选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件

研究了利用选择外延生长的InGaAsP材料的厚度增强因子和带隙波长的性质,最大的厚度增强因子为2.9.利用选择外延技术研制的DFB激光器和模斑转换器的集成器件,阈值为10.8mA-在60mA下输出功率为10mW,边模抑制比为35.8dB,垂直方向上的远场发散角从34°减少到9°,垂直方向上的1dB偏调容差为3.4μm.     

1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器

用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值时仍可得到稳定的单纵模、基横模工作.     

低温下氢氧化铝含量对硅橡胶沿闪特性的影响

在中国西北的一些高海拔地区,低温持续时间较长,硅橡胶性能改变而引起沿面闪络电压的变化对电力系统有很大影响,因此,研究低温环境对硅橡胶绝缘材料沿面闪络电压的影响以及低温下硅橡胶绝缘材料的闪络电压随温度变化的规律,了解低温下硅橡胶性能改变是否是造成绝缘子闪络事故的原因具有重要意义。为此,在低温下采用恒温试验箱对复合绝缘子用硅橡胶材料进行了低温冷冻处理,在不同温度的低温条件下采用平头板电极模拟不均匀电场,对不同Al(OH)_3含量的硅橡胶试样进行了沿面闪络电压的测定。实验结果表明:随着温度的降低,硅橡胶材料沿面闪络电压呈线性增加的趋势,其性能改变并不是造成低温下硅橡胶绝缘子闪络事故的原因。     

10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈（DFB）激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性．本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析．     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器

报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。     

InP和InGaAsP晶体上衍射光栅的刻制技术

采用全息光刻的技术,在InP 和InGaAsP晶体上刻制亚微米衍射光栅,获得较好的重复性和均匀性,并已应用于研制长波长分布反馈激光器.     

低温下硅橡胶直流沿面闪络特性研究

为了研究低温下硅橡胶材料的直流沿面闪络特性,在不同的低温环境下,通过采用倒角平头板电极和倒角四分之一圆弧板电极模拟不均匀电场的方法,对不同氢氧化铝含量硅橡胶的直流沿面闪络电压进行了测试。结果表明:在温度为-60～20℃时,随着温度的降低,硅橡胶的直流沿面闪络电压呈线性升高趋势,因此该硅橡胶绝缘材料适用于持续低温环境。     

移动_流化型组合阀工作特性的研究

移动－流化型组合阀是一种输送固体颗粒物料的新型非机械阀,影响其工作特性的关键技术是移动床底部松动风的设置。本文主要介绍了松动风设置的实验研究和计算物料流率的数学模型。     

强增益耦合DFB激光器单片集成自对准模式变换器

提出并成功制作出一种新型的强增益耦合DFB激光器与自对准模式变换器单片集成器件.采用三次外延实现上述器件.采用强增益耦合DFB激光器,获得了高单模成品率和大边模抑制比器件;采用自对准模式变换器,得到了近圆形的远场图样.