微波功率器件金属化布线回流加固结构

在回流动力学理论和实验研究的基础上,将回流加固结构应用于实际微波功率器件.结合器件具体结构和制备工艺,对金属化布线电流分布和最佳回流长度进行了模拟计算和分析,结合实际工艺优化设计了回流加固结构,制备了六种结构样管,电热应力试验结果表明:采用一个缝隙、缝隙宽度为3μm的结构回流加固效果最好,抗热电徙动能力最强.利用回流效应可有效降低微波管中的纵向(Al-Si界面)电迁徙失效,提高器件可靠性.     

基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/Si HBT基区渡越时间的影响

由于发射结（ＥＢ结）价带存在着能量差ΔＥｖ,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给ＨＢＴ设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退桦了频率特性,特别是在低温下更为严重。     

电迁徙参数的电流斜坡动态测试

采用电流斜坡法测试了4种不同金属化样品,其n值分别为:2.29(Al-Si合金膜),1.25(Al-Si-Cu合金膜),1.28(Al-Si/Ti双层金属化),1.23(Al/TiWTi/Al多层金属化).结果表明,n值与材料有关,电迁徙阻力越高n值越小,与BLACK方程相符。同时,考察了不同温度和不同电流上升斜率对n值测量结果的影响,试验表明,在相当宽的温度范围和测试时间内获得的n值一致性很好。     

多处理机容错系统中实时任务的轮转式调度算法

基于多处理机实时系统的“主从备份技术”,文章提出一种采用轮转式调度策略实现容错调度的算法。模拟结果表明,该算法可达到较均衡的任务分布,提高了CPU利用率。     

对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进

本文描述了改进的Fukui法.利用改进的Fukui法可以精确地测量GaAsMESFET的栅极串联电阻.实测结果表明,漏-源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大,从漏-源电阻与X(X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅-源电压的函数)关系曲线的弯曲方向可以定性地判断夹断电压的误差方向     

德州市水利局档案管理工作通过省一级先进标准认定

德州市水利局档案管理工作于1999年12月24日,经上级档案部门严格评审,以总分99.5分的好成绩,通过省一级机关档案工作规范化目标管理认定验收,由省档案局颁发荣誉证书。 市水利局档案管理工作于1994年晋升为省一级先进单位。他们先后为档     

利用回流效应的新型金属化系统研究

本文研究了Ａｌ金属化系统中的回流效应，提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构，同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力的电迁徙实验对比，结果显示出新结构在抗电迁徙性能上的明显优越性，ＳＥＭ分析对此也提供了有力的证据．     

电迁徙参数—电流密度因子电流斜坡测试法

本文对电迁徙参数电流密度因子n及n值的精确测量技术进行了深入研究．首次提出了动态电流斜坡电流密度因子测试法（DCR）．该方法与传统的MTF法不同，能精确控制金属条温，消除了高电流密度条件下焦耳热的影响，提高了n值的测量精度与速度．研究了四种不同样品直流和脉冲条件下的n值．实验结果表明，n值与材料、频率、占空比有关，与温度、一定范围内的电流密度无关．     

Al／TiN／Ti多层金属化在微波器件中的应用研究

在双极型微波器件３ＤＧ４４、３ＤＧ８６上采用了新型金属化Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ系统，研究了多种热电应力下ＴｉＮ的阻挡特性，结果显示采用ＴｉＮ层的器件抗热电迁徒能力显著提高，加速寿命为原器件的３倍多。     

双极型微波器件失效分析与改进

针对浅结器件欧姆接触退化问题，利用３ＤＧ４４、３ＤＧ８６微波管进行研究分析，发现其ＥＢ结失效非常严重，并且结越浅对高温工艺越敏感，经ＳＥＭ显微分析表明，失效机理为发射区处Ａｌ、Ｓｉ的互扩散、Ａｌ离子进入发射区。将新型金属化系统Ａｌ／ＴｉＮ／Ｔｉ用于实际器件，ＴｉＮ有效地阻止了Ａｌ、Ｓｉ的互扩散，其ＥＢ结特性明显改善，成品率和可靠性显著提高。