含膜触头静态接触下接触电阻有限元模型及其分析

对触头静态接触电阻计算进行了分析,并首次提出含膜触头接触电阻有限元计算模型。在触头无膜时的接触电阻有限元计算中,接触头边界条件是齐次第二类条件,自动满足,而触头含膜后,其接触头的膜边界条件不能自动满足。通过分析,对有限元计算中的含膜边界进行了变分计算,并编制出含膜触头接触电阻的有限元计算程序,计算了单斑点下含膜触头的静态接触电阻,计算结果与理论非常接近。     

助接触剂对继电器触头接触特性的影响

助接触剂是加入到两个相对运动的电接触表面起一定作用的物质,本文将助接触剂引入继电器的触头表面,研究其对接触特性的影响.在触头带两种不同等级负载条件下,对表面除敷和未涂敷助接触剂的触头样品分别进行了测试,对实验结果进行了分析、探讨.提出了一些初步结论.     

红外光电式自动冲水控制器

目前我国公共厕所冲便大都采用浮球式水箱(低水箱),这种方式工作时,不论便池中有无便溺,也不论是白天或夜间,只要水箱放满水,浮球装置就开阀放水,造成水源的巨大浪费。为了节约用水,笔者设计了一个“红外光电式公厕冲便自动控制器”。其基本设计思想是:在公厕入口处安装红外光电式计数装置,对进入公厕人数进行计数,当人数达到设定数值时,控制器自动打开冲便水箱放水冲便。这种装置花钱不过百元,经一些单位使用,反映较好,节水量达30％～60％,有一定的推广价值。     

椭圆偏振光法在金属腐蚀和电沉积研究中应用

一、前言椭圆偏振光法能测量固体表面层的厚度和折射率,在已有的各种测量膜厚方法中,椭圆偏振光法测量精度高,能测量最薄的膜厚。椭圆偏振光法作为研究固体表面的工具,它的应用很广,配合电化学测量可研究表面膜的生长和溶解过程,通过光学参数可对膜的组份和均匀性作出判断,因此除了用于膜层分析外,对于如金属腐蚀、氧化、吸附、催化等表面过程研究椭圆偏振光法也是一种有效的工具,所以,在电化学、金属、     

多晶硅膜的热壁低压化学汽相淀积

目前多晶硅膜的淀积与其他Si_3N_4、SiO_2等薄膜工艺一样,一般都采用CVD技术,国内生产都是在冷壁常压系统中淀积.本文介绍热壁低压CVD技术,使装片容量增加到常规CVD技术的4到5倍,且膜厚的均匀性好,含氧量低,不用携带气体和加热基座,因此工艺简单,能节省电力与高纯气体,具有较大的经济效果.试验中采用的硅源为20%SiH_4气体,系统压力为0.5～1托,淀积温度为640℃～700℃,SiH_4气流量为25～45毫升/分,淀积膜厚2000～7000埃的多晶硅膜,淀积速率为90～160埃/分.膜厚每增加1000埃,R(?)比值降低约1.2倍,淀积温度每增加20℃,R(?)比值降低约1.3倍.根据电子衍射分析,多晶硅膜的最低淀积温度为600℃左右,一般以640℃至700℃为宜.薄膜表面晶粒大小随淀积温度与膜厚增加而增加.     

基于模糊理论的真空断路器开断电寿命综合评判的研究

应用模糊理论,对真空断路器(VCB)开断电寿命进行综合评判,提出了各参数离线或在线数据的处理方法,使用二级评判模型对7种断路器进行评价,为全面、科学、准确地进行VCB实时在线监测和评判提供了新的方法。     

近期潼关水沙变化对河床冲淤的影响

1986年以来，潼关水量和沙量大幅减少，洪峰少，流量小，历时短，含沙量高。1986－1999年汛期平均水量120亿m^3，比前期减少40％－60％，日平均流量大于3000m^3/s的出现天数和水量均减少90％以上，沙量变化较小，含沙量成倍增加，致使潼关高程汛期平均下降幅度明显偏小，比非汛期上升偏小0．10m，比建库前汛期平均下降值偏小0．08m，若与控制运用初期相比，则偏小0．30m为了适应入库水和条件的不利变化，水库运用方式多次进行调整和改善，但河床淤积仍较1985年前严重，潼关高程逐上升，尤其1994年以来，入库水沙量在前期大幅减少的基础上又明显减少，潼闹程居高不下，长期变动在328．00－328．35m之间。     

发展低压电器新一代技术的探讨

从系统工程的观点出发，从科技发展的高度综合化，多学科交叉与渗透出发，探讨了加速发展低压电器智能化技术与计算机控制的综合电器信息化以及CAT与监控技术等几个问题。     

“黄河上游多民族经济开发区”的构想过程记实

在我国沿海地区经济发展战略正得以逐步实施,东西部的差距越来越大的情况下,1988年4月,正在参加第七届全国人民代表大会的甘肃、宁夏、青海三省区的贾志杰省长、白立忱主席和宋瑞祥省长,提出共同建立黄河上游资源开发区的设想,受到党中央和民盟中央的重     

氧等离子体条件下GaAs的阳极自体氧化

本文实验装置使用1.5～2MHz高频振荡器,在低氧压下辉光放电产生氧等离子体对GaAs进行自体氧化。观察了高频电场、阳极偏压、加热温度等条件对氧化速度、氧化物均匀性等的影响,分析了氧化物的结构与组成及电性能,园满地制备出大面积GaAs自体氧化物。 所用GaAs样品为:n型<100>晶向,N_d≈10~(17)cm~(-3),φ35圆片。晶片由机械-化学抛光后溶剂脱蜡,再用H_2SO_4:H_2O_2:H_2O=4:1:1(体积)溶液腐蚀,冷、热去离子水漂洗。 在阳极偏压 45V,加热温度170℃时氧化速度为120[A/分],氧化物折射率为1.83～1.85(波长6328A),电阻率大于10~(15)Ω·cm,击穿电场强度 为±10~6V·cm~(-1),给出了MOS C-V,I-V特性,电子衍射图和俄歇电子能谱分析结果。