彩电视放供电滤波电容“腐败”变质引起的故障检修/经验/总结

彩电视放电源滤波电容“腐败”变质以后,会产生很多奇特的故障现象,如果不对其“症状”有所了解,很难“对症下药”。该电容损坏后引起的“症状”多种多样,常见有以下几种:(1)图像上蒙有一层木纹形状的干扰线条,该干扰线条还不时发生变化;(2)有光栅,无图像,屏幕上出现类似行不同步的横向条纹;(3)     

音乐集成电路的应用及其扩展应用

音乐集成电路简称音乐IC,俗称音乐片。它虽然看起来很小,即是一种内含着成千上万个元器的CMOS大规模集成电路芯片,芯片内部电路比较复杂,我们不用耗费过多的精力去研究它,只要掌握有效的使用方法即可。音乐集成电路的应用十分广泛,利用音乐集成电路的音响效果,可以使电子玩具及各种报警装置大大简化电路。电子音乐门铃就是音乐集成电     

脉冲电化学加工现状与进展

介绍了脉冲电化学加工(PECM)的机理,综述了PECM/PECMM的国内外技术现状及研究进展,详细阐述了脉冲电化学加工的工艺模型和复合加工技术,并展望了今后的发展前景和重点研究方向。     

基于超声波研磨加工机理的影响因素研究

根据硬脆材料具有很高的硬度和脆性特点,建立了超声波研磨加工硬脆材料去除理论模型,从理论上分析了超声波研磨加工硬脆材料的去除原理和加工优势,详细地分析了加工间隙、磨粒大小和超声波声压对材料的去除率和加工质量的影响.研究表明,基于超声波研磨加工在最佳组合条件下能够有效提高工件表面质量,实现精密超精密加工.     

脉冲电解复合加工技术应用研究与现状分析

对脉冲电解加工技术应用研究进行了介绍,阐述了脉冲电解加工技术,介绍了脉冲电化学加工的机理及国外脉冲电解加工的研究和进展,分析了脉冲电解加工的国内外研究现状,提出了脉冲电解加工技术存在的问题及研究的方向。     

螺旋滚筒喷嘴内流场数值模拟研究

为提高螺旋滚筒的喷雾降尘效果,改善井下作业环境,基于流体动力学理论,建立喷嘴内部流场模型。对不同喷嘴口径、旋流芯中心孔口径以及喷雾压力的喷嘴喷雾过程进行数值模拟,得到不同参数条件下流体速度的分布规律:喷嘴口径在一定范围内适当增大能够增加内部湍流区域,进而提高出口位置流体的流出速度;旋流芯中心孔直径的增大虽然在一定程度上增加中心孔射流对旋流场的扰动,但是对流体喷出速度影响不大;随着喷雾压力提高,流体内部湍流动能得到加强,喷嘴出口流速得到提高。对工业性试验中工作面粉尘质量浓度进行测定,在滚筒喷雾系统开启后降尘率达到90%以上,工作面粉尘质量浓度得到了有效降低。     

走进信息技术教学现场

随着中小学信息技术学科的发展．其教研活动也取得了不菲的成绩。但是，受到各种因素的制约，与其他学科相比，其教研形式和教研质量仍有不小的差距。尤其是基础教育新课程实验背景下的多纲多本、考评标准自制等因素，在根本上制约着它的发展。无论是教材内容还是课堂形式，已对教研活动的广泛组织和成果共享造成了不少难题。更重要的是，新课程的理念发生了改变。这种变化不仅是师生思维方式和教学手段的变化，     

单带式连铸结晶器内熔体在静磁场下的流动行为模拟

为研究单带式水平铸造结晶器内熔体在静磁场制动下的流动行为,基于有限体积法建立一个描述水平薄带连铸结晶器内电磁场-凝固传输过程耦合的三维数学模型。通过把磁场和凝固传输过程原本相互影响的双向耦合过程简化为静磁场对凝固传输过程的单向作用,采用间接耦合法计算电磁-凝固传输过程,分别以ANSYS计算的两种外形的真实磁场和文献中所用虚拟条形磁场作为静磁载荷,计算各种棱廓的磁场和不同磁感应强度值对结晶器内流动行为的影响。结果表明,以0.2 T恒值横向贯穿结晶器的虚拟磁场对熔体流动控制的综合效果较好,竖直条形比水平条形磁场更优;由于磁场存在衰减,导致真实磁场在整个结晶器截面的流动形态不一致,其值为0.4 T时对流动的修正效果最好,但较虚拟磁场差。该计算模型及研究方法和结果为改进磁流修正装置和结晶器内流动的后续研究提供依据和参考。     

超声-脉冲电解复合研磨加工机理研究

提出了采用基于超声波的超声研磨-脉冲电解复合研磨加工技术,从理论上探讨了基于硬脆金属材料的超声-脉冲电解复合研磨加工机理以及加工模型,并进行了脉冲电流与超声波研磨加工硬脆金属材料的试验研究,研究表明,该复合加工技术使加工速度、加工精度和表面质量都有所提高.     

电沉积ZnSe薄膜的合成及性能表征

在硫酸锌和亚硒酸钠的酸性柠檬酸钠电解液体系中进行ZnSe薄膜生长条件系列实验,为了进一步研究电化学沉积参数对薄膜成分和形貌的影响,采用正交试验方法,对pH值、离子的浓度比、电流密度、络合剂、温度等沉积参数进行了进一步详细研究,得到了最佳电化学沉积参数;最后,用分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)和X-射线衍射仪(XRD)对薄膜的成分、形貌和结构进行分析和表征,表明该薄膜的化学计量比接近1:1.