离心法制备氧化铝-氧化锆泡沫陶瓷过滤器

通过在发泡聚苯乙烯模板内的离心成型方法来制备Al2O3-ZrO2泡沫陶瓷过滤器,测量了浆料在不同pH值下的Zeta电位,分析了浆料的固相含量对离心时间的影响。观察了不同离心加速度和浆料固相含量下产物生坯密度的变化,测量了最终产物的烧结密度、收缩率、孔隙率和压缩强度,并通过扫描电镜观察了烧结试样的显微结构。试验结果表明,在pH=10时,浆料具有较好的分散性。在较低的固相含量和较高的离心加速度下,浆料的分离现象明显,生坯中出现密度梯度。但在高的固相含量(50%,体积分数)下,分离现象被抑制,孔筋具有较高的生坯密度(61.5%)和烧结密度(91.1%),最终产物的孔隙率在75.3%～83.1%,压缩强度为2.07～3.82 MPa。     

4Cr14Ni14W2Mo钢氮化层剥落的研究

Unthank等人曾指出,含Cr高的奥氏体不锈钢在600～800℃氮化时,将沿晶界形成大量的CrN,并可能导致沿晶开裂,造成氮化层剥落.Kindlimann和Ansell认为,氮化表面上Fe或Ni-Fe的氮化物增到一定厚度时将产生“白亮层”,冷却时可能剥落。高濑孝夫在讨论氮化温度对18-8钢氮化层脆性影响时指出,低温氮化易出现氮化层剥落。本工作通过氮化前对试样作适当的预先热处理找到了解决氮化层剥落的方法,并探明了氮化层剥落的原因。     

焰熔法生长钛酸锶单晶体生长室内温度分布的数值模拟

通过研究焰熔法生长钛酸锶单晶体过程中生长室内的温度分布特征,分析了H_2和O_2流量、喷嘴孔径对温度分布的影响。结果表明,采用焰熔法生长SrTiO_3晶体时,晶体熔帽表面温度和压力由中心逐渐向外降低;随着H_2流量的增加,中心轴向的最高温度的位置基本不变,晶体熔帽温度和晶体四周的最高温度逐渐升高,只是升高幅度有所减小;晶体熔帽温度、压力及晶体周围烟气温度随O_2流量增大而升高,而轴向最高温度则降低;增加喷嘴的中心孔径将使轴向最高温度、晶体熔帽温度和径向温度梯度降低,而喷嘴的H_2孔径对生长室内轴向和径向温度分布的影响不是很明显。     

Coating of SiC Powder with Nano YAG Phase

SiCceramiccompositeshavefoundextensiveap plicationsinmodernindustryduetotheirexcellentchemicalstabilityandwear resistance .Rodeghieroetal.[1～ 3 ] investigatedthefabricationofSiC Al2 O3 ce ramiccompositematerialsviaco precipitationcoatingandsol gelmethods…     

Al基复合石英光导纤维材料的制备方法

采用铸造方法将Al与石英光导纤维进行液固相复合,制成具有一定耐高温、耐腐蚀能力的Al基复合光导纤维及传感器材料.试验结果表明,直径为0.15～0.3 mm的石英光导纤维可以抵抗高温熔融金属液在铸造浇注过程中的冲击,凝固过程的温度急速变化也未对石英光导纤维造成破坏.该方法可制备出矩阵排列的Al基复合光导纤维传感显示材料.     

PWM逆变器-感应电机驱动系统中接地电流EMI问题的分析

在IGBTPWM逆变器－感应电机驱动系统中，IGBT的高速开关动作产生很高的dv/dt|和|dt/dt|能够导致严重的电磁干扰（EMI）问题。研究表明不仅需要了解干扰的频谱。而且也必须知道它们的时域波形才能全面刻画干扰的本质。如何准确描述并分析这种问题是复杂而困难的，该文应用系统函数的方法来描述这种EI耦合通道的特征，并不需要对寄生电路进行复杂的参数提取，而且能准确预测了EMI的时域波形和频谱特性，接地电流脉冲峰值对应|dv/dt|的 峰值，导通时，|dv/dt|基本不随着负载电流的变化而变化，而关断时，负载电流越小，|dv/dt|越小，由于|dv/dt|在开通时的值要比关断时大得多，因此接地电流EMI问题主要由IGBT的开通决定。系统函数的幅度频谱呈现带通特性，尽管逆变器工作时其拓扑结构发生变化，但是对描述耦合通道的系统函数的影响很小，当三相桥臂的两个IGBT同时开通或同时关断时，接地电流加倍。     

串联H桥多电平变频器中的功率平衡方法

在串联H桥多电平调速系统中 ,为使一相中各串联H桥单元输出功率平衡 ,需要对其相应的脉冲循环控制进行研究。传统的等控制周期循环法虽能达到此目的 ,但功率器件开关动作次数多 ,损耗大。本文提出的错位等周期循环法 ,在大多数输出电压范围内 ,功率器件开关动作次数减少一半 ,可大幅度降低开关损耗 ,提高系统效率。     

电力电子装置中无源元件间耦合效应的研究

电力电子装置传导电磁干扰(EMI)的传播通道建模是电力电子装置电磁兼容性(EMC)的分析、调试及预测中的关键问题之一。为了提高传导EMI传播通道高频模型的准确性，必须考虑元件自身的杂散参数，还需要适当计及无源元件间的耦合效应。本文详细分析了两个无源元件间存在的三种耦合效应及其对传导EMI传播通道特性的影响，通过实验测取了各种耦合效应与元件间距离的关系。在此基础上，提出了描述两个无源元件间耦合效应的二端口电路模型，并应用于一个二阶低通LC滤波器频率特性的仿真研究。结果表明，采用该二端口模型可以大幅提高传导EMI传播通道模型的准确性，从而证明了考虑耦合效应的必要性。     

TiCp/3Al2O32SiO2复合材料的强韧化与低温冷处理

研究了TiC粒径与TiCp/3Al2O32SiO2基复合材料的横向断裂强度和断裂韧度之间的关系,探讨了低温冷处理对复合材料性能的影响.研究结果表明,添加适宜粒径的TiC颗粒能够提高3Al2O32SiO2材料的横向断裂强度和断裂韧度,TiC颗粒增韧的粒径范围为14～26μm;增强的粒径范围为＜14μm.低温冷处理不仅可以进一步提高复合材料的强度和韧性,而且可以改变增韧的粒径范围,使增韧和增强的粒径范围部分重合,这为正确进行材料的强韧化设计和合理制定强韧化工艺提供了依据.