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961.
本文提出了建立非理想运放等效Z模型的新方法,并以前差及后差映射积分器为例导出了非理想积分器的Z传递函数。利用这种方法,对典型的去耦式双二次二阶带通滤波器进行了计算机模拟及实验验证。所述方法可以推广应用于解决多种类型的高阶开关电容滤波器的设计问题。 相似文献
962.
Silicide-block-film effects on drain-extended MOS (DEMOS) transistors were comparatively investigated, by means of different film stack stoichiometric SiO2 and silicon-rich oxide (SRO). The electrical properties of the as-deposited films were evaluated by extracting source/drain series resistance. It was found that the block film plays a role like a field plate, which has significant influence on the electric field beneath. Similar to hot-carrier- injection (HCI) induced degradation for devices, the block film initially charged in fabrication process also strongly affects the device characteristics and limits the safe operating area. 相似文献
963.
964.
在分析了传统的应用于大负载电流降压式DC-DC变换器电流采样电路主要缺点的基础上,提出一种新的应用于降压式DC-DC变换器的电流采样电路。该方法通过一个电阻电容网络来消除电感寄生电阻的影响,并利用开关电容积分器来实现降压式DC-DC变换器的电流采样,在Chartered 0.35μm CMOS工艺下实现该电路并流片验证。最终的测试结果显示,提出的电流采样电路实现了对降压式DC-DC变换器精确的电流采样。 相似文献
965.
合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar,SAR)影像中的斑点现象是地物后向散射信号相互干扰产生的,其虽然类似噪声却涉及地物目标的散射特征.同一地物目标的散射特征可通过斑点统计分布模型来刻画,因此降噪过程中可通过恢复影像斑点的统计分布特性来保留斑点包含的地物散射信息.基于该思想,提出一种基于斑点统计特性保持的SAR影像迭代滤波算法.该算法假设给定SAR影像的统计分布函数是先验已知的,即建模为混合Gamma分布,其分布参数可利用影像的像素值估计;接着基于构建的混合Gamma分布模型,运用EM(Expectation Maximization)算法分割影像中的同质区域;再针对不同同质区域,选取拟合误差较大的灰度级,根据分割结果计算像素值为该灰度级的像素的密度,判断其是否是异常像素,并对异常像素运用Frost滤波器进行降噪.重复上述步骤,直到滤波后的影像直方图较好地服从统计分布函数.GF-3和Radarsat-2 SAR影像数据实验结果表明,该算法在保证影像质量的前提下,不仅能获得较好的统计建模结果,而且较好地抑制了相干斑噪声,实现影像降噪. 相似文献
966.
利用改进的同步物理反演方法计算东亚地区的云参数和可降水总量,并用气象卫星短、长波窗区通道亮度温度差对反演结果进行真实性检验.结果表明:该反演算法的效果是好的. 相似文献
967.
文章简要回顾了共轭梯度法研究方面已有的丰富成果,以OFDM系统PAR(峰值平均功率比)的全局最优化问题为例,论述了共轭梯度法在信号处理中存在的新问题,即对步长的要求非常苛刻,并提出系统综合设计建议;最后,针对共轭梯度法如何在信号处理中得到更好的应用,提出了值得探讨的研究方向。 相似文献
968.
采用AT89S52单片机为主控制芯片,结合直流电机、多种传感器、红外遥控及其他外围电路,设计实现了一种沿黑色轨迹行走的智能循迹小车,同时还能自动避障,并在遥控的作用下完成小车行走的控制。实验证明整个系统设计灵巧、控制准确、工作稳定、使用效果良好。 相似文献
969.
距离地球几光年,有颗行星叫乐球,那里的人们爱乐爱生活。无论独自起舞,还是群魔乱舞,乐球人的世界音乐我最大。离不开亲密朋友,离不开舞步乐曲,最重要的是,离不开索尼爱立信W20! 相似文献
970.
基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合。该模型可望用于器件性能评估和设计优化。 相似文献