无钴黑色陶瓷颜料的研究及应用现状

介绍了无钴黑色陶瓷颜料的应用,呈色机理及分类情况,综述了国内外用化工原料、矿物原料和工业废渣制造无钴黑色陶瓷颜料的研究进展及应用。     

工艺条件对CdS纳米粒子量子尺寸效应的影响

以硫脲为表面修饰剂对CdS进行表面修饰，并将CdS分散在PVP(聚乙烯吡咯烷酮)的乙醇水溶液中，用紫外可见吸收光谱分析了各种反应条件对CdS纳米粒子量子尺寸效应的影响。结果表明，将硫脲用于CdS纳米粒子的表面修饰能有效地降低CdS纳米粒子的粒径，大大提高了其量子尺寸效应，硫脲与CdS之间的不同比例、硫脲修饰前后溶液的pH值对CdS纳米粒子的量子尺寸效应产生了明显的影响，在pH值为2．00，硫脲与Cd^2 比例为8：1的条件下，得到了粒径大小为5nm、粒径分布均匀的CdS纳米粒子，TEM观察到的结果与Brus公式计算的结果是一致的。     

基于非平稳太阳辐照强度计算和LMS滤波器光伏电站功率预测方法

光伏电站功率预测对电力系统调度及安全稳定运行具有重要意义,对于光伏电站输出功率时间序列表征出来的周期性非平稳特性,采用计算理论太阳辐照强度的方法完成去趋势化的数据预处理,在此基础上提出了一种理论太阳辐照强度计算和LMS自适应滤波器相结合的光伏电站功率预测方法。将光伏电站过去时刻运行值作为滤波器的输入,当前时刻运行值作为滤波器的期望值,自适应滤波器即可建立光伏电站功率预测模型的有限脉冲响应逼近模型。该算法简单,能够实时显式结果。使用某光伏电站运行数据进行验证结果表明该方法对超短期功率预测精度较高。     

介孔TiO2的合成及其光催化性能研究进展

介孔TiO2材料由于其优越的孔道结构、大比表面积,良好的吸附能力及易回收等特点,在光催化降解有机污染物等方面表现出优异的性能,在能源、环保、化工等领域都具有十分重要的科学和实际意义。从合成方法、光催化性能及其影响因素、应用性等方面对近年来国内外介孔TiO2的研究状况进行了详细阐述,并在此基础上分析比较了不同合成方法的优缺点,及今后的发展方向。     

不同发展演化方式下的电网统计特性和鲁棒性分析

为获得较优的电网发展演化方式,基于复杂网络理论建立了与云南电网具有相同规模和相近连接数的改进无标度网络、局域世界网络、小世界电网和时空演化网络,并对比分析了上述5个网络的统计特性和对蓄意攻击的鲁棒性。分析结果表明,不同的发展演化方式得到的网络统计特性和鲁棒性均存在较大的差异,且容量增长对提高不同网络鲁棒性的效果不同。5个网络的拓扑结构分析结果表明容量和结构是影响网络鲁棒性的两个重要因素。所得结论可以为电网结构的规划和设计提供参考和依据。     

高分子纤维增韧SiO_2气凝胶复合材料的制备

以正硅酸乙酯为硅源,乙醇和水为溶剂,芳纶纤维为增强相,通过溶胶凝胶及常压干燥等步骤,实现了芳纶增韧SiO_2气凝胶复合材料的非超临界制备.采用扫描电镜、吸附-脱附等分析手段及热导率测试对所得气凝胶样品进行结构分析和性质表征.结果表明,调节反应体系的各反应参数可以获得具有不同外形、密度及热导率的复合材料;所得气凝胶平均孔径约为10～20 nm,比表面积可达1000 m~2/g,可望在隔热材料等领域得到应用.     

低压气相辅助溶液法制备无铅铋基钙钛矿太阳电池的研究

采用低压气相辅助溶液法制备MA3Bi2I9钙钛矿太阳电池,制备了晶粒大小为300 nm,表面致密且粗糙低的MA3Bi2I9钙钛矿薄膜,其吸收边位置在598 nm,光学吸收带隙为2.07 eV.还通过对一步溶液法、两步溶液法和低压气相辅助溶液法3种方法制备的MA3Bi2I9钙钛矿太阳电池进行对比发现,与其他2种方法制备的...     

多孔氧化钛薄膜的溶胶-凝胶制备及其光催化性能

本文采用溶胶-凝胶法不添加任何表面活性剂和胶体模板制备了大孔TiO2薄膜。首先,在TiO2前驱体溶液中引入可聚合的有机单体,利用浸渍提拉法制备TiO2胶体薄膜。然后将该薄膜在紫外光下照射一段时间。紫外光照诱发了单体聚合,导致薄膜中出现两相,一相是新生成的富聚合物相,另一相是富TiO2低聚物-残余的单体相。将光照后的薄膜在600℃热处理10分钟后,可以得到具有大孔结构的TiO2薄膜。采用SEM,AFM,XRD,TG-DTA等技术对样品进行了表征。结果表明,多孔薄膜的结构可以通过改变反应参数进行调控,单体浓度的变化可以影响到薄膜晶体结构,600℃的煅烧可以将体系中绝大部分的有机物除去。光催化降解亚甲基蓝溶液实验结果表明,制备的TiO2多孔薄膜表现出较好的光催化性能。     

高压GaAs微型太阳电池阵列的制备

为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制。采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流。经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列。电流-电压(JSC-VOC)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2V,填充因子为57%。