K_xC_(60)电子态的光电子能谱的初步研究

早在1983年就从含碳的烟雾中发现C_(60)的存在,但是在1990年5月份之前,人们对这种固体的状态了解甚少。近来用自制的真空充氦放电装置制备得到C_(60_和C_(70),并且用核磁共振、红外谱等方法在室温下测得了C_(60)的有关信息(另文发表)。本文主要报道用自制的C_(60)在超高真空环境蒸发到GaP(111)表面上.并原位做紫外光电子谱(UPS)研究的初步结果。     

俄歇电子能谱仪在材料科学中的应用

材料科学是三大前沿学科之一。它的发展不仅直接影响国民经济的发展,而且也影响着其他学科的发展。所以,它一直得到人们的垂青。在材料研究中,人们用光学显微镜,继而用电子显微镜来研究材料的显微结构,在冶金和陶瓷行业中都已取得了显著进展。应用这些技术,可以确定相变、晶粒大小及形状;加上电子显微探针,在成分分析中又取得一大进步。但这些手段主要的不足之处在于缺乏深度分辨率,因此不能直接得到结构和组分在深度分布上的信息。而如回火脆性、腐蚀性、摩擦、     

Ag/Si(100)的结构以及银与硅衬底的相互作用

在Si(100)2×1再构面上蒸发银,除了得到Ag(111)1×1结构外,还发现了Ag(111)3×1再构,LEED和UPS分析表明界面上可能存在银原子与硅衬底的相互作用。     

表面势垒对俄歇电子极角分布的影响

本文根据电子在固体与真空界面的折射反射效应及立体角元的变化,讨论了表面势垒对俄歇电子极角分布的影响,修正了俄歇电子的极角分布公式,首次从理论上证明了均匀体样品俄歇电子的极角分布基本符合cosθ规律而和样品是单晶或多晶及和俄歇电子的能量大小无很大关系这一实验现象。     

LaB_6/GaAs(100)表面及界面的角分辨俄歇研究(英文)

The film of LaB6 on GaAs(100) was deposited by ion sputtering. The LaBe/GaAs(100) interface was investigated by Auger electron spectroscopy. Results show the composition of the film is almost the same as that of LaB6 source Adhesion of the film to GaAs(100) surface is very good. AES measurements of the change of LaBe coverage versus time do not exhibit a saturation. We think that LaBe does not grow in layer by layer, but forms islands on the GaAs(100) surface with ununiform thickness.     

一台表面分析仪的超高真空系统设计与调试

本文介绍了一台表面分析仪的超高真空系统的设计与调试。由涡轮分子泵与钛升华泵组合抽气,真空室中最高真空度可达2.6×10~(-10)托,钛升华泵停止升华和停加液氮8小时后,仍能维持在4.3×10~(-10)托。质谱分析表明真空室中未发现油污染。该超高真空系统满足表面分析的要求,并具有一定的优越性。     

亚硝酸甲酯在多晶钯表面上吸附的光电子能谱

通过对低温和室温下的钯表面吸附亚硝酸甲酯的角分辨紫外光电子能谱（UPS）的分析，以及对亚硝酸甲酯（CH3ONO）分子的abinitio理论计算，讨论了UPS的几个港峰对应轨道的性质，并对照相应能缓的分子轨道组成和Mulliken集居数分析，提出在低温下CH3ONO主要是通过中心氧原子与Pd的d轨道相互作用而吸附的。与NO和CO共吸附峰相比较，则认为在室温下亚硝酸甲酯分解为NO和CO等的共吸附。本工作有助于亚硝酸乙酯与CO在Pd／Al2O3上气相催化合成草酸二乙酯机理的理解。