开槽式六边形多频带高增益微带天线仿真

随着无线通信技术的发展,小型化、多频带微带贴片天线在无线通信中得到了广泛应用。文章设计了一种六边形多频带微带天线,采用同轴线馈电,在六边形贴片的每个顶点内侧进行120°的开槽。通过调整贴片开槽的几何形状和尺寸,能够有效地获得三种不同的谐振模式,可应用于L波段和C波段。用仿真软件CST对该种天线进行仿真及分析,其结果表明,在工作频段均满足增益G≥6 dbi,回波损耗S₁₁<-10 dB。该天线具有结构简单、体积小、增益良好的特点,适用于通信中WiFi频段。     

原油储罐可动式牺牲阳极阴极保护

介绍一种油罐内部采用可动式牺牲阳极进行阴极保护的方法,可避免现有技术中油罐排水后牺牲阳极因脱离水层而失去阴极保护的问题。可动式牺牲阳极贴近罐内底板安装,始终保持与被保护罐底板的最近距离,随着时间的推移牺牲阳极表面消耗后,可在自重作用下沿固定柱向下移动,使油罐排水后也能在油罐残存水的作用下对罐底板的内表面起到阴极保护作用,使油罐在排水前或排水后以及应用若干年牺牲阳极大量消耗后仍能始终如一地处于良好保护状态。该阳极是针对油罐这种特定的阴极保护环境所设计,可使油罐内部阴极保护效果提升至少1倍以上。     

压变应In0.63Ga0.37As／InP单量子阱的变温光致发光研究

我们对用ＧＳＭＢＥ技术生长的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变单单量子阱样品进行了变温光致发光研究，Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ阱宽为１ｎｍ到１１ｎｍ，温度变化范围为１０Ｋ到３００Ｋ，发现不同阱宽的压变变量子 激子跃迁能量随温度的变化关系与体Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料相似，温度系数与阱宽无关，对１ｎｍ的阱，我们观察到其光致发光谱峰为双峰，经分析表明，双峰结构由量了阱界面起伏一个分子单     

动态环境下MIMO 雷达站点优化配置方法

针对动态环境下多监视区域的分布式多输入多输出(MIMO)雷达站点优化配置问题,提出基于卡尔曼滤波(KF)与粒子群优化(PSO)的站点配置方法。文中考虑MIMO 雷达系统要实时监视多区域,并根据环境的变化计算不同时刻的站点最优配置方案,建立了待优化数学模型,给出了算法的求解过程及步骤,最后通过仿真验证了算法在动态环境下的有效性,可显著提升各个时刻雷达站点最优配置方案的计算效率,并改善最优配置方案的性能。     

应用膨胀算法提取目标的直接定位算法

为了解决被动雷达系统中的多发射源定位问题，提出了一种基于多重信号分类(MUSIC)算法和图像膨胀(IE)算法的直接定位方法。该方法结合了谱分析中的MUSIC思想，通过对接收量测协方差矩阵进行特征分析求解目标的位置。首先，在目标个数未知的前提下，利用Akaike信息准则(AIC)来确定模型阶数；然后，推导了基于MUSIC的定位代价函数；之后，利用图像膨胀算法处理得到的代价函数平面；最后，膨胀处理后的输出为目标个数及目标位置的估计值。提出的算法有效地解决了目标检测及提取的问题，能够确定多个目标的位置坐标，为后续的定位性能分析提供可能性，也保证了算法的完整性。进一步地分析了多个临近目标情况下影响目标提取性能的主要因素。     

依据可靠性理论设计光纤通信系统

主要研究了可靠性理论在波分复用光纤通信系统中的应用，并依据可靠性理论对光纤通信系统进行了初步设计。首先给出光纤通信系统的可靠性理论模型，通过对这个基本模型进行理论分析和计算，得出的相关结论对光通信系统、设备的研制具有参考价值。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

GaN压电效应对载流子浓度的影响

在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．     

GSMBE GaN膜的电子输运性质研究

用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），相应的非有意掺杂电子浓度为９．１×１０１７ｃｍ－３．对一些ＧａＮ膜进行了变温Ｈａｌ测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Ｈａｌ迁移率随温度的变化研究了ＧａＮ外延膜的导电机理．结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主．