓度模拟体液5×SBF与壳聚糖溶液相互结合,在预处理后的镍钛合金基体上快速形成了含壳聚糖的钙磷复合涂层。电化学测试表明,钙磷涂层复合壳聚糖以后,阳极极化曲线中的钝化区变宽,击穿电位明显升高,涂层的抗腐蚀性增强。复合涂层在单倍模拟体液SBF中浸泡4d后,SEM、EDS对涂层的测试结果表明,复合涂层具有良好的生物活性。     

镍钛合金表面含壳聚糖的钙磷复合涂层的仿生合成

将高浓度模拟体液5×SBF与壳聚糖溶液相互结合,在预处理后的镍钛合金基体上快速形成了含壳聚糖的钙磷复合涂层。电化学测试表明,钙磷涂层复合壳聚糖以后,阳极极化曲线中的钝化区变宽,击穿电位明显升高,涂层的抗腐蚀性增强。复合涂层在单倍模拟体液SBF中浸泡4d后,SEM、EDS对涂层的测试结果表明,复合涂层具有良好的生物活性。     

光催化介孔玻璃微珠载体材料的研究

利用分相法酸浸制备了Na2O-B2O3-SiO2-Al2O3-TiO2系统的多孔玻璃微珠.当玻璃的成分(质量分数)为Na2O7.50%,B2O3 29.20%,SiO2 61.80%,A12O3 1 5%和TiO2 0.5%时,分相温度590℃和时间为24h,酸浓度和处理时间为0.1 mol/LHCl和48 h时,可制备出孔径分布小于50 nm的光催化载体材料.     

超声喷雾热解法制备半导体薄膜技术

超声喷雾热解法(USP)作为一种新兴的薄膜制备技术,已制备出多种半导体薄膜材料,并成功应用于太阳能电池、传感器、固态氧化物燃料电池等领域。介绍了USP制备薄膜技术的原理,结合近年来USP技术在半导体薄膜制备领域的研究进展,系统阐述了超声喷雾热解法制备薄膜的原理、工艺过程及在此过程中发生的物理化学变化,详细分析了前驱体溶液化学组成、沉积温度、退火处理等各个工艺参数对薄膜沉积过程和成膜质量的影响,指出了该技术目前存在的问题及今后的发展方向。     

煤矸石为主一次低温快烧琉璃瓦坯体的研究

以工业废弃物煤矸石为主要原料配合使用多种地产矿物原料,在CaO-MgO-Al2O3-SiO2四元系基础上设计并优化了低温一次快烧琉璃瓦坯体配方,使用XRD与SEM等技术测试了原料的化学及矿物组成和坯体的微观结构.使用DSC技术进行分析并确定其烧成制度.结果表明:最终优选的坯体经1 170 ℃烧成60～70 min后产品吸水率达到0.22%,抗折强度为43 MPa,各项性能指标均达到JC 709-1998<烧结瓦>国家标准和JC/T 665-1997<瓷质砖>国家标准,产品坯质致密,主晶相为石英、钙长石与莫来石.