电子组装用自催化镀金工艺

描述了一种自催化化学镀金工艺(该工艺适用于电子组装尤其是引线焊接)。该工艺能获得满足或超过军用要求的高纯、无孔隙的软的任意厚度的镀金层。本工艺适用于多种有机层压板(FR—4、多官能团环氧)、加成法和减成法制作电路及陶瓷基板。本文将介绍该工艺的流程、镀液参数、镀液性能和相关的冶金学特性。该工艺可作为目前常用的化学浸Ni/Au工艺的极好的后道工艺。本文将讨论镀速、纯度、硬度及引线焊接数据与镀液使用时间的关系。该工艺的镀速可在1.5～2.5μm/hr间调整。即使镀液中有金属杂质及镀液老化,仍能获得纯(>99.93％)而软(<70Knoop努氏硬度)的镀层。本文还将介绍引线连焊数据与金层厚度及镀覆参数的关系。该工艺还能用于细线条(>50μm)小间距(>45μm)图形的镀金,且不损害线条精度或产生桥接。该工艺还具有极强的深镀能力,孔径比高达 15:1的PTH孔(孔径0.03mm,长0.45mm)亦能均匀施镀。     

计算机辅助生成控制系统故障树

有关故障树生成方法的研究已经成为故障树分析研究中的一个重要分支，故障树的完善程度将直接影响系统可靠性的定性分析和定量计算。因此，故障树及故障树自动生成方法的开发研究具有非常现实和极其广泛的应用价值。本文分析了已有的控制系统故障树生成方法特点，提出一种计算机辅助故障树生成方法。通过系统元件的逻辑关系对所建立的元件故障模式数据库的搜索生成系统的故障树。该方法给出了元件故障模式的建立、元件问的关联方法、控制回路模板的建立方法以及故障树自动生成算法。最后，结合一个复杂系统故障树的生成验证了该方法的可行性和有效性。     

垂直提升带式输送机的研究

简述了垂直提升带式输送机的布置形式及其主要部件的结构特征     

喇曼传感技术在电缆绝缘监测中的应用

分析了几种现有检测电缆绝缘性能的方法及其局限性,介绍了喇曼分布式光纤温度传感原理,设计了基于喇曼分布式光纤温度传感技术的电缆绝缘监测系统,探讨了基于电力通信网和光开关的电缆绝缘监测网的组网方案.     

MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

联合反击作战无线电通信组织刍议

本文论述了联合反击作战中无线电通信组织问题，涉及编成配置、力量使用、组网、防反、保障诸方面。     

NiO—WO3／F—Al2O3—SiO2催化剂活性组分的存在状态研究

应用TPR、XRD等方法研究了共胶法制备的NiO/F-Al_2O_3-SiO_2、WO_3/F-Al_2O_3-SiO_2及NiO-WO_3/F-Al_2O_3-SiO_2三种催化剂的还原性能及其活性组分的存在状态.结果表明,在NiO/F-Al_2O_3-SiO_2中NiO呈分散状态;在WO_3/F-Al_2O_3-SiO_2中WO_3与载体相互作用形成两类表面相互作用复合物;在NiO-WO_3/F-Al_2O_3-SiO_2中NiO有选择地与WO_3相互作用,形成易于还原的Ni-WO_4物种,从而改善了催化剂的还原性能.活性试验结果表明,该催化剂对萘的加氢裂化具有较好的催化活性.还应用多元线性回归法对TPR图谱进行了定量解析,求取了TPR动力学参数.     

五功能湿切面装盘机

本文介绍了科研项目“五功能湿切面装盘机”其装盘、计量、斩断、成型、输送五个功能各装置的工作原理、特点。