稠油低温乳化降粘剂的研制

针对大庆黑帝庙稠油埋藏浅，油层温度低（15℃）的特点，以乳化稳定性和降粘率为评价指标，通过单剂筛选，二元复配筛选、正交试验等工作，筛选出适于大庆黑帝庙稠油的乳化降粘剂配方：表面活性剂组合物0.5% NaOH0.3%,水相为配制水（总盐度4456mg/L），该配方降粘率可达92％以上，且其形成的稠油乳状液易破乳脱水。     

诺维信酶制剂在无磷洗衣粉中的应用研究（I）

研究考察了3种诺维信洗涤用酶制剂（Sav4.0T,Sav/Term4.8/12T,Sav/Term/Cell7.2/24/0.14T)对4种市场售无磷洗衣粉（A，B，C，D）和一种皂粉（E）去污力性能影响的一些实验及讨论。实验以试样对5种人工污染布的去污比值表征其初次去污力，以试样的5种人工污染布去污力的综合评价确定了诺维信3种酶制剂在无磷洗衣粉中的适用性及价值。而关于最新酶产品对无磷洗衣粉去污力的提高、抗再沉积性能的改善等作用将在续篇里做更详尽地讨论。     

尿液喷浆造粒——生产复合肥的一种新工艺

在团粒法工艺的基础中，用熔融尿液或尿素车间二段蒸发器的尿液进行喷浆造粒生产复合肥的改造方案、内容、效果和投资情况。     

染整水质对织物品质的影响

染整加工是纺织品进行深加工和精加工,提高产品档次和附加值,为市场提供高质量的服装、服饰的关键技术。随着人类对环境污染的关注,     

尿素熔融喷浆造粒工艺在复合肥生产过程中存在的问题及对策

介绍在团粒法工艺的基础上，将尿素熔融成尿液进行喷浆造粒生产复合肥的过程中，存在的问题，原因及解决的对策。     

溶液雾化微波等离子体CVD法制备SrTiO3薄膜

研究了一种新型高效制备多组分陶瓷薄膜的方法，它采用可溶性无机盐溶液雾化为反应膜，利用微波等离子体化学气相沉积工艺在Al2O3基片上制备了SrTiO3基陶瓷薄膜，实验结果表明，薄膜沉积时衬底温度对成膜的相组成与结构产生重要影响，本实验中当沉积薄膜衬底温度在700℃时，可以制备出单一相组成，符合化学计量比，结晶性较好，晶粒度呈球形且均匀分布的SrTiO3薄膜，通过对不同氧分压下薄膜电阻测试，发现此SrTiO3薄膜在O2 N2气氛中氧浓度由1%变化到20%时，其电阻值由5.0MΩ变化到2.5MΩ，从而显示出一定氧敏性能。     

改进的溶胶-凝胶工艺制备ZrB_2纳米粉体

采用改进的溶胶-凝胶工艺,以ZrOCl2、H3BO3和蔗糖为原料,以柠檬酸（CA）为络合剂,聚乙二醇（PEG）为分散剂,制备出均匀稳定的Zr-B-C体系溶胶,再以氨水为调节剂,实现溶胶向凝胶转化。在1 500℃温度下经碳热还原反应制备出粒径尺寸约为40 nm,类球状ZrB2粉体。采用XRD、SEM等微观分析手段,对制备的纳米粉体进行了相组成与微观形貌分析。实验中研究了改进的溶胶-凝胶中柠檬酸络合-聚合技术对溶胶性能的影响。结果表明：当n（柠檬酸）∶n（Zr离子）为1∶3时,可获得稳定的Zr-B-C体系溶胶;增大n（B）/n（Zr）值,有利于得到纯度较高、且相组成可控的ZrB2纳米粉体;加入质量分数为1.0%的PEG时,粉体的团聚性能得到很大改善。     

荧光增白剂消光系数检测准确性的影响因素

本文以C．I．荧光增白剂351（荧光增白剂CBS）为例,通过实验讨论了影响荧光增白剂消光系数检测准确性的因素以及对各因素的控制方法。通过浓度与吸光度的标准曲线分析,确认了荧光增白剂CBS消光系数检测的最佳吸光度范围为1．1以内;通过对环境和滞留时间的考察发现,检测环境应充分避光且检测应控制在1小时以内完成;通过标准偏差分析,建议标准HG／T3726—2010中检测消光系数的称样量由0．1g更改为0．2g;通过考察溶液温度变化与消光系数的关系发现,检测溶液每升高1℃消光系数降低1．2;建议检测用仪器设备应严格进行定期检查以控制检测质量。     

基于Y型阵MIMO天线互耦效应及信道容量

针对多输入多输出(MIMO)天线阵列在阵元间距较小及平均波达角较大时信道容量会急剧下降的问题,提出了基于Y型阵列结构的MIMO接收天线模型.利用天线阵列互耦效应等效网络模型,导出Y型阵模型的信道相关性和互耦相关性的闭合表达式,阐明了其阵列互耦效应下信道相关性与无互耦相关性之间的关系.分析了入射信号的中心到达角和角度扩展分别对互耦效应下Y型阵MIMO信道容量的影响.与均匀圆型天线阵列性能比较结果表明,Y型MIMO天线阵列能充分利用其空间结构,具有稳定的信道容量,且信道容量优于均匀圆型天线阵列,能有效地改善阵列互耦效应,提高系统性能.     

电解法腐蚀硅片过程中产生的晶态二氧化硅

本文用富里叶红外光谱及Ｘ射线衍射对在氢氟酸中电解硅片时形成的多孔硅膜进行了分析，发现除了硅以外，其中还有晶态的二氧化硅（鳞石英）存在，由此说明多孔硅表面的硅氧化合物并非都是样品制备后在在气中氧化造成的，它对多孔硅发光有很大的关系。