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991.
目的提高延时电路的贮存环境适应性。方法在80℃、90%RH的湿热条件下,开展延时电路实验室加速老化试验,分别在老化0、97、133 d时取样,检测电性能,分析电路外表面腐蚀损伤特征,测试内部缺陷和多余物,检查腔体密封性,定位失效部位,观测内部芯片腐蚀损伤特征,检测腐蚀产物,分析高温湿气对延时电路外引线-玻璃界面密封性失效与可伐合金基体腐蚀的作用机制。结果湿热老化133 d时,延时电路输出端3无输出波形。随湿热老化时间的延长,外引线-玻璃界面缝隙腐蚀程度逐渐加深,氦漏率单调上升,壳体密封性逐渐降低乃至失效。外界湿气进入延时电路内部,整个老化周期内部芯片无缺陷,但133 d时电路内腔出现多余物,位于第14外引脚引线柱边缘处,也是导通测试定位的失效点。该引线柱的可伐合金基体与其上的镀金层在高温湿气的作用下,由于电位差形成腐蚀电池,可伐合金作为阴极与湿气和氧发生电化学腐蚀,生成腐蚀产物并覆盖于镀金表面,导致第14外引脚与其上的金键合丝之间开路,延时电路失效。结论降低延时电路贮存环境湿度,同时改进生产工艺,在金属-玻璃封接界面形成一层厚度适当的致密氧化膜过渡层,可延缓湿气进入电路内部。增大可伐合金基体镀金层或镀镍层厚度,可减小基体发生电化学腐蚀几率,提高延时电路贮存环境适应性。  相似文献   
992.
低粗糙度磨利通常采用低速磨削。近年来,广西大学磨削研究室在高速低粗糙度磨削方面进行了大量的研究工作,试验表明,高速低粗糙度磨削具有许多低速低粗糙度磨削无法比拟的优点。本文主要论述修整参数对砂轮表面地形的影响,藉助微型计算机和透射电子显微镜还对高速低粗糙度磨削机理进行了一些探讨。  相似文献   
993.
The experimental results of niobium enrichment in laboratory and in blast furnace in Baotou Iron andSteel Corporation were reported.The effects of temperature,constituents of slag and silicon content in hotmetal on niobium recovery were studied and the results have been verified by blast furnace operation.Opticaland electronic microscopy and EPMA was observed that at the metal-slag interface there is NbC deposit layerobstructed Nb entering into the metal,By raising the temperature of hearth and agitating the bath,the reduc-tion of niobium oxide in slag could be speeded up,the solubility of Nb in hot metal could increase and thedeposited NbC layer became thinner and even disappeared,in result,Nb recovery was increased.A compre-hensive extraction process combining ore dressing with pyro-hydro-metallurgy was suggested for Baotouniobium resource which was difficult to be concentrated formerly.The methods of increasing niobium recoverywere also suggested.  相似文献   
994.
HighTemperatureThermodynamicsofRE(La,Ce,Pr,Y,Tb)-S-FSystemsHongYanruo;R.VasantKumar*andLiLiansheng(洪彦若)(李联生)(UniversityofScie...  相似文献   
995.
ApplicationofSolidElectrolyteCellstoStudyofThermodynamicPropertiesofRE-O-FSystemsHongYanruoandLiLiansheng(洪彦若)(李联生)(Universit...  相似文献   
996.
鲍进生  杨成  哈宽富 《金属学报》1995,31(5):197-200
实验证明位错密度有两个量级差异的Fe-3%Si单晶体的延-脆转变温度几乎不变,但与Fe-3%Si多晶体的转变温度比较相去甚远。  相似文献   
997.
采用Al-28Cu-5Si-2Mg钎料,在真空高频感应条件下对SiCp/LY12复合材料进行了钎焊连接。试验结果表明:钎焊温度、保温时间、SiC颗粒的体积分数以及焊后时效处理均会影响SiCp/2024Al复合材料钎焊接头的连接强度:钎缝中有少量SiC颗粒存在,且分布不均匀。在靠近母材处出现贫化区,在钎缝中心两侧有较小的集聚区。SiCp/LY12复合材料钎焊接头的断裂是由于钎缝金属中的SiC颗粒成为裂源,裂纹沿钎缝作低能量撕裂所致。  相似文献   
998.
采用柠檬酸发泡法制备了钙钛矿LaCoO3催化材料;研究了Ce对La进行掺杂替代对催化材料性能的影响;通过BET、XRD、SEM等手段对催化材料进行了物性表征;以甲烷完全燃烧为目标反应,研究了钙钛矿La1-xCexCoO3 δ的催化性能.结果表明:铈掺杂对材料晶相有较大影响,当掺杂量x小于0.3时,粉体晶型基本不变,而当掺杂量达到0.5时,有明显CO3O4晶相出现,LaCoO3钙钛矿晶相完整性遭到破坏,当掺杂量大于0.7时,钙钛矿晶相大大弱化甚至消失;LaCoO3是一种性能优良的甲烷燃烧催化材料,Ce的掺杂替代对催化材料活性有明显影响,并增强了催化材料的高温稳定性能,铈最佳掺杂量为0.3;前驱体经700℃焙烧形成了较为完整的钙钛矿晶型,经800℃焙烧后,催化材料最高活性为:t10%=390℃,t90%=603℃.  相似文献   
999.
FeCl_3溶液中影响Cu蚀刻速度的因素   总被引:5,自引:0,他引:5  
采用喷蚀的方法,研究了Cu在2.5mol/LFeCl3溶液中影响蚀刻速度的几个因素。用XRD方法分析了Cu蚀刻表面的成分,证实了蚀刻过程中CuCl钝化膜的形成;研究了蚀刻速度随蚀刻时间的变化规律,给出了初步的解释;同时研究了蚀刻液中不同氯化物添加剂对蚀刻速度的影响,结果表明阴离子不是影响蚀刻速度的唯一因素,不能排除阳离子的影响;同时对蚀刻液的溶铜能力及失效蚀刻液的再生进行了初步的研究。  相似文献   
1000.
混合集成电路铜功率外壳气密性失效分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
玻璃封接金属管壳是集成电路封装中的1类主要组件,该管壳是将玻璃与可伐合金封接而成的绝缘子钎装在铜管座上制成的。本文研究了PM型混合电路铜功率外壳气密性失效问题,产品高温老化后,气密性可由10^-8Pam^3/s降到10^-5Pam^3/s。结合对失效产品的解剖,以及与国外不漏气的同类型功率管的对比分析,分析了影响玻璃封接金属管壳气密性的因素以及生产工艺对封接质量的影响,提出若干改进建议,并指出提高产品质量的有效途径。  相似文献   
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