红外墙透保护膜系软件设计及应用

根据制备红外增透保护膜系需要,编制了一个红外增透保护膜系软件。该软件可以设计、计算多层红外均匀增透保护膜系和非均匀增透保护膜系,更有强大多层膜系结构分析功能,不仅可以对设计的膜系进行综合评价,而且能对制备的膜系结构进行分析。实验结果表明,该软件对膜系设计和为制备工艺的改进能提供良好的指导。     

磁控反应浅射制备GexC1—x薄膜的特殊性分析

利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用于涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究。结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略的提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关。这一结论对磁控反应溅射法制备磁化物有普遍意义。     

地下室混凝土地板施工裂缝分析及控制

地下室底板裂缝是个相当普遍的问题,影响建筑物的寿命和使用功能,应采取有效措施控制,防止裂缝产生。     

WiMAX技术与应用——WiMAX与Femto

1 什么是FemtoWiMAX作为一种广为关注的无线宽带通信技术已经众所周知,而伴随着无线的迅速发展,出现了一类新的小基站,叫做FemtoCell或个人基站。这些微型基站大约是DSL路由器或电缆调制解调器的大小,可以利用现存的宽带Internet连接为移动用户提供室内的无线覆盖。具有以下特点：     

磁控溅射头罩镀膜膜厚分布模拟

尽管有很多模模型对平面磁控溅射膜厚分布进行了模拟，但对大面积如半球形的头罩膜厚分布的模拟则没有涉及。本根据磁控溅射球冠形基片上膜厚分布规律出发，分析了几个可能实际头罩均匀镀膜的模型，并对不同的模型进行了计算机模拟，找出了实现头置均匀镀膜的最佳方式，并得到了实际验证。     

极板间距对反应溅射Ge_xC_(1-x)薄膜的影响

利用射频磁控反应溅射法,以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1－x薄膜,研究了极板间距对沉积的影响。结果表明,随极板间距的减小,沉积速率增大,薄膜的均匀性变差,薄膜中Ge／C的原子比增加.     

平面磁控溅射薄膜厚度分布模拟

磁控溅射法是制备薄膜的一种重要方法 ,薄膜厚度分布是影响薄膜性能的一个重要因素。本文根据平面磁控溅射的实际 ,提出了一个较为全面的磁控溅射薄膜厚度分布模型 ,该模型综合考虑靶面溅射电流分布、溅射产额与入射角之间的关系、靶面出射粒子的角分布、空间角以及粒子迁移过程中的碰撞等。对建立的模型进行了计算机模拟 ,模拟结果与实验结果较为一致。     

磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的结构

利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子谱 (XPS)对制备的薄膜进行了分析。结果表明 ,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数。当沉积温度较低、射频功率不大时 ,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构。随着沉积温度升高、射频功率增大 ,薄膜中出现Ge微晶相。GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移 ,形成化学键。