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随着微电子技术发展,要使器件水平进一步提高,除了进一步缩小芯片的特征尺寸外,采用新型材料也是有效的方法。文章介绍了SOI解决方案,阐述了SOI器件与体硅器件相比具有的明显优点。文章重点介绍了SOI晶圆材料的制备方法,目前广泛使用且较有发展前途的SOI的材料制备方法主要有注氧隔离的SIMOX(Seperation by Impolanted Oxygen)方法、硅片键合和反面腐蚀的BESOI(Bonding-Etchback SOI)方法、将键合与注入相结合的Smart Cut SOI方法。指出了SOI很有可能成为今后高性能和高可靠集成电路材料的主流。 相似文献
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设计了一款多模式的高精度振荡器,应用于开关电源芯片中,为芯片内部逻辑提供稳定的时钟源,并且具有3种工作模式,提高了整体电路的灵活性。电路中设计了低压差线性稳压器(LDO)和零温漂的电流源,使振荡器的输出频率不易受电压和温度变化的影响。同时采用可修调的技术,对电容的充电电流进行双向调整,消除了工艺带来的误差。该电路基于CSMC 0.25μm 2P5M工艺进行设计,采用HSPICE进行仿真,结果表明,在3.0~6.0 V输入电压范围内,输出频率变化1.1 kHz,变化率为0.22%;在-55~125℃温度范围内,输出频率变化2.1 kHz,变化率为0.41%。 相似文献
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为了提高Flash型FPGA中的Flash开关单元在擦除、编程后驱动能力的一致性,设计一种阶梯式的对Flash cell进行擦除和编程的方法.通过该方法依次对Flash开关单元执行若干次配置操作,执行完一次配置操作后通过Flash电流读出电路回读Flash开关单元的电流,并基于回读的电流调整下一次配置操作的参数,直至完成配置操作;该阶梯式控制的编程和擦除算法,及时调整编程和擦除时的操作电压和时间参数,可以实现对Flash开关单元在擦除和编程后阈值电压分布的精确控制,保证了驱动的一致性,为Flash型FPGA提供了高精度的延迟参数.并且采用阶梯式的配置方法很好的控制了Flash cell过擦除和过编程现象的发生,使电流读取电路能够对Flash cell的电流进行准确的读取.实测结果表明使用该阶梯式的配置方法可以将擦除、编程后的Flash cell阈值电压控制在预设范围之内. 相似文献
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通过断口及表面宏观形貌、化学成分和金相组织等检测分析,对电厂主蒸汽流量变送器接头断裂失效原因进行了研究。结果表明,锅炉主蒸汽流量变送器接头断裂的原因是变送器接头所用材料中Cr元素含量远低于奥氏体不锈钢对Cr含量的要求,当材料长期在高温运行过程中与电解质的电化学腐蚀环境相接触时在晶界处形成贫Cr区而发生的严重的晶间腐蚀而导致断裂。 相似文献
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石油化工具有易燃易爆、有毒、高温等特点,极具危险性,事故发生率高,事故发生导致的后果极其严重。本文阐述了石油化工企业实现安全管理的重要性,及保障石油化工企业安全管理生产的措施。 相似文献