基于小波变换的嵌入式图像压缩编码算法

小波变换具有良好的空间-频率局部化特性,给图像编码算法提供了广阔的发展空间。嵌入式图像编码算法能很好地满足图像编码的新要求,因此也成为了静态图像编码新标准JPEG2000的基础。对基于小波变换的嵌入式图像编码方法进行了研究,分析比较了几种典型的编码算法的原理和编码性能,指出了改进方案和适用性,探讨了小波图像压缩研究的发展方向。     

集控站智能倒闸操作票管理系统的研究和开发

介绍了集控站智能倒闸操作票管理系统的研究和开发，包括工作原理和系统组成。     

基于小波变换的嵌入式图像压缩编码算法

小波变换具有良好的空间一频率局部化特性，给图像编码算法提供了广阔的发展空问。嵌入式图像编码算法能很好地满足图像编码的新要求，因此也成为了静态图像编码新标准JPEG2000的基础。对基于小波变换的嵌入式图像编码方法进行了研究，分析比较了几种典型的编码算法的原理和编码性能，指出了改进方案和适用性，探讨了小波图像压缩研究的发展方向。     

对氯-γ-溴丙苯的合成

提出了对氯－r-溴丙苯的合成方法,以对氯氯为原料制取对氯苄基氯化镁,通过镁过量解决了在四氢呋喃中的偶联问题,提高了格氏试验剂的收率,此格氏试剂与环氧乙烷反应得到氯－r-苯丙醇,然后在三氯甲烷助溶剂作用下,与过量的氢溴酸反应得到对氯－r－溴丙苯,文中优化得出了最佳合成条件,为工业化生产提供了理论依据。     

大庆萨南油田不加热集油技术的实践与认识

大庆萨南油田已经进入高含水采油期,导致原油集输热力系统自耗天然气呈上升趋势。目前在萨南油田采用的不加热采集方式也有多种。其中掺常温水不加热集油方式适合于中转站所辖的电泵井或高产液井较多及含有部分低产液井的情况：“一站两制”不加热集油方式则既能满足高产液井的掺常温水不加热集油需要,又可以保证低产液、低含水井的安全生产。从一九九六年开始,萨南油田又进行了不加热、不热洗、不掺水的“三不”复合试验、利用化学药剂进行不加热集油试验以及单管环状流程试验等多种不加热集油方式。     

地震波作用下海底管线弯管抗震设计方法

根据海底管道铺设环境的实际情况,建立了海底管道简单弯管的力学模型,并用地震最大加速度法求得包含1个动力安全系数的工程设计计算公式。用加速度时程曲线法对弯管的动力学方程进行了数值计算,同时使用有限元软件验证了数值计算结果,为动力安全系数的选择提供了依据。     

交互电视带来的电视革命

交互电视是广播电视近年来兴起的一个发展热点．在个性化日益重要的今天．交互电视成为促进广播电视发展的新动力。中央电视台从今年开始着手建立交互电视试验平台．其目标除开展数字交互的新业务外．还包括台际节目交换和资源共享．以便推动全国范围的深度宽带交互业务。河北电视台（第五套）视频点播频道在今年8月8日正式试播。     

促纤维增生性小圆细胞瘤的光学显微镜及电子显微镜观察

目的：研究促纤维增生性小圆细胞瘤（desmoplastic small round cell tumor,DSRCT）的病理学及超微结构特点。方法：3例DSRCT进行HE光镜、免疫组化染色,2例进行透射电镜观察。结果：瘤细胞呈不规则的大小不一的巢团和染索状结构并埋没在增生的纤维结缔组织中;免疫组化显示瘤细胞具有上皮源性、间质性和神经源性等多向分化的特点;电镜特征性结构为多数瘤细胞胞浆内核旁区有大小不同的中间丝聚集物,呈小球形或螺纹状排列,有的中间丝占据胞浆的较大比较。结论：DSRCT具有特殊的组织学、免疫组化及超微结构特征,DSRCT的超微结构观察在肿瘤的诊断和鉴别诊断中有重要价值。     

Y系掺杂的TiO2压敏陶瓷性能研究

通过在TiO2压敏陶瓷制备过程中引入Y系作为受主掺杂,讨论了以Y取代Bi受主掺杂对双功能TiO2压敏陶瓷性能的影响.实验结果表明:以Y系掺杂的Ti-Nb基压敏陶瓷可获得较好的低的压敏电压与高的电容双功能特性.其中,以Y+Cu为受主掺杂剂,SiO2为烧结助剂的配方,在1300℃温度下烧结,获得压敏电压V1mA＝9.4V/mm,非线性系数α＝4.8,介电常数ε＝21300,介电损耗tanδ＝0.09较优异的压敏介电性能.同时Y系掺杂也避免了掺杂Bi的高温挥发性.     

用于45nm及以下集成电路工艺的高介电常数绝缘栅材料

金属-氧化物-半导体结构(MOS)是目前电子器件中最重要的器件之一,现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展,MOS技术到达了一个关键的转折点. 由于器件尺寸不断缩小, 导致MOS中氧化层厚度相应减小, 电子的隧道穿透效应逐渐显现出来, 引起的棚极-沟道漏电流急剧增大,导致器件发热量增加、性能下降甚至失效,因此限制了MOS器件尺寸的进一步缩小. 当MOS进入65nm工艺时,二氧化硅的厚度已经降至1.2nm(大约相当于5个原子层的厚度),这样的厚度几乎已经达到了二氧化硅介质层物理极限. 因此,45nm技术及以下工艺不能继续沿用原有的MOS结构与制备技术,必须采用新的结构、新的材料、新的工艺以便进一步缩小MOS器件的尺寸,提高器件的工作速度,降低器件的能耗. 高电介质常数介质膜被业界认为是开发45nm以下硅集成电路芯片技术的关键. 业界普遍认为利用high K绝缘层技术的MOS器件是20世纪60年代MOS晶体管出现以来,晶体管技术发生的最大变化. 2005年以及以后的International technology roadmap for Semiconductors 均把high K技术作为标志性内容之一. 目前国际上有关high K材料与器件的研究比较多,Intel、IBM等已经实现研究成果向生产技术的转移,其中Intel公司在45nm微处理器技术中利用high K绝缘栅技术已经取得突破性进展,并于2007年11月16日发布了一系列利用high K技术的45nm处理器,IBM公司也已经在MOS工艺中实现high K绝缘栅技术. 较以前的MOS工艺,基于high K技术的芯片中晶体管数量成倍增加,栅极漏电流减小了数倍,功耗大幅减小. 根据目前透露的资料,high K绝缘层为Hf基氧化物,但是介质膜的具体成分、结构、制备工艺流程以及与Hf基氧化物配合的金属栅极材料等技术内容目前均属于保密资料. 从国内同行的研究看,目前发表的相关研究文章主要集中在对high K绝缘栅的介绍或综述性评论,实际开展的研究工作很有限. 因此,及时开展对high K绝缘层成分与制备工艺方面的研究,对于我国集成电路制造业跟上国际集成电路技术的发展方向和先进水平、打破国外的技术垄断是非常必要的.