降低120t转炉钢铁料消耗生产实践

钢铁料消耗是炼钢成本构成的主体,是炼钢生产过程的综合性技术指标。从唐山中厚板材有限公司炼钢厂的生产实际出发,分析了影响钢铁料消耗的主要因素,通过完善物流管理、优化炼钢工艺、提高连铸金属收得率等措施,降低了转炉钢铁料消耗,2011年全年钢铁料消耗为1 052.18 kg/t,比2010年降低了17.32 kg/t,吨钢降低成本53.4元。     

纺织品涂层整理剂的生态问题和解决方法

纺织品涂层整理是一种重要的整理技术.阐述了涂层整理剂的生态要求,分析了涂层整理剂(聚丙烯酸酯涂层剂、聚氨酯涂层剂、聚氯乙烯涂层剂)的生态问题,并指出解决的方法和取代品.同时介绍了涂层剂中含有的添加剂生态问题和解决方法,他们的取代品有:(1)阻燃剂(双环笼状磷酸酯衍生物的膨胀型、有机硼系、新型硅系、硼-氮协同阻燃体系和硼-硅协同阻燃体系、有机化合物与无机氮盐的复合物、烷基磷酸的氮衍生物);(2)防水剂(改性有机硅聚乳液、丙烯酸氟烃酯类树脂、含亲水链段的含氟易去污剂、弱阳离子型氟化物分散体);(3)抗菌剂(无机化合物型、季铵盐型、胍类、天然化合物);(4)交联剂应使用不含或不会释放出甲醛的品种,也可以便用低甲醛(符合标准)含量的交联剂.     

基于EPP协议的AVR与PC并行通信系统的设计

介绍了EPP协议的基本原理和AVR单片机，提出了PC与AVR单片机的接口方法，提供了接口的硬件原理图和EPP通信的代码实例。     

减少中厚板坯连铸漏钢事故的实践探讨

针对唐山中厚板材有限公司炼钢厂1号连铸机近2年来发生漏钢事故的实际情况,分析探讨了各种漏钢事故的原因并从操作、工艺、设备3方面进行了改进及优化,现场应用后,使得1号板坯连铸机的漏钢事故得到明显的减少。     

基于DSP高压容性设备监测系统自动化研究

本文介绍一种基于DSP和CPLD的高压容性设备在线监测终端系统的硬件和软件设计.简述了该终端系统中DSP接口电路、高速A/D转换电路、锁相环倍频电路及通信接口电路的实现,利用DSP优化的傅里叶变换求取介质损耗角δ,从而达到在线监测高压容性设备的绝缘性能的目的.经实践表明,该系统稳定可靠.     

增材制造高性能聚合物及其应用研究进展

增材制造(AM),通俗称作3D打印,由于其"控形控性"的优点,已在航空航天、光电工程、微电子等领域受到广泛关注和迅速发展.在各领域的实际应用中,开发3D打印材料是直接决定其应用和发展的关键.因此,本文就目前高性能聚合物3D打印材料及先进智造技术进行综述,重点介绍聚合物3D打印技术、3D打印高性能聚合物材料及其相关应用,...     

工程化教学体系在"供电技术"课程中的实践

"供电技术"课程的实用性和综合性很强,有明确的工程应用背景.本文基于新的工程教育理念,针对课程教学环节中存在的问题,构建了强调技术基础知识、注重探究式学习方法,实施主题项目实践活动的工程化教学体系,全面整合教学内容,改进教学方法,完善教学手段,为学生营造一个浓厚的工程氛围,提高学生的工程设计与实践能力.     

大气相对湿度对聚酰亚胺薄膜表面电晕特性及老化过程的影响

在不同的大气相对湿度(RH)下,聚酰亚胺薄膜的电晕耐受能力具有显著差异,为了掌握相对湿度对薄膜表面电晕特性及老化过程的影响,本文对不同RH下薄膜的电晕放电过程、电学变化及表面形貌进行跟踪监测,获得了RH对薄膜电晕老化的影响规律.结果表明:随着RH的升高,正、负半周放电活跃程度呈现相反的变化趋势;在RH≤69％时,放电量和放电频次随电晕时间表现为快速增长阶段、平稳阶段和二次发展阶段,当RH达到84％时,两者随时间呈线性增加趋势;薄膜含水量变化率(Δwt％)在电晕老化初期提高较为明显,而在中后期趋于平稳,当RH达到84％时,Δwt％随老化时间线性上升;分析表明,电晕放电对薄膜表面的电热损伤是表面电阻率(ρs)快速下降的主要原因,随着电晕侵蚀,水分缓慢渗入,最终导致体电阻率(ρv)的剧烈下降直至击穿.     

ETAD最近实施的染颜料产品更为严格的新版限制物质道德规范解读(续一)

为了适应当前市场上化学品安全要求和环境保护的新形势和支持2020年有害化学物质零排放的目标,对ETAD最近实施的染颜料产品更为严格的新版限制物质道德规范进行了解读,并与ZDHC的MRSL 1.1版作了比较。它们不仅对我国建立染颜料研究、生产、贸易和应用的安全技术规范起到积极作用,而且对我国染料工业的创新驱动和转型发展具有重要意义。     

Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展

随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景.然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错.因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点.文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景.