选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料

采用LP-MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG).通过改变生长温度和生长压力,MQW的适用范围由C波段扩展至L波段,即MQW的光致发光波长从1546nm延展至1621nm.光致发光（PL）测试表明：在宽达75nm的波长范围内,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当,并成功制作出电吸收调制DFB激光器（EML）.     

低波长漂移的电吸收调制DFB激光器

采用端面有效反射率法,从理论上计算了单片集成电吸收调制DFB激光器（Electroabsorption Modulated DFB Laser,EML）的腔面反射率、耦合强度（κL）对其波长漂移的影响.同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果.理论与实验的结果表明：为提高EML的模式稳定性,必须减小调制器一端的反射率,同时增加DFB激光器的κL.最终我们采用选择区域生长（Selective Area Growth,SAG）的方法,制作了低光反馈出光面的单脊条形EML,在2.5Gb/s的非归零(NRZ)码调制下,经过280km的标准光纤传输后,没有发现色散代价.     

GaAs[100]衬底的择优腐蚀

(一)引言 GaAs是闪锌矿结构,在[111]方向有极性,当选择适当的择优腐蚀液时,各晶面的腐蚀速度有[110]≥B[111]≥[100]>A[111]关系。A[111]面是难以被腐蚀的。因此,它对腐蚀图形起重要作用,利用这个特点可以设计和制造各种形状的新器件。本文介绍了     

Y对Al-Zr合金微观组织与性能的影响

研究了不同Y含量(0.02%,0.05%,0.10%)对Al-0.16Zr合金铸态、轧制态和时效态的微观组织、硬度和电导率的影响。结果表明,Y含量为0.05%和0.10%时,能显著的细化合金晶粒。随着Y含量增加,晶粒细化效果逐渐增强。铸态Al-0.16Zr合金在350℃时效过程中,Y添加具有显著的时效强化效果,Y含量越高,达到峰值时效所需时间越短。但是由于共格Al3Zr沉淀相的析出,点阵失配畸变场的存在将导致合金电导率降低。而在轧制态合金的时效过程中,位错密度的降低引起退火软化,但是Y的添加仍明显提高了合金的硬度。综合考虑,轧制态Al-0.16Zr-0.10Y合金经350℃×30h时效后具有最优的硬度和电导率。     

Bragg光栅在光子集在器件中的应用及研制

介绍了Ｂｒａｇｇ光栅在光子集成器件中的应用、对光栅占空比的控制及光栅对器件的影响。研制出了１．５μｍ和１．３μｍＭＱＷ－ＤＦＢ激光器,其边模抑制比〉３５ｄＢ,ｋＬ〈３,单模成品率〉９０％。     

回转式空气预热器漏风的(火用)分析

采用火用分析对回转式空气预热器漏风过程不可逆性进行了研究,提出了火用损失系数的概念,并进行了实际计算。计算结果表明,空气预热器漏风的火用损失不但与漏风系数有关,而且与锅炉负荷的大小有关。火用分析结果为回转式空气预热器设计和运行提供了一定的理论依据。