SnO_2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

利用溶胶 凝胶法合成出纳米晶SnO2 薄膜 ,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀 ,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件 ,实现了制备纳米晶材料的溶胶 -凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明 ,纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件可以在常温下工作 ,元件的漏电流在乙醇气体中减小 ,掺杂镧以后 ,漏电流变化幅度增大     

纳米TiO2的制备,表征及光催化性能的研究

采用硬脂酸凝胶（SAG）法制备了TiO2纳米材料,用差热分析,热重分析,X射线衍射对合成过程进行了研究。用X射线光电子能谱（XPS）对其表面状态进行了分行。TiO2纳米材料对甲基橙溶液光催化降解结果表明：催化剂浓度、初始溶液pH值和金属离子对降解效率有较大影响。     

LaFeO_3 栅膜 FET 气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＰｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性．     

SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的热力学分析

本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺的改进将有一定的参考意义.     

多晶硅中碳化物及其来源的研究

本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可达70μm,元素分析结果表明其组成符合SiC的计量比.根据国内常用的制备多晶硅的方法,从理论上分析了SiC沾污的原因,并讨论了减少这种沾污的可能途径.     

TiO2薄膜紫外探测器的光电特性

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),在Si衬底上生长了TiO2纳米薄膜,并用此材料制备了光电导型的TiO2薄膜紫外光探测器.通过测量探测器的光电流与照射光波长的关系,可以看出,TiO2探测器在紫外波段230～280nm有很明显的光响应,光电流谱线近乎平坦;在280nm处光响应出现明显下降,且跨度较大,直至360nm又再次趋于平坦.测量了250nm波长处的响应度和外加偏压的关系,发现响应度随外加偏压的增加而增加,5V时达到饱和.     

NASICON纳米晶固体材料的制备与烧结致密化

以常规无机试剂和含硅有机试剂为原料，采用溶胶-凝胶过程与压制成型烧结相结合的方法制备了NASICON纳米晶固体材料，利用TG—DTA对前驱凝胶原粉进行了分析测试，结果表明，NASICON相结构的形成温度范围为750-890℃．实验中重点对800-1000℃烧结所得纳米晶材料进行了表征．目的产物的XRD、FT—IR、FE—SEM、IS结果以及阿基米德法致密度测量结果显示，采用合适的烧结温度和周期可以成功制备出具有纳米级颗粒尺寸、良好结晶特性和较高致密度的固体电解质NASICON材料．材料电学特性测试结果表明，所制备的纳米晶固体电解质材料具有良好的离子导电特性和合理的离子传导激活能，其复合电导与温度倒数的Arrhenius图具有很好的线性关系，并且具有较高结晶特性的材料显示出更高的离子电导率．     

La_(l-x)Sr_xFeO_3纳米微晶材料的气敏特性

对不同x值的La_(1-x)Sr_xFeO_3纳米微晶材料的基本性质,尤其是气敏特性进行了比较详细的研究.结果表明La_(0.6)Sr_(0.4)FeO_3和La_(0.4)Sr_(0.6)Fe0_3材料对乙醇气具有相当高的灵敏度、良好的选择性及响应恢复特性.     

基于La0.7Sr0.3FeO3的微结构乙醇气体传感器的研制

以La0.7Sr0.3FeO3为敏感材料,设计制成了一种新型的共平面结构气体传感器.基于有限元分析软件Ansys对该传感器结构进行了优化设计.实验测得该传感器对于500ppm浓度乙醇气体的灵敏度为8.0,功耗为261mW,是同种敏感材料烧结型传感器功耗的2/3,响应时间约为1.5s,恢复时间约为2.5s,是一种功耗低、灵敏度高、稳定性好的微结构乙醇气体传感器.     

溶胶-凝胶法合成NASICON快离子导体材料

采用以无机盐为基础的新型溶胶－凝胶法合成了NASICON快离子导体材料，在其它原料相同的情况下，分别采用硝酸和草酸作为回溶剂和原溶液酸度调节剂合成了NASICON材料，利用XRD等分析测试手段对合成产物进行了对比研究，对两种酸在反应温度和相结构的影响情况进行了讨论。