腺病毒介导的MDA-7/IL-24基因对裸鼠胆囊癌移植瘤的生长抑制和促凋亡作用

目的: 构建胆囊癌荷瘤鼠模型,利用构建的携带人MDA-7/IL-24基因的复制缺陷型腺病毒Ad.mda-7作为载体,观察MDA-7/IL-24基因对胆囊癌荷瘤鼠的作用,为胆囊癌的基因治疗提供理论基础。方法: 构建荷瘤鼠模型,将携带人MDA-7/IL-24基因的腺病毒Ad.mda-7作用于荷瘤鼠。通过观察肿瘤大小的变化来了解MDA-7/IL-24基因作用后的效果。观察荷瘤鼠的生存时间,绘制生存曲线,比较各组的治疗效果。取出肿瘤通过免疫组化和TUNEL法检测肿瘤组织内凋亡相关蛋白、细胞增殖相关抗原Ki-67蛋白的表达。结果: Ad.mda-7组裸鼠胆囊癌生长抑制率明显高于PBS组和Ad.GFP组 (P<0.01);Ad.mda-7组裸鼠长期生存率为 62.5%,明显高于PBS组和Ad.GFP组的35%(P<0.01);Ad. mda-7组治疗后瘤细胞的凋亡率显著高于对照组 (P<0.01) ;Ad.mda-7能够明显抑制Ki 67的表达(P<0.01)。结论: 复制缺陷型重组腺病毒载体Ad. mda-7能介导MDA-7/IL-24基因在人胆囊癌荷瘤鼠抑制肿瘤的生长,延长荷瘤鼠的生存时间,促进肿瘤细胞的凋亡,减少Ki-67的表达,从而提示MDA-7/IL-24基因能够减少肿瘤的复发和转移。     

ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子复合

采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合.观察到在该结构中存在由量子阱到量子点的激子隧穿现象.改变垒层厚度会对量子阱和量子点的发光产生显著影响.在垒层较薄的阱/点耦合结构中,隧穿效应可以有效地抑制量子阱中的带填充和饱和效应.     

氚的几种监测方法的初步应用

氚(T)是一种纯β辐射体,其β最大能量为18.6千电子伏,平均能量为5.7千电子伏,半衰期为12.26—12.46年,在空气中主要以氧化物状态(HTO,T_2O)和元素状态(HT,T_2)存在。氚β能量低、射程短(在空气中最大为0.5厘米,水中为6微米),给探测带来一定困难。 现在已有许多监测氚的方法,但各有一定的适用范围。我们用“FJ-357低能β测量仪”     

采用模式搜索法对轨道炮重要参数的优化设计

在充分考虑了电枢运动中所受到的主要阻力,包括等离子体的粘滞阻力、惰性阻力及空气阻力的基础上,构建了包含电枢速度、轨道间距和电枢位移量等在内的优化模型,以及轨道间距、轨道的高和轨道的厚度有关的电感梯度的模型,并采用模式搜索法进行优化计算.优化结果表明:当轨道间距和电枢位移量一定时,弹丸发射速度将会达到最大.而调整发射轨道的高度、厚度可以达到调整弹丸的发射速度的目的.研究结果可为电磁炮相关参数的设计和制造提供了理论上的依据和技术上的支持.     

民居精粹王家院

走进王家大院,便是走进了封建时代中国百姓的梦幻家园 走进王家大院,便是走进了晋商的一段辉煌历史 走进王家大院,便是走进了积淀着中华五千年灿烂文化的艺术殿堂……     

电动汽车逆变器信号检测电路实时模型的分析

电信号检测调理电路结构的优化构建,精确分析和仿真是电动汽车逆变器设计重要的基础环节。采用了传递函数分析电路的方法,建立了相关电路的精确的数学模型,设计了一种能够对采集信号进行滤波,相位补偿,偏置的检测调理电路。使采集过来的信号完全不失真,验证表明该强电信号检测调理电路滤波效果好,可以精确补偿相位滞后误差;偏置电路噪声低;无零点漂移,电路晌应速度快,对于后续的全数字控翩系统的设讨具有重要的意义。     

聚酰亚胺薄膜表面导电金属层化学沉积技术研究

为赋予聚酰亚胺(Polyimide, PI)薄膜材料表面良好的导电性,满足其在雷达天线等航空、航天领域的应用,采用化学碱蚀法对表面具有极高化学惰性的PI薄膜进行界面微纳改性处理,并结合化学镀铜沉积技术,实现了PI薄膜表面导电金属层的制备。利用SEM、XRD、AFM、FTIR等对聚酰亚胺薄膜表面改性前后的微观结构和表面金属层性能进行表征。常温化学碱蚀后的PI薄膜表面呈现出树枝状与铆钉状微观结构交错均匀分布的凸起结构形貌,60℃碱蚀后的PI薄膜表面呈现出微小凹坑特征,且碱蚀后PI薄膜表面亲水性明显增强。PI薄膜表面金属镀层均匀致密,导电性良好,且镀层与PI薄膜基材之间具有良好的结合力。碱蚀改性后PI薄膜表面呈现出相互交错的微观凸起亲水性结构,为PI薄膜表面金属层的成核、结晶提供良好的沉积与互嵌结合点,形成PI薄膜表面金属层与基材之间良好的界面互锁,从而有利于提高表面镀层结合强度。本工作实现了化学碱蚀作用下聚酰亚胺薄膜表面高导电、高结合强度金属层的制备,可为聚酰亚胺薄膜在雷达天线等航空、航天领域的应用提供技术支撑。