学分制条件下半导体集成电路课程体系改革与实践

从半导体集成电路课程教学的现状出发,在教学内容、教学方法和实践环节等方面进行了课程体系的改革与探索,形成了学分制条件下“以学生为本、软硬兼施、强化实践、激发思维“的课程体系。在教学内容上充分考虑本课程的“集成性“,在强调基本知识的同时,注重各相关知识的交叉与集成;在教学方法上,用计算机技术弥补传统教学中的缺点,同时引入最新的研究动态,使学生在掌握基本知识点的同时,了解最先进的技术;在实践环节上“软硬“兼施,不仅设置“硬件“实验,而且开设“软件“设计仿真,强化动手能力。     

MOS型功率半导体器件的最新进展

综述了MOS型功率半导体器件的最新发展动态，重点介绍了几种新型的器件，如EXTFET、COOL－MOS、IEGT、MCD等，分析了这些器件的结构特点、工作原理以及进一步发展所要解决的主要难题。最后指出了MOS型功率半导体器件未来的发展趋势。     

改善SOICMOS集成电路高温性能的研究

介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势，分析了影响高温性能的物理效应和结构因素。为实现良好的高温性能，提出了沟道下用氮化铝作埋层以替代常规二氧化硅埋层的SOI器件新结构，并和以二氧化硅为埋层结构的器件特性进行了对比，对它们高温输出性能和沟道内晶格温度进行了研究分析，得出了具有指导意义的分析结果。     

Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金半导体技术及其应用

随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视。C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所带来的能带补偿作用,使材料的光电特性也得到改进。文章综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展及其物理特性,并对其在FET、HBT、光电子器件等方面的应用进行了详细的阐述。     

基于等效电容法对SOI器件自加热效应研究

针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题,提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点,对抑制自加热效应原理进行了新的解析,根据埋层材料的介电常数不同,按等效电容法进行埋层厚度折算。在此基础上,提出了SOI器件的埋层新结构,并从介电常数的角度较好地验证了提出观点的正确性。最后得到,高介电常数等效埋层厚度的减小利于热泄散,高热导率的埋层材料提高了导热能力,在双重因素作用下有效抑制了自加热效应。     

秦皇岛节能环保产业现状分析及促进城市经济升级的思考

通过对秦皇岛市节能环保产业发展现状的梳理,确定该市节能环保产业的发展方向,并针对目前面临的主要问题进行深入剖析,提出符合实际的解决对策。     

地层评价与测井技术新进展——第51届SPWLA年会综述

以第51届岩石物理学家和测井分析家协会(SPWlA)年会90余篇交流论文与产品展示内容为基础,通过归纳分析,对近1年来岩石物理与基础理论研究、测井新仪器与新方法研发、复杂油气藏及非常规油气藏综合评价技术等领域的最新进展进行了介绍与总结.在此基础上对测井方法、测井仪器、测井评价的国际发展趋势以及与国内的差距进行了分析讨论...     

氟硅酸法制无水氟化氢铵新工艺

氟硅酸是湿法生产磷肥的副产品。以氟硅酸为原料,反应生成无水氟化氢铵。通过单因素实验得出反应的最佳工艺条件:n(氟硅酸)∶n(氨水)=1.0∶6.0,采用质量分数为20%的氨水;氨解反应后的氟化铵溶液经氢氟酸酸化、浓缩、结晶制得无水氟化氢铵产品。在此条件下制备的无水氟化氢铵产品质量分数达到98%,符合优等品行业标准要求。新工艺具有良好的经济效益和环保效益,且生产成本低廉。     

学分银行信息平台架构设计

本文通过对学分银行组织架构、业务模式和用户群体深入分析后,提出基于云计算技术的学分银行信息平台架构设计,并结合应用环境的多样性探讨了平台研发和实施过程中的关键技术。     

两种新结构SiGe/Si功率二极管特性模拟

提出了在 n- 区中采用掺杂浓度三层渐变式结构 Si Ge/Si功率二极管及台面结构的 Si Ge/Si功率二极管。由 Medici模拟所得的特性表明 ,在采用 n- 区渐变掺杂结构的 p+ ( Si Ge) -n- -n+ 功率二极管中 ,在正向特性基本不发生变化的前提下 ,与 n-区固定掺杂结构相比反向恢复过程加快 ,二极管下降时间 t A 缩短近 1 /2 ;在采用台面结构的 p+ ( Si Gi) -n- -n+功率二极管中 ,反向恢复特性也有明显改进 ,电流反向恢复时间缩短近 1 /3 ,而电压反向恢复时间缩短近 1 /2。