三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元

半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦合后,三维半导体柱型微腔中具有相同角量子数和径向量子数的两个低阶腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元能量随微腔半径变化的情况.结果表明随着微腔半径的减小腔模能量蓝移,腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元的三支随着微腔半径的减小存在明显的反交叉行为.随着微腔半径的变化,极化激元的三支所体现的模式的特性是变化的.     

GaAlAs/GaAs DH激光器的自脉动特性

本文对 L-I特性曲线扭折的 GaAlAs/GaAs DH激光器光输出中自脉动振荡现象,进行了时间分辨光谱,瞬态近场分布的测试.根据实验结果,用有源区Al含量不均匀分布而产生不同发射波长的双光丝的模型,定性地解释了自脉动振荡的现象.     

条型DH半导体激光器的稳态模型

通过对条型DH激光器光与物质相互作用的分析,建立了稳态模型。利用数值计算法得到了稳态解,用以说明激光器的电光特性曲线的非线性,以及近场漂移、远场变化及激射波长与注入电流的关系。     

基于PIC单片机和AD7705的高精度信号采集系统设计

提出了一种基于PIC单片机和AD7705实现模拟信号的高精度采集的设计方案.选用PIC18F458为主控制芯片,AD7705为A/D转换器,通过SPI通讯接口进行连接,其中利用6N136对接口进行光电隔离来提高通讯可靠性.根据所采集信号的不同范围,在信号输入前端加入滤波电路然后通过MCP602和反馈电阻进行相应倍数的精密放大以满足AD7705的采集范围要求,并且采用MCP1525为AD7705提供基准电压以保证信号采集的精准度.此外,为了使PIC18F458能够保持高效稳定地工作,采用HT7044组成单片机复住电路.实验结果表明,该系统应用于工业现场进行模拟信号采集,无论是采集精度还是稳定性都达到了理想的效果,实现了模拟信号的高精度采集.     

用MATLAB模拟三层平板波导的模式特性

本文建立三层平板光波导模型，推导出电场方程的具体形式，运用MATLAB对三层平板波导理论进行分析求解，使以往复杂的计算变的非常简单。将具体数值代人电场方程进行计算，取不同的波导层厚度时得到不同的波导模式，然后做出不同波导模式TE波的三维图形。最后介绍了三层平板波导理论在激光器模式理论中的应用。     

塔里木盆地西南缘上震旦统克孜苏胡木组有障壁海岸沉积体系

通过对塔里木盆地西南缘上震旦统克孜苏胡木组详细的岩石学特征、沉积相类型、组合及沉积层序研究认为，研究区克孜苏胡木组为一典型的有障壁海岸沉积体系，可划分出滨外陆棚、障壁岛和潮坪3个亚相；障壁岛海滩体系在研究区发育近滨、前滨微相而后滨砂丘不发育；潮坪沉积体系包括潮上带、潮闻带和潮下带3个微相；沉积演化和沉积模式研究表明其属海退模式。     

金属平面半导体量子阱微腔自发发射

应用微腔腔量子电动力学和半导体量子阱物理,讨论了平面半导体量子阱微腔的自发发射,得到了腔结构、量子阱参量和注入载流子下的微腔自发发射谱和载流子寿命．计算发现由于微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制,平面微腔可以增进自发发射,具有很强单方向性．     

基于单片机的Flash存储器坏块自动检测

在深入了解Flash存储器的基础上,采用单片机自动检测存储器无效块。主要通过读取每一块的第l、第2页内容,判断该块的好坏,并给出具体的实现过程,以及部分关键的电路原理图和C语言程序代码。该设计最终实现单片机自动检测Flash坏块的功能,并通过读取ID号检测Flash的性能,同时该设计能够存储和读取lGB数据。