屏蔽暂堵工艺在气井修井上的应用评价

随着气藏压力逐年下降,气层抗污染能力逐渐减弱。为了减少修井过程中的储层损害,文章介绍了气井屏蔽暂堵工艺。开发的屏蔽暂堵剂YLZ-I具有良好的流变性和可泵性,固化时间可根据需要调节,性能稳定,强度高,解堵后地层渗透率恢复值不低于95％。文92-47等井的现场应用表明,该工艺简单易行,在气井修井过程中能暂时封堵气层,修井结束后成功解堵,有效地保护气层。     

双频共塔中的避雷

本文以比较实际的经验简述了双频共塔中的避雷措施，较详细地分析了避雷电路改进的理由，并介绍了双频共塔避雷电路使用元件的计算方法。     

高幅相一致6—18 GHz下变频器设计

在射频超外差接收机中,下变频器是一种常用的功能组件,主要用于射频信号的侦测接收。针对6-18 GHz 频段,提出一种下变频器的设计方案。下变频器采用混合集成电路工艺,中频处理带宽1 GHz,噪声系数优于6 dB,幅度一致性优于±2 dB,相位一致性优于±15°,无虚假动态范围大于50 dB。组件内部采用多功能芯片和MEMS滤波器组,内置多级数控衰减和数控移相器。下变频器具有频段宽、体积小、集成度高、易于调试的优点。     

一种高速低功耗的欠压锁定电路

设计了一种高速低功耗的欠压锁定电路。在迟滞比较器的输出级采用轨对轨输入共源放大器电路,检测VUVLO由高电平跳变为低电平的过程,自适应地控制输出级的尾电流源大小,以减小输出建立时间,使得后级电路能够快速响应电源变化。基于华虹0.35 μm BCD工艺进行设计与仿真,结果表明,在输出级的尾电流大小为1.3 μA时,相比传统电路,该电路能减少30%的输出建立时间。这不仅降低了功耗,还提高了电路响应速度。     

宽带测向系统信号选择方法的研究

根据排队论,认为宽带测向系统接收多部雷达信号脉冲流是一个泊松（possion)流。依据泊松流和实时处理的要求,提出用卡尔曼滤波拟合法。经过实验,取得了满意的效果。     

RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型

提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.     

基于DMT的单片ADSL收发器

文章介绍了片上系统的设计方法,分析了一种非对称数字用户环路收发器片上系统芯片的组织结构、设计方法及设计难点,为今后开发具有知识产权的ADSL SOC芯片迈出了第一步。     

电子束蒸发制备新型非晶半导体MgSnO薄膜

采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜.薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14～92.05％,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大.霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59 cm2V-1s-1.     

位置敏感光电探测器

位置敏感光电探测器具有广泛的用途，介绍了器件的工作原理，输出信号的位置表达式及各种不同几何图形，等效电路，位置线性度和清晰度等参数性能，存在的缺点，以及不同几何结构的器件性能比较。     

多波长可调谐Ti：Al_2O_3飞秒激光器的研究

研制出一种多波长可调谐自锁模Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３激光器．能够同步产生二个或三个波长的飞秒脉冲序列．最短脉冲为４８ｆｓ，平均功率为７０ｍＷ．脉冲中心波长间距在２６～４９ｎｍ范围内可变。激光器波长调谐范围为７５０～８３０ｎｍ。